新洁能发布2022 年年度报告：公司2022 年实现营业收入18.11 亿元，同比增长19.87%；实现归母净利润4.35 亿元，同比增长4.51%；实现扣非后归母净利润4.12 亿元，同比增长0.97%；扣除股份支付影响后的净利润为5.04 亿元，同比增长20.45%。
投资要点
业绩增长符合预期，受益于产品、市场和客户结构持续优化
2022 年度，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用市场需求下行，光伏和储能、新能源汽车等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，积极提升产能规模并扩大产品供应，进一步扩大了公司的高端市场应用规模及影响力。
细分产品来看，IGBT/SGT-MOS/SJ-MOS 在2022 年分别实现营收4.03 亿元/6.81 亿元/2.13 亿元， 分别同比增长398.23%/15.21%/38.41%。产品结构方面，IGBT/SGT-MOS/SJMOS/Trench-MOS 占比分别达到22.33%（同比+16.96pct）/37.71% （ 同比-1.49pct ） /11.80% （ 同比+1.59pct ）/27.728%（同比-17.42pct）。
市场结构方面，2022 年公司下游应用领域中工控自动化/光伏储能/ 汽车电子/ 数据中心及通信/ 其他占比分别为27%/25%/14%/13%/21%，泛消费类占比下降至15%。汽车电子方面，2022 年公司与比亚迪继续扩大合作规模，目前已经实现近三十款产品的大批量供应，应用于汽车电子的相关产品销售额同比增长超 700%。光伏储能方面，公司积极抓住快速增长的市场需求，产品性能已达到国际厂商主流竞品水平，成功导入并大量供应国内的Top10 光伏企业；此外，公司积极推动IGBT 模块产品的研发与生产，基于650V 和1200V 平台的相关模块产品开发进展顺利，预计部分产品的验证评估可在 2023 年4 月完成并向客户送样；同时预计在2023 年Q3实现IGBT 模块产品的量产。
IGBT 持续迭代，第三代半导体和功率IC 即将放 量打造第二成长曲线
IGBT 方面，使用第七代微沟槽场截止技术的650V IGBT、1200V IGBT 和 650V RC-IGBT 均进展顺利，650V IGBT 已经逐步量产，1200V IGBT 产品已突破主要技术难关，650V RCIGBT样品已完成器件可靠性考核并通过客户应用测试；面向于光伏逆变应用的业界电流最大的 1200V TO-247plus 封装单管产品1200V 150AIGBT 已经完成设计与工艺固化；光伏模块用650V 和1200V 大电流IGBT 芯片，采用了最新第七代微沟槽场截止技术、载流子存储技术、多梯度背面缓冲层技术，正在进行工程流片，预计2023 年Q2 完成开发和样品送样；FRD 芯片已经完成工程开发。预计2023 年公司IGBT 产品的销售将继续加速放量。
第三代半导体功率器件方面， 公司已开发完成1200V32mohm/62mohm 新能源汽车 OBC、光伏储能用SiC MOS，突破SiC MOS 栅氧化层可靠性技术、动态阈值/动态电阻技术、抗冲击能力提升技术等，相关产品通过可靠性考核，产品性能达到国际先进水平，客户测试评估初步通过，产品进入小批量试产阶段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT 产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN 产品开发中。以上产品预计将在2023 年逐步上量。
功率IC 方面，产品系列得到进一步完善。目前，子公司国硅集成已实现量产25V 低侧驱动系列产品18 款，适用于光伏MPPT 应用；量产40V 桥式驱动系列产品4 款，适用于中小功率风机；量产250V 半桥驱动芯片6 款，适用于智能短交通、电动工具应用；700V 半桥驱动芯片3 款，适用于储能、工业控制等应用。相关产品已经在光伏&储能、工控、电池化成设备、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2022 年国硅集成累计完成工程批验证250V、700V 半桥驱动芯片18款，预计2023 年二季度实现量产销售。此外，国硅集成正在积极推进用于汽车电子领域的隔离驱动IC 产品和Smart MOS产品的研发，预计2023 年底可以实现出样，相关产品国产替代空间巨大，将成为公司业绩增长的新亮点。
盈利预测
预测公司2023-2025 年收入分别为24.94、32.19、38.43 亿元，EPS 分别为2.74、3.55、4.26 元，当前股价对应PE 分别为30、23、20 倍，维持“买入”投资评级。
风险提示
行业景气度下行风险、产品研发进度不及预期风险、行业竞争加剧风险、海外政策变化的风险等。