拓荆科技(688072)股票信息|查股网

◆最新指标 (2025年10月股权激励后)◆

每股收益(元) :1.9793	目前流通(万股) :28116.39
每股净资产(元) :21.6854	总股本(万股) :28116.39
每股公积金(元) :13.5731	营业收入(万元) :422010.94
每股未分配利润(元) :7.5331	营收同比(%) :85.27
每股经营现金流(元) :10.0710i	净利润(万元) :55650.54
净利率(%) :12.69	净利润同比(%) :105.14
毛利率(%) :33.28	净资产收益率(%) :9.78

◆上期主要指标◆

◇2025中期◇

每股收益(元) :0.3400	扣非每股收益(元) :0.1365
每股净资产(元) :19.3471	扣非净利润(万元) :3818.77
每股公积金(元) :12.8499	营收同比(%) :54.25
每股未分配利润(元) :5.9193	净利润同比(%) :-26.96
每股经营现金流(元) :5.5983	净资产收益率(%) :1.76
毛利率(%) :31.96	净利率(%) :4.21

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业专用设备入选理由：2025年11月，调整后，公司拟向不超过35名投资者发行不超过84,349,179股（含本数），募集资金总额不超过人民币460,000.00万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目、补充流动资金。公司将通过本次募集资金投资项目扩大高端半导体设备产能，抓住行业高速发展机遇。公司将通过本次募集资金投资项目战略布局薄膜沉积设备领域的前沿核心技术，开发可适用于前沿技术领域的新产品、新工艺，并将基于公司技术积累，对薄膜沉积设备进行进一步创新，提升产品工艺覆盖面与智能化水平，优化公司产品的各项性能指标，强化公司在薄膜沉积设备领域的产品优势。	所属地域:	辽宁
主营业务：
题材概念:	集成电路入选理由：公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。、半导体入选理由：公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。、中芯国际概念入选理由：公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。目前，全球半导体薄膜沉积设备市场由应用材料、泛林半导体、东京电子、先晶半导体等海外公司占据主导地位。、大基金概念入选理由：截至2023年末，国家集成电路基金持有公司19.76%的股份；另外，中微公司持有公司7.37%的股份，中微公司的主营业务为专用设备制造业，目前主营产品为刻蚀机、MOCVD等半导体设备。、半导体设备入选理由：公司PECVD设备作为主打产品，已实现全系列PECVD薄膜材料的覆盖，并持续保持竞争优势，获得批量订单和批量验收，广泛应用于国内集成电路制造产线，为客户提供高性能的介质薄膜材料。公司首台PECVDLokⅡ工艺设备、ADCII工艺设备通过验收，实现了产业化应用。公司研制并推出了新型PECVD反应腔（pX和Supra-D），采用新型反应腔配置的LoKⅡ、ACHM、SiH4、TEOS等薄膜工艺设备均已出货至客户端验证，可以实现更严格的薄膜工艺指标要求，满足芯片技术日益严苛的工艺需求。此外，公司拓展了新型功率器件领域，开发并推出了用于SiC器件制造中的SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜工艺PECVD设备。2023年，首台TEOS设备通过了客户端的验证，实现了产业化应用，并获得了重复订单。公司推出的PECVD（NF-300H）型号设备已实现产业化应用，可以沉积ThickTEOS等介质材料薄膜。。
风格概念:	基金重仓入选理由：拓荆科技2025-10-31十大股东中基金持股1744.6196万股，占总股本6.2% 、中盘入选理由：拓荆科技 2025-12-04收盘市值858.37亿元,全市场排名193 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、百元股入选理由：拓荆科技2025-12-04收盘价305.29元,全市场排名第13 、融资融券入选理由：拓荆科技 2025年12月4日融资净买入-2832.00万元,当前融资余额:93901.25万元。

◆控盘情况◆

	2025-09-30	2025-06-30	2025-03-31	2024-12-31

股东人数 (户)	25220	14132	14827	14235
人均持流通股(股)	11091.6	19794.0	10470.7	10807.2
人均持流通股 (去十大流通股东)	5424.1	9255.4	6471.0	6548.8

点评:

2025年三季报披露，前十大股东持有14298.67万股，较上期减少755.57万股，占总股本比50.85%，主力控盘强度较高。
截止2025年三季报合计193家机构，持有16376.55万股，占流通股比58.54%；其中176家公募基金，合计持有4091.11万股，占流通股比14.63%。
股东户数25220户，上期为14132户，变动幅度为78.4602%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

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【高端半导体专用设备制造商】公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。
更新时间：2025-11-28 09:08:02

