事件：公司发布2023 年半年度报告，2023 年H1 公司实现营收88.44 亿元，同比增长11.52%；归母净利润15.89 亿元，同比增长32.07%；扣非净利润14.14 亿元，同比增长26.34%。分季度看，2023 年Q2 实现营收44.70 亿元，同比增长8.41%，环比增长2.18%；归母净利润5.44 亿元，同比下降3.00%，环比下降47.86%；扣非净利润4.13 亿元，同比下降21.60%，环比下降58.77%。

    　　营收实现稳健增长，产能利用率维持较高水平：2023 年上半年，全球及地区经济恢复缓慢，消费类市场持续低迷，上游晶圆代工产业遭遇较大挑战。得益于公司产品组合优化以及客户长期支持，公司营收保持稳健增长。上半年公司产能利用率保持较高水平，嵌入式闪存工艺平台、功率半导体销售额保持同比双位数增长。2023 年H1 公司毛利率为34.26%，同比+2.44pcts；净利率为11.45%， 同比-1.12pcts。2023 年Q2 毛利率为32.69%， 环比-3.17pcts；净利率为1.02%，环比-21.07pcts。费用方面，2023 年H1 公司销售、管理、财务、其他费用率分别为0.40%/3.95%/7.59%/6.16%，同比变动分别为-0.17/-0.01/0.38/1.58pcts，23 年H1 财务费用为5.45 亿元，同比增长49.88%，主要原因是利息支出增加。

    　　技术创新研发奠定成长基础，客户产品需求旺盛：公司在特色工艺技术方面持续创新，自主研发形成了由嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频组成的特色工艺平台，在多个领域达到领先水平。

    　　在嵌入式非易失性存储器技术平台方面，公司自主研发的NORD-Flash 单元以及相关低功耗及超低漏电嵌入式闪存工艺平台，获得众多客户认可，并选择该平台进行产品流片及量产，为客户产品在消费电子、通讯、工业控制、智慧医疗和智能卡等领域的应用提供了优势芯片制造平台。功率器件工艺平台方面，公司通过优化迭代自研IGBT 技术，使得公司功率器件具备大电流、小尺寸、高可靠性等优势，可应用于新能源汽车逆变器、光伏等领域。同时公司基于深沟槽式超级结MOSFET 技术，已为客户提供了应用于数据中心电源、车载充电机等高端芯片制造平台。公司工艺和技术性能获得市场认可，客户产品需求旺盛，已全部实现平台量产。

    　　积极扩充12 英寸产线产能，打开未来成长空间：公司坚持“8 英寸+12 英　　寸”发展战略，在不断提升技术实力的同时扩大产能。根据公司半年报，无锡一期12 英寸厂（七厂）在23 年上半年运行顺利，产能利用率保持高位运行，预计23 年底完成94.5K 产能建设；无锡二期项目（九厂）于23 年6 月30 日举行开工仪式，规划月产能8.3 万片，工艺节点覆盖65nm 到40nm 先进特色IC 和高端功率器件，应用领域聚焦12 英寸车规级工艺制造平台。公司积极扩充12 英寸产线产能，有望助力公司营收规模进一步提升。

    　　首次覆盖，给予“增持”评级：公司在半导体制造领域拥有超过20 年的技术积累，逐步形成了先进的“特色IC+功率器件”产品布局，自主研发嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等特色工艺平台。在功率器件领域，公司同时具备8 英寸以及12 英寸功率器件代工能力，拥有全球领先的深沟槽式超级结MOSFET 以及IGBT 技术；在模拟与电源管理领域，公司已成为全球领先的模拟与电源管理工艺技术提供商。随着华虹无锡项目产能持续爬坡，未来进一步的资本投入将大幅提升12 英寸生产线的产能，及基于90-55 纳米节点各项工艺平台代工的产品组合丰富度，公司有望持续提升核心竞争力，打开长期成长空间。预计公司2023-2025 年归母净利润分别为20.72 亿元、28.33 亿元、39.22 亿元，EPS 分别为1.21 元、1.65 元、2.29元，PE 分别为41X、30X、22X。

    　　风险提示：行业景气度不及预期；下游市场复苏不及预期；国际贸易摩擦风险；行业竞争加剧风险。