1Q25 营收同比增长34.13%，归母净利润同比增长197.20%。公司发布2026年第一季度报告，实现营收29.15 亿元(YoY +34.13%)，归母净利润9.30 亿元(YoY +197.20%)，扣非归母净利润4.78 亿元(YoY +60.09%)。综合毛利率达到39.89%(QoQ +0.6pp)，研发支出9.08 亿元(YoY +32.15%)。收入端增长主要因应用于先进逻辑（中段关键刻蚀工艺）与存储（超高深宽比刻蚀工艺）的高端产品实现量产，且运量显著提升。利润端，公司本期出售了部分持有的拓荆科技股票，产生税后净收益约3.97 亿元。期末公司合同负债达28.53亿元，存货达72.59 亿元，显示公司在手订单饱满。

    　　2025 年营收同比增长36.62%，归母净利润同比增长30.69%。公司2025 年实现营收123.85 亿元(YoY +36.62%)，归母净利润21.11 亿元(YoY +30.69%)，扣非归母净利润15.50 亿元(YoY +11.64%)，综合毛利率39.17%(YoY-1.89pp)。公司刻蚀设备实现收入98.32 亿元(YoY +35.12%)，覆盖从65nm到3nm 及更先进工艺的刻蚀应用，刻蚀设备全球累计出货超6800 台。薄膜设备实现收入5.06 亿元，同比增长224.23%，LPCVD 设备累计出货量突破300个反应台。25 年薄膜设备新签订单约7.56 亿元，同比增长约59%。MOCVD 设备方面，开发出用于SiC 和GaN 功率器件、Micro LED 等领域的新产品。

    　　高端刻蚀设备全面导入应用，先进薄膜设备运付量快速增长。先进存储中，公司超高深宽比刻蚀机已有300 多台反应器实现稳定量产，下一代90:1 超高深宽比低温CCP 刻蚀设备已运付客户端进行验证。第二代ICP 刻蚀设备在3D DRAM 应用中取得140:1 高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新化学气相刻蚀设备实现大于700:1 的业界领先SiGe/Si 的高选择比，在GAA 和3D DRAM 关键工艺的实验室验证中，全面满足客户的各项工艺指标要求。薄膜设备方面，公司减压EPI 设备已在成熟制程客户端验证成功，并已付运至先进制程客户；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。目前公司累计已有超8300 个反应台在国内外180 余条芯片及LED 生产线全面量产。

    　　投资建议：国内半导体先进设备公司，维持“优于大市”评级。国内半导体设备需求旺盛，公司平台化发展优势有望逐步体现，我们预计公司2026-2028年营业收入158.70/207.00/267.93 亿元（26-27 年前值151.32/193.33 亿元），归母净利润30.47/39.22/49.22 亿元（26-27 年前值31.38/39.86 亿元），当前对应PE 分别为77/60/48 倍，维持“优于大市”评级。

    　　风险提示：下游晶圆制造产能扩充不及预期风险，新产品开发不及预期风险，国际关系波动和地缘政治风险等。