【拟定增募资不超46亿元】2025年11月，调整后，公司拟向不超过35名投资者发行不超过84,349,179股（含本数），募集资金总额不超过人民币460,000.00万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目、补充流动资金。公司将通过本次募集资金投资项目扩大高端半导体设备产能，抓住行业高速发展机遇。公司将通过本次募集资金投资项目战略布局薄膜沉积设备领域的前沿核心技术，开发可适用于前沿技术领域的新产品、新工艺，并将基于公司技术积累，对薄膜沉积设备进行进一步创新，提升产品工艺覆盖面与智能化水平，优化公司产品的各项性能指标，强化公司在薄膜沉积设备领域的产品优势。
更新时间：2025-11-28 09:08:01

【PECVD 产品】公司PECVD设备作为主打产品，已实现全系列PECVD薄膜材料的覆盖，并持续保持竞争优势，获得批量订单和批量验收，广泛应用于国内集成电路制造产线，为客户提供高性能的介质薄膜材料。公司首台PECVDLokⅡ工艺设备、ADCII工艺设备通过验收，实现了产业化应用。公司研制并推出了新型PECVD反应腔（pX和Supra-D），采用新型反应腔配置的LoKⅡ、ACHM、SiH4、TEOS等薄膜工艺设备均已出货至客户端验证，可以实现更严格的薄膜工艺指标要求，满足芯片技术日益严苛的工艺需求。此外，公司拓展了新型功率器件领域，开发并推出了用于SiC器件制造中的SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜工艺PECVD设备。2023年，首台TEOS设备通过了客户端的验证，实现了产业化应用，并获得了重复订单。公司推出的PECVD（NF-300H）型号设备已实现产业化应用，可以沉积ThickTEOS等介质材料薄膜。
更新时间：2025-11-05 13:24:36

【混合键合系列产品】公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（WafertoWaferBonding）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（DietoWaferBondingPreparationandActivation）产品。公司首台晶圆对晶圆键合产品Dione300顺利通过客户验证，并获得复购订单，复购的设备再次通过验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的混合键合设备，目前该设备的性能和产能指标均已达到国际领先水平。此外，公司推出的芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品Propus发货至客户端验证，并在当年即通过客户端验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的同类型产品。
更新时间：2025-10-13 15:56:36

【HDPCVD 系列产品】公司首台HDPCVD设备（沉积USG薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用,并持续获得客户订单，出货至不同应用领域的不同客户端进行产业化验证，可以沉积SiO2、USG、FSG、PSG等介质材料薄膜。截至2023年末，公司HDPCVD产品已累计出货超过40个反应腔。
更新时间：2025-10-13 15:56:32

【SACVD 系列产品】SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。公司SACVD产品持续提升产品竞争力，新推出了等离子体处理优化的SAF薄膜工艺应用设备并出货至客户端验证，进展顺利。截至本报告期末，公司可实现SATEOS、SAILD、BPSG、SAF薄膜工艺沉积的SACVD设备在国内集成电路制造产线的量产规模逐步提升。
更新时间：2025-10-13 15:56:24

【ALD 系列产品】公司PE-ALD设备已实现了产业化应用，可以沉积高温、低温、高质量等多种指标要求的SiO2、SiN等介质薄膜材料，在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中有广泛的应用，以实现更小图形化以及特定的隔离功能。公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，获得了原有客户及新客户订单，并出货至不同客户端进行验证，部分工艺再次获得客户重复订单，持续扩大量产应用；首台PE-ALD（NF300HAstra）设备（沉积SiO2薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用，该设备主要应用于沉积较厚的PE-ALD薄膜，具有高产能和低成本的优势。公司首台Thermal-ALD（TS-300Altair）设备通过客户验证，取得了突破性进展。该设备为集成工艺设备，可以在同一台设备中沉积Thermal-ALD金属化合物薄膜及PECVDADCⅡ薄膜。此外，公司持续拓展Thermal-ALD薄膜工艺，开发并推出了多款新工艺机型，获得了原有客户及新客户订单，持续扩大薄膜材料覆盖面。
更新时间：2025-10-13 15:56:20

【UV Cure产品】公司UVCure设备与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。2023年，公司首台UVCure（LokⅡ工艺）设备通过客户端验收，实现产业化应用。截至本报告期末，公司UVCure（HTN、LokⅡ工艺）均已实现产业化应用，并持续获得客户的订单、出货至客户端验证，不断扩大量产应用规模。
更新时间：2025-10-13 15:56:05

