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锴威特(688693)股票综合信息查询

 
沪深个股板块DDE历史数据查询:    
 
◆最新指标 (2024年一季报)◆
每股收益(元)        :-0.2200
目前流通(万股)     :1762.86
每股净资产(元)      :13.6578
总 股 本(万股)     :7368.42
每股公积金(元)      :11.3416
营业收入(万元)     :2231.30
每股未分配利润(元)  :1.1595
营收同比(%)        :-63.54
每股经营现金流(元)  :-0.3259i
净利润(万元)       :-1595.10
净利率(%)           :-71.49
净利润同比(%)      :-229.22
毛利率(%)           :32.34
净资产收益率(%)    :-1.57
◆上期主要指标◆◇2023末期◇
每股收益(元)        :0.2900
扣非每股收益(元)  :0.1104
每股净资产(元)      :13.8743
扣非净利润(万元)  :813.79
每股公积金(元)      :11.3416
营收同比(%)       :-9.19
每股未分配利润(元)  :1.3760
净利润同比(%)     :-70.89
每股经营现金流(元)  :-0.4906
净资产收益率(%)   :3.12
毛利率(%)           :45.14
净利率(%)         :8.33
◆ 公司概要 ◆

证监会行业:

行业:

制造业->计算机、通信和其他电子设备制造业

电子设备

入选理由:公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品;在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外,在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。

所属
地域:

主营业务:
题材概念: 次新股
入选理由:公司上市日期为2023年8月18日,公司主营:功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。
融资融券
入选理由:公司是融资融券标的个股
半导体
入选理由:公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品;在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外,在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。
小米概念
入选理由:凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点,公司迅速在细分领域打开市场,产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域。在消费电子领域,公司的平面MOSFET产品主要向包括晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技在内的业内知名IC设计公司销售,产品已应用于包括小米、美的、昕诺飞等众多知名终端客户;在工业控制领域,公司的平面MOSFET已获上能电气、威胜集团等多家知名终端客户应用;在高可靠领域,公司的平面MOSFET已向公司A-1、公司E、单位H等客户形成销售,助力高可靠领域MOSFET产品的国产化替代。2021年,公司工业控制和高可靠领域的客户数量分别为81个和18个(以当年形成收入的口径统计);2022年,上述领域的客户数量分别增加至121个和75个。
第三代半导体
入选理由:在第三代半导体器件方面,公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD(肖特基势垒二极管),目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列,SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。SiC SBD是由金属和碳化硅材料接触形成的快速恢复肖特基二极管,与SiC MOSFET同属于功率器件。SiC MOSFET导通电阻小,开关损耗低,工作温度范围宽,阈值电压一致性好,可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主。
专精特新
入选理由:公司是国家高新技术企业、 国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位,公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。截至2023年7月13日,公司已积累了10项核心技术,获得71项授权专利(其中发明专利28项,实用新型专利43项,另有2项发明专利已获授予专利通知书,待取得专利证书)和53项集成电路布图设计专有权。
碳化硅
入选理由:在第三代半导体器件方面,公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD(肖特基势垒二极管),目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列,SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。SiC SBD是由金属和碳化硅材料接触形成的快速恢复肖特基二极管,与SiC MOSFET同属于功率器件。SiC MOSFET导通电阻小,开关损耗低,工作温度范围宽,阈值电压一致性好,可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主。
风格概念: 小盘
入选理由:按市场个股总市值从小到大排序,公司总市值排名在1500名内
微盘股
入选理由:每天盘后更新A股总市值排名后10%的上市公司,剔除掉ST板块和北交所的股票
◆控盘情况◆
 
