中芯国际“集成芯片及其形成方法”专利公布

　　中芯国际“集成芯片及其形成方法”专利公布，申请公布日为5月23日，申请公布号为CN116153885A。

　　

　　申请人信息显示，申请（专利权）人为中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司；发明人为纪世良、柯星、张海洋。

　　专利摘要显示，本申请技术方案提供一种集成芯片及其形成方法，其中所述集成芯片包括至少两个具有导电连线的功能芯片，所述功能芯片之间的导电通路上设置有导热层，且所述导热层中包括导电连线；所述导热层还包括刚性导热基体层以及位于所述刚性导热基体层中的柔性导热层。

　　据悉，该申请技术方案的集成芯片不仅具有较好的导热能力，还具有适宜的刚性。