事件：据晶盛机电官微消息，8月12日，晶盛机电首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代。此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。

    事件点评：

    碳化硅长晶难度大，6英寸到8英寸难度数倍增长。碳化硅具有200余种晶体结构，而只有4H-SiC等少数几种晶体结构才是半导体材料所需的，在晶体生长期间需要对碳硅比、温度梯度、掺杂元素浓度等多个参数进行精准控制，否则会生长出多晶型掺杂、缺陷密度较高的不合格晶体。生长8英寸的SiC衬底有以下几个难点：（1）首先需要研制出8英寸的籽晶；（2）要解决大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和运输效率问题；（3）要解决长晶过程中应力加大导致的晶体开裂问题。

    以上问题需要对8英寸长晶炉的温场分布、气场输运等问题进行重新的设计与开发，才能保证8英寸碳化硅晶体达到要求的结晶质量，技术难度数倍于6英寸碳化硅衬底。目前仅国外的WOLFSPEED、Ⅱ-Ⅳ公司实现了8英寸导电型碳化硅衬底的量产能力。

    8英寸碳化硅对于降本意义显著。目前导电型碳化硅衬底以6英寸为主，8英寸衬底开始发展。根据WOLFSPEED2021年投资日的报告，碳化硅衬底从6英寸到8英寸，单片衬底制备的芯片数量由448颗增长至845颗，边缘损失占比由14%减少至7%。WOLFSPEED预测到2024年使用其8英寸衬底生产的MOSFET芯片成本将较2022年使用6英寸衬底下降63%，其中28%来自生产受益（良率提升），25%来自规模效应，10% 来自自动化水平提升。

    晶盛机电8 英寸N 型碳化硅衬底的研发成功有望打破国外企业的垄断。由于碳化硅晶体生长具备较高的技术壁垒，全球具备量产能力的公司数量有限，导致碳化硅衬底市场格局比较集中，而全球绝大部份市场份额被国外公司占据。根据WOLFSPEED2021 年投资日的报告，WOLFSPEED 占据导电型碳化硅衬底市场份额的62%，处于绝对优势地位，Ⅱ-Ⅳ、SiCrystal、SK Siltron 分别占据14%、13%、5%的市场份额，我国的天科合达占据4%的市场份额。晶盛机电8 英寸N 型碳化硅衬底的研发成功有望打破国外企业的技术垄断，进而打破国外企业的市场垄断。

    受益于新能源汽车对功率器件的需求提升，导电型碳化硅市场空间广阔。随着新能源汽车渗透率的不断提升，以及碳化硅功率器件在新能源汽车的普及，未来碳化硅功率器件市场规模将呈现指数级增长。

    CASA 预测到2025 年全球新能源汽车对碳化硅衬底需求量（折算为6英寸）将达到62.4 万片，国内需求量（折算为6 英寸）将达到28.6 万片。2018-2019 年天科合达6 英寸碳化硅晶片平均售价分别为7386.41元/片、7380.53 元/片，2020 年天岳先进6 英寸导电型碳化硅晶片平均售价为7423.49 元/片，假设到2025 年6 英寸导电型碳化硅晶片价格下降到6500 元/片，预计全球、国内因新能源汽车带动的导电型碳化硅衬底市场规模分别为40.56 亿元、18.59 亿元。

    投资建议：

    我们预计公司2022-2024年的归母净利润分别为28.33/37.10/46.08亿元，EPS分别为2.17/2.84/3.52元，当前股价对应PE为35/27/13倍。晶盛机电8英寸碳化硅衬底研发成功有助于加快公司碳化硅业务板块的发展速度，碳化硅板块是晶盛机电继光伏及半导体设备、蓝宝石后的第三成长曲线。综上，我们认为公司估值仍有一定上升空间，维持其“买入”投资评级。

    风险提示：

    碳化硅量产速度不及预期；同业公司实现技术突破；