2024-03-31
2023-12-31
2023-09-30
2023-08-18
股东人数    (户)
6373
12271
13369
20396
人均持流通股(股)
2766.1
1350.7
1230.2
806.3
人均持流通股
(去十大流通股东)
2481.4
1126.0
1035.1
678.3
点评:
2024年一季报披露,前十大股东持有5126.08万股,较上期无变化,占总股本比69.55%,主力控盘强度较高。
截止2024年一季报合计3家机构,持有33.87万股,占流通股比1.92%;其中1家公募基金,合计持有10.67万股,占流通股比0.61%。
股东户数6373户,上期为12271户,变动幅度为-48.0645%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同,在基金、上市公司报表披露期间,数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓,因此中报/年报统计更为准确。
◆概念题材◆

点击下列板块名称,查看个股与板块相关性


【功率半导体】公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品;在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外,在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。
更新时间:2023-12-21 11:10:22
【专精特新】公司是国家高新技术企业、 国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位,公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。截至2023年7月13日,公司已积累了10项核心技术,获得71项授权专利(其中发明专利28项,实用新型专利43项,另有2项发明专利已获授予专利通知书,待取得专利证书)和53项集成电路布图设计专有权。
更新时间:2023-10-25 14:59:44
【客户情况】凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点,公司迅速在细分领域打开市场,产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域。在消费电子领域,公司的平面MOSFET产品主要向包括晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技在内的业内知名IC设计公司销售,产品已应用于包括小米、美的、昕诺飞等众多知名终端客户;在工业控制领域,公司的平面MOSFET已获上能电气、威胜集团等多家知名终端客户应用;在高可靠领域,公司的平面MOSFET已向公司A-1、公司E、单位H等客户形成销售,助力高可靠领域MOSFET产品的国产化替代。2021年,公司工业控制和高可靠领域的客户数量分别为81个和18个(以当年形成收入的口径统计);2022年,上述领域的客户数量分别增加至121个和75个。
更新时间:2023-08-10 13:21:19
【SiC功率器件】在第三代半导体器件方面,公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD(肖特基势垒二极管),目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列,SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。SiC SBD是由金属和碳化硅材料接触形成的快速恢复肖特基二极管,与SiC MOSFET同属于功率器件。SiC MOSFET导通电阻小,开关损耗低,工作温度范围宽,阈值电压一致性好,可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主。
更新时间:2023-08-10 13:21:13
【平面MOSFET】公司的功率MOSFET产品专注于平面技术路线,采用纵向垂直结构,结合自主研发的新型复合终端结构及实现工艺技术,一方面可使终端表面的电场分布更加均匀,可有效降低终端Si-SiO2界面态以及可动离子的影响;另一方面可缩小终端尺寸,有效地减小芯片面积。通过与钝化层的合理配合,公司的平面MOSFET产品有效降低了高温漏电及持续开关动作后击穿电压的跌落,拥有突出的高温可靠性。公司的平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段,已形成较为齐全的产品系列,拥有近500款不同规格的产品。公司在平面MOSFET工艺平台的基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。该类产品具有低反向恢复电荷、反向恢复时间短的特性,形成近60款不同规格产品。公司超高压平面MOSFET最高耐压已达1700V。
更新时间:2023-07-31 14:16:34
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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2024-02-07 披露原因:连续三个交易日内,跌幅偏离值累计达30%的证券

当日成交量(万手):1.68 当日成交额(万元):3885.57 成交回报净买入额(万元):514.33

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
高盛(中国)证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部637.650
瑞银证券有限责任公司上海浦东新区花园石桥路第二证券营业部615.790
长城证券股份有限公司南京童卫路证券营业部562.130
中信证券股份有限公司上海分公司512.940
国泰君安证券股份有限公司总部406.780
买入总计: 2735.29 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
东北证券股份有限公司绍兴金柯桥大道证券营业部0506.92
高盛(中国)证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部0459.10
瑞银证券有限责任公司上海浦东新区花园石桥路第二证券营业部0448.48
光大证券股份有限公司证券投资部0405.76
华泰证券股份有限公司总部0400.70
卖出总计: 2220.96 万元

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