【大基金持股】截至2023年末，国家集成电路基金持有公司19.76%的股份；另外，中微公司持有公司7.37%的股份，中微公司的主营业务为专用设备制造业，目前主营产品为刻蚀机、MOCVD等半导体设备。
更新时间：2024-06-27 14:34:12

【客户情况】公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。目前，全球半导体薄膜沉积设备市场由应用材料、泛林半导体、东京电子、先晶半导体等海外公司占据主导地位。
更新时间：2024-06-27 14:34:10

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2023-04-14 披露原因:连续三个交易日内，涨幅偏离值累计达30%的证券

当日成交量(万手):3.84 当日成交额(万元):152330.19 成交回报净买入额（万元）:37899.39

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
机构专用	31760.64	0
机构专用	11744.48	0
机构专用	11450.05	0
国泰君安证券股份有限公司总部	7364.09	4813.39
机构专用	7025.78	0
买入总计: 69345.04 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
机构专用	0	8161.66
机构专用	0	7626.44
机构专用	0	5948.63
摩根大通证券（中国）有限公司上海银城中路证券营业部	0	4895.53
国泰君安证券股份有限公司总部	7364.09	4813.39
卖出总计: 31445.65 万元

交易日期:2023-04-14 披露原因:涨幅达15%的证券

当日成交量(万手):3.84 当日成交额(万元):152330.19 成交回报净买入额（万元）:25045.05

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
机构专用	29410.17	0
国泰君安证券股份有限公司总部	6081.93	0
机构专用	5388.46	0
中信证券股份有限公司张家港人民中路证券营业部	3784.63	0
机构专用	3570.67	0
买入总计: 48235.86 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
机构专用	0	7626.44
机构专用	0	5948.63
广发证券股份有限公司广州临江大道证券营业部	0	3421.97
机构专用	0	3265.91
国泰君安证券股份有限公司北京通州新华西街证券营业部	0	2927.86
卖出总计: 23190.81 万元

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证监会行业：行业：	制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业专用设备入选理由：2025年11月，调整后，公司拟向不超过35名投资者发行不超过84,349,179股（含本数），募集资金总额不超过人民币460,000.00万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目、补充流动资金。公司将通过本次募集资金投资项目扩大高端半导体设备产能，抓住行业高速发展机遇。公司将通过本次募集资金投资项目战略布局薄膜沉积设备领域的前沿核心技术，开发可适用于前沿技术领域的新产品、新工艺，并将基于公司技术积累，对薄膜沉积设备进行进一步创新，提升产品工艺覆盖面与智能化水平，优化公司产品的各项性能指标，强化公司在薄膜沉积设备领域的产品优势。	所属地域:	辽宁
主营业务：
题材概念:	集成电路入选理由：公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。、半导体入选理由：公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。、中芯国际概念入选理由：公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。目前，全球半导体薄膜沉积设备市场由应用材料、泛林半导体、东京电子、先晶半导体等海外公司占据主导地位。、大基金概念入选理由：截至2023年末，国家集成电路基金持有公司19.76%的股份；另外，中微公司持有公司7.37%的股份，中微公司的主营业务为专用设备制造业，目前主营产品为刻蚀机、MOCVD等半导体设备。、半导体设备入选理由：公司PECVD设备作为主打产品，已实现全系列PECVD薄膜材料的覆盖，并持续保持竞争优势，获得批量订单和批量验收，广泛应用于国内集成电路制造产线，为客户提供高性能的介质薄膜材料。公司首台PECVDLokⅡ工艺设备、ADCII工艺设备通过验收，实现了产业化应用。公司研制并推出了新型PECVD反应腔（pX和Supra-D），采用新型反应腔配置的LoKⅡ、ACHM、SiH4、TEOS等薄膜工艺设备均已出货至客户端验证，可以实现更严格的薄膜工艺指标要求，满足芯片技术日益严苛的工艺需求。此外，公司拓展了新型功率器件领域，开发并推出了用于SiC器件制造中的SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜工艺PECVD设备。2023年，首台TEOS设备通过了客户端的验证，实现了产业化应用，并获得了重复订单。公司推出的PECVD（NF-300H）型号设备已实现产业化应用，可以沉积ThickTEOS等介质材料薄膜。。
风格概念:	基金重仓入选理由：拓荆科技2025-10-31十大股东中基金持股1744.6196万股，占总股本6.2% 、中盘入选理由：拓荆科技 2025-12-04收盘市值858.37亿元,全市场排名193 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、百元股入选理由：拓荆科技2025-12-04收盘价305.29元,全市场排名第13 、融资融券入选理由：拓荆科技 2025年12月4日融资净买入-2832.00万元,当前融资余额:93901.25万元。

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