事件：据公司微信 公众号2022 年8月成功研发出8 英寸N 型碳化硅晶体。

    投资要点

    SiC 研发自此迈入8 英寸时代，大尺寸方向取得重大突破：（1）SiC 衬底成本占比约47%，是SiC 器件的主要成本来源，其制作的关键难点在于长晶，包括对气流、温度等的精确控制，长晶炉是衬底生长品质把控的关键，know-how 多掌握在设备端+工艺调试端。（2）此次晶盛利用自主开发的设备成功研发8 英寸SiC 晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC 晶体研发上取得的重大突破。成功解决8 英寸SiC 晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC 器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC 衬底广泛应用打下基础。

    海外龙头8 英寸领先优势明显，国内厂商有待突破：Cree 等龙头对于8 英寸碳化硅衬底的量产已提上日程，国产厂商多处于8 英寸碳化硅衬底的研发阶段： Wolfspeed（Cree 全资子公司）投入10 亿美元建设的8 英寸新工厂2022 年4 月已经投产；Soitec2022 年3 月启动新晶圆厂建设计划，将用于6 英寸、8 英寸晶圆制造，预计2023 年下半年建成投产，2022 年5 月发布8 英寸碳化硅衬底产品；罗姆（SiCrystal）预计2023 年左右开始量产8英寸衬底、2025 年量产8 英寸SiC 器件；II-VI 2021 年4 月表示未来5 年内将SiC 衬底的生产能力提高5 至10 倍，其中包括量产8 英寸衬底；英飞凌2020 年9 月表示8 英寸SiC 晶圆生产线已建成。

    晶盛拟以自有资金布局SiC 衬底，设备端延伸至材料端：（1）公司于2017年涉足碳化硅领域，于2021 年组建了原料合成-晶体生长-切磨抛加工的中试线，已经成功生长出有效厚度25mm-30mm 的6 英寸导电型碳化硅晶体，2021H2 开始向客户送样，目前已通过了下游客户和第三方检测机构的验证，且已取得客户A 意向性合同，2022 年-2025 年公司将优先向其提供碳化硅衬底合计不低于23 万片。（2）公司定增项目剔除碳化硅衬底片后，拟以自有资金进行布局，达产后将形成40 万片6 英寸及以上尺寸的导电型和半绝缘型碳化硅衬底片的年产能，该碳化硅项目2021 年12 月3 日落址银川。

    盈利预测与投资评级：光伏设备是晶盛机电的第一曲线，第二曲线是半导体大硅片设备放量，第三曲线是蓝宝石材料和碳化硅材料的完全放量。暂未考虑碳化硅业务对盈利的增厚，我们维持公司2022-2024 年的归母净利润为25.95/35.87/43.44 亿元，对应PE38/28/23 倍，维持“买入”评级。

    风险提示：新品拓展不及预期。