事件概述：公司发布24Q1 季报

    当季营收16.05 亿元，同增31%、环降28%;归母净利润2.49 亿元，同降10%、环降60%;扣非净利2.63 亿元，同比增长15%、环降43%；毛利率44.94%，同减0.93pcts、环减0.88pcts。

    24Q1 公司刻蚀设备产品、发货量显著增长，带动合同负债余额、存货余额的显著增加：季末合同负债11.69 亿元，较期初增加3.97 亿元；季末存货55.84 亿元，较期初增加13.24亿元，主要系存货中发出商品余额19.23 亿元，较期初增加10.55 亿元。

    刻蚀Q1 增势迅猛，投资损益、高强研发拖累盈利24Q1 营收增长超30%，主要系刻蚀设备当季营收增长超64%达13.35 亿元、营收占比从23Q1 的66.55%提至83.20%。此外，受市场景气波动影响，当季MOCVD 收入0.38 亿元、同降77%，备品备件及服务收入2.32 亿元，同降4%。

    当季归母净利同比降10%，主要系：1）持有的上市公司股权公允价值减少4077 万元，同比减少0.41 亿元；2）政府补助较上年同期减少0.23 亿元。扣非归母净利当季同增15%，增速不及营收增速，主要系公司加大研发力度和客户验证，当季研发费用增长0.83 亿，销售和管理费用分别增长0.39 和0.18 亿元，期间费用合计增加1.4 亿元。

    刻蚀放量，薄膜设备加速突破

    【国产化加速刻蚀放量】1）收入增速高：22-23 年刻蚀业务增速分别为57%/49%，高于同期公司总体收入增速53%/32%；2）新签订单增长快：23 年刻蚀新签订单增速达60%；3）新品迭出：超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的解决方案可用于存储芯片制造；ICP 推出VE HP 和LUX 两款新设备，在高端逻辑&存储覆盖率有望大幅提升；晶圆边缘Bevel 刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证。

    【薄膜沉积加速突破】1）多款薄膜类设备进入市场，部分获得重复性订单，其他多个关键薄膜设备研发顺利推进；2）钨系列薄膜沉积产品完成多家客户CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证、取得订单；3）近期规划多款CVD 和ALD 设备，增加薄膜设备覆盖率。

    先进封装+化合物拓宽赛道

    【先进封装TSV 刻蚀有望高增】TSV 工艺为2.5D CoWoS 和3D SoIC 封装的必备工艺，随着AI 芯片需求爆发，有望带来对公司TSV 设备需求的快速增长。

    【碳化硅助力MOCVD 成长】碳化硅外延设备已于本期付运到客户端开展验证测试；制造Micro-LED 应用的新型MOCVD 设备也已在客户端验证测试。

    投资建议

    我们维持公司2024-26 年净利预测21.2/26.8/34.7 亿元不变，对应PE 分别为40/31/24X。展望2024 年公司在手订单饱满，业绩向上趋势显著，维持“买入”评级。

    风险提示

    刻蚀/MOCVD 设备新品市场开拓不及预期；先进封装需求不及预期；下游客户招标不及预期。