中芯国际“鳍式场效应晶体管的形成方法”专利已获授权

　　集微网消息，显示，中芯国际近日新增多条专利信息，其中一条名称为“鳍式场效应晶体管的形成方法”，公开号为CN111477548B，法律状态显示该专利已获授权。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍部，鳍部中形成有一层或多层牺牲层，鳍部顶部形成有伪栅结构；形成覆盖鳍部侧面的第一侧墙、覆盖伪栅结构侧面的第二侧墙；刻蚀伪栅结构两侧的鳍部，以形成暴露牺牲层和第一侧墙的源/漏凹槽；刻蚀部分暴露的牺牲层，以形成内部凹槽；和在内部凹槽和所述源/漏凹槽侧壁形成隔离层，再去除形成于源/漏凹槽侧壁的隔离层，保留形成于内部凹槽中的隔离层，多次重复上述形成、再去除隔离层的步骤，直至保留在内部凹槽中所述隔离层形成内部隔离结构。多次工艺形成内部隔离结构，能够有效避免源/漏凹槽开口被封闭，容易形成源/漏，提高了晶体管的性能。

　　中芯国际指出，随着半导体器件尺寸的不断减小，半导体器件单元从传统的CMOS器件发展到鳍式场效应晶体管（FinFET）的领域。但是随着物理尺寸的进一步降低，FinFET已经不能够满足需求了。目前环栅结构（Gate-all-around,GAA）纳米线晶体管已经得到研究者的青睐。这种环栅结构能够进一步增大沟道载流子迁移速率，同时结构体积可以进一步缩小。形成环栅结构时，纳米线需要先用牺牲层替代，后续除去牺牲层后，再形成金属环栅结构。形成源/漏凹槽后，需要刻蚀部分牺牲层以形成内部凹槽，进而在内部凹槽中形成内部隔离结构。目前，一次形成内部隔离结构时，源/漏凹槽容易被堵塞，影响最终的晶体管性能。亟须一种源/漏凹槽不会被堵塞的鳍式场效应晶体管的形成方法，因此提出了上述专利。