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◆最新指标 (2025年12月债转股后)◆

每股收益(元) :0.0252	目前流通(万股) :21309.27
每股净资产(元) :4.8814	总股本(万股) :21309.27
每股公积金(元) :2.7615	营业收入(万元) :98314.23
每股未分配利润(元) :1.1694	营收同比(%) :0.35
每股经营现金流(元) :0.1982i	净利润(万元) :536.55
净利率(%) :0.49	净利润同比(%) :32.78
毛利率(%) :17.38	净资产收益率(%) :0.50

◆上期主要指标◆

◇2025中期◇

每股收益(元) :0.0140	扣非每股收益(元) :-0.0009
每股净资产(元) :4.8560	扣非净利润(万元) :-18.39
每股公积金(元) :2.7315	营收同比(%) :6.86
每股未分配利润(元) :1.1593	净利润同比(%) :18.45
每股经营现金流(元) :-0.0031	净资产收益率(%) :0.28
毛利率(%) :15.79	净利率(%) :0.25

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：（1）光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品批量交付；（2）车规级280A-820A/750V灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景，公司相继成功开发了不同输流能力的灌封模块（280A-820A/750V），均已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段；（3）车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，产能实现翻倍升级，累计出货120万只，该塑封模块平台产品对公司2024年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力；（4）车规级1200VSiC自研模块正在研制中，对应的银烧结工艺已通过可靠性验证，为下一步车规模块产品的开发提供了坚实的技术平台；（5）1700V系列化产品：多款产品（75A-600A）完成开发，用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域，且产品已通过客户端认证，可批量供应市场；（6）不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已批量供货。	所属地域:	江苏
主营业务：
题材概念:	机器人概念入选理由：2024年12月16日公司在互动平台披露：公司部分IGBT模块产品已应用于机器人领域，但这部分业务在公司整体业务中的占比仍然较小。、太阳能入选理由：1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。、充电桩入选理由：公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），和家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。、新能源车入选理由：针对车用的750VM7i+EDT3芯片完成开发，已通过HV-H3TRB可靠性测试，最高结温可达185℃，目前已进入头部新能源车企认证阶段。公司正在积极拓展新能源汽车领域更高的市场份额。、半导体入选理由：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。、华为概念入选理由：2024年度，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源。在家用电器领域，公司与头部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。在新能源汽车领域，公司产品主要用于电控系统，主要客户有比亚迪、汇川、臻驱等；充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等。另，2024年3月19日，公司在互动平台表示，公司与华为在光伏、电动汽车、UPS、储能、充电桩等领域的产品保持密切的业务联系，华为是公司的重要合作伙伴。、芯片概念入选理由：1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。、 IGBT概念入选理由：1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。、第三代半导体入选理由：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。、逆变器入选理由：公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），和家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。、碳化硅入选理由：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。、比亚迪概念入选理由：2024年度，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源。在家用电器领域，公司与头部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。在新能源汽车领域，公司产品主要用于电控系统，主要客户有比亚迪、汇川、臻驱等；充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等。另，2024年3月19日，公司在互动平台表示，公司与华为在光伏、电动汽车、UPS、储能、充电桩等领域的产品保持密切的业务联系，华为是公司的重要合作伙伴。、 IDC电源入选理由：2024年3月27日公司在互动平台披露，目前，公司的产品已应用于UPS电源领域。随着人工智能技术的不断发展，对于算力基础设施的需求也在不断增加。国内算力供需缺口的扩大为公司提供了在算力基础设施建设方面提供产品和服务的机会。公司紧紧围绕战略规划目标，充分把握国家“数字经济”、“碳中和”等战略发展契机，未来，公司在UPS电源领域将不断追求产品的高性能、高效率、高可靠性、低功耗的客户需求，成为客户优选的器件供应商。。
风格概念:	中盘入选理由：宏微科技 2025-12-04收盘市值59.67亿元,全市场排名2860 、融资融券入选理由：宏微科技 2025年12月4日融资净买入5137.27万元,当前融资余额:42581.07万元。

◆控盘情况◆

	2025-09-30	2025-06-30	2025-03-31	2024-12-31

股东人数 (户)	12586	10920	10286	9822
流通A股股东总数	-	-	-	-
人均持流通股(股)	16930.1	19494.9	20696.5	21674.2

点评:

2025年三季报披露，前十大股东持有7951.67万股，较上期减少327.72万股，占总股本比37.31%，主力控盘强度一般。
截止2025年三季报合计8家机构，持有2630.26万股，占流通股比12.34%；其中2家公募基金，合计持有58.89万股，占流通股比0.28%。
股东户数12586户，上期为10920户，变动幅度为15.2564%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

