中电科55所碳化硅芯片样品流片 第三代半导体百亿市场空间可期

近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。机构分析指出，碳化硅下游需求不断扩大，百亿市场空间可期。据测算，2025年全球碳化硅衬底市场需求达188.4亿元，碳化硅器件市场需求达627.8亿元。

出处：财联社
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