公司2009年公司营业收入108,046.64万元，同比下降0.64%；归属于上市公司股东的净利润2,603.70万元，同比下降53.38%，每股收益0.05元，同比下降54.45%。2010年第1季度，公司收入24,323.89万元，利润总额2,484.31万元，归属于上市公司股东的净利润2,109.15元，扣除非经常性损益后的每股收益为0.04元。

    销售收入趋于稳定。公司2009年第4季度销售收入2.63亿元同比增长超过4倍，环比下降6%，但相比2009年第3季度环比下降幅度明显降低。2009年3，4季度公司收入环比下降主要是由于：2009年 1，2季度收入中有相当部分来自毛利率较低芯片销售，公司自2009年第3季度开始逐步减少了芯片销售，使得收入环比有所下滑。2010年1季度公司销售收入同比增长24.79%，环比下降8%，由于1季度是传统的淡季历年1季度收入都会出现下降，但今年降幅明显低于历史平均水平，显示出淡季不淡的格局。

    公司销售毛利率创新高。2009年第4季度公司销售毛利率达到39.86%，为2005年以来的新高，2010年第1季度仍然维持在32%的水平。公司毛利率上升主要得益于上游原材料价格下降，特别是作为主要原材料的多晶硅价格大幅下降；同时公司新产品MOS管和肖特基二极管，出货量逐渐增加，收入占比得到提升，由于新产品毛利较高，也有助于拉高总体毛利率。

    存货大幅下降。存货年末数较年初数减少21,219.62万元，减少比例为44.79％，主要是公司加大了市场的销售力度，进一步优化库存所致；公司原并表子公司深圳启欣、上海华微、北京傲志所有资产不再纳入并表范围也使得公司的库存出现下降。

    客户开发进展迅速。公司专门成立"海外组"进行海外客户拓展，报告期内海外组实现收入翻番，特别是印度市场的开拓取得突破性进展，客户NTL 销售收入全年达1,804 万元，同比增长100.6%。同时，公司积极抢占国内大客户销售份额，一方面成功进入阳光、通士达、诚赢等多家新客户，另一方面积极推进老客户销售份额增长，对雷士系统全年销售收入实现4,737 万元，同比增长78%；对三雄销售份额增长209%；对长城销售份额增长96%。通过营销工作的积极拉动，公司主要芯片生产线开工率持续攀升，5 月份开工率为73%，6 月份达到81.5%，9 月份以后一直保持在95%以上。

    持续推进新产品新技术研发。报告期内，公司在保持BJT 产品优势的同时，大力开发IGBT、FRD、MOS 等新型电力电子功率器件产品。公司自主研发的1200V IGBT 产品工艺开发进展顺利，原型样品基本形成。公司通过与权威机构合作研发FRD，该产品在原单一品种的工艺平台基础上，攻克了诸多工艺难点，过渡到目前400V、600V、1200V 产品系列化状态。未来一年公司将重点研发1200V 25A、1200V 20A、3300V IGBT 产品以及配套FRD产品，同时进行PDP 用330V IGBT 产品开发，以适应其广泛的市场需求。MOS 产品在原有9 款产品基础上成功开发第二代T 系列产品并得到客户广泛认同，为公司规划未来五代MOS 产品提供了必要的支持条件。肖特基产品的开发与推广也取得明显进展，目前产销量已位居国内同行业首位。

    国家政策开始支持分立器件，行业迎来发展良机。半导体分立器件作为电力电气产品和消费电子的核心器件，在节能环保中应用中发挥着不可替代的作用。2010年3月30日，发改委发布发改办高技[2010]614号文，明确支持金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超快恢复二极管（FRD）等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化，重点解决芯片设计、制造和封装技术，包括结构设计、可靠性设计，以及光刻、刻蚀、表面钝化、背面研磨、背面金属化、测试等工艺技术，提高产品档次。国家政策从单纯支持集成电路转变为两者兼顾反映了国家对于分立器件重要作用的重新认识，为行业的未来发展奠定了基础。

    我们预计2010年公司销售收入在13.56亿元-14.96亿元之间，对应2010年净利润为1.32亿元-1.62亿元，每股收益在0.25--0.31元之间，对应2010年市盈率分别为36.12倍和29.12倍。预计2011年公司六寸现将每股贡献收益0.14元，公司每股收益为0.36元，对应11年市盈率为25.08倍，相对元器件行业整体估值水平偏低，同时考虑到公司在分立器件的龙头地位和半导体分立器件价值再发现，公司估值有望再提升20%以上，维持公司增持评级。