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【国内功率半导体领军企业】公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），和家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。
更新时间：2025-10-24 13:36:05

【模块产品】（1）光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品批量交付；（2）车规级280A-820A/750V灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景，公司相继成功开发了不同输流能力的灌封模块（280A-820A/750V），均已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段；（3）车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，产能实现翻倍升级，累计出货120万只，该塑封模块平台产品对公司2024年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力；（4）车规级1200VSiC自研模块正在研制中，对应的银烧结工艺已通过可靠性验证，为下一步车规模块产品的开发提供了坚实的技术平台；（5）1700V系列化产品：多款产品（75A-600A）完成开发，用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域，且产品已通过客户端认证，可批量供应市场；（6）不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已批量供货。
更新时间：2025-10-24 13:36:04

【第三代半导体领域】SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。
更新时间：2025-07-11 15:16:55

【光伏应用的IGBT&FRD芯片】1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。
更新时间：2025-07-11 15:16:53

【客户资源】2024年度，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源。在家用电器领域，公司与头部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。在新能源汽车领域，公司产品主要用于电控系统，主要客户有比亚迪、汇川、臻驱等；充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等。另，2024年3月19日，公司在互动平台表示，公司与华为在光伏、电动汽车、UPS、储能、充电桩等领域的产品保持密切的业务联系，华为是公司的重要合作伙伴。
更新时间：2025-07-11 15:15:49

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2025-12-02 披露原因:涨幅达15%的证券

当日成交量(万手):33.55 当日成交额(万元):83290.64 成交回报净买入额（万元）:5359.69

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
摩根大通证券（中国）有限公司上海银城中路证券营业部	4637.88	0
高盛（中国）证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部	4127.25	0
瑞银证券有限责任公司上海花园石桥路证券营业部	3306.27	0
中信证券股份有限公司上海分公司	2955.07	0
国泰海通证券股份有限公司总部	2429.95	0
买入总计: 17456.42 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
高盛（中国）证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部	0	3362.18
招商证券股份有限公司深圳深南大道车公庙证券营业部	0	2427.83
国泰海通证券股份有限公司总部	0	2309.83
摩根大通证券（中国）有限公司上海银城中路证券营业部	0	2251.65
瑞银证券有限责任公司上海花园石桥路证券营业部	0	1745.24
卖出总计: 12096.73 万元

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证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：（1）光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品批量交付；（2）车规级280A-820A/750V灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景，公司相继成功开发了不同输流能力的灌封模块（280A-820A/750V），均已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段；（3）车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，产能实现翻倍升级，累计出货120万只，该塑封模块平台产品对公司2024年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力；（4）车规级1200VSiC自研模块正在研制中，对应的银烧结工艺已通过可靠性验证，为下一步车规模块产品的开发提供了坚实的技术平台；（5）1700V系列化产品：多款产品（75A-600A）完成开发，用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域，且产品已通过客户端认证，可批量供应市场；（6）不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已批量供货。	所属地域:	江苏
主营业务：
题材概念:	机器人概念入选理由：2024年12月16日公司在互动平台披露：公司部分IGBT模块产品已应用于机器人领域，但这部分业务在公司整体业务中的占比仍然较小。、太阳能入选理由：1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。、充电桩入选理由：公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），和家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。、新能源车入选理由：针对车用的750VM7i+EDT3芯片完成开发，已通过HV-H3TRB可靠性测试，最高结温可达185℃，目前已进入头部新能源车企认证阶段。公司正在积极拓展新能源汽车领域更高的市场份额。、半导体入选理由：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。、华为概念入选理由：2024年度，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源。在家用电器领域，公司与头部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。在新能源汽车领域，公司产品主要用于电控系统，主要客户有比亚迪、汇川、臻驱等；充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等。另，2024年3月19日，公司在互动平台表示，公司与华为在光伏、电动汽车、UPS、储能、充电桩等领域的产品保持密切的业务联系，华为是公司的重要合作伙伴。、芯片概念入选理由：1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。、 IGBT概念入选理由：1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。、第三代半导体入选理由：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。、逆变器入选理由：公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），和家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。、碳化硅入选理由：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。、比亚迪概念入选理由：2024年度，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源。在家用电器领域，公司与头部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。在新能源汽车领域，公司产品主要用于电控系统，主要客户有比亚迪、汇川、臻驱等；充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等。另，2024年3月19日，公司在互动平台表示，公司与华为在光伏、电动汽车、UPS、储能、充电桩等领域的产品保持密切的业务联系，华为是公司的重要合作伙伴。、 IDC电源入选理由：2024年3月27日公司在互动平台披露，目前，公司的产品已应用于UPS电源领域。随着人工智能技术的不断发展，对于算力基础设施的需求也在不断增加。国内算力供需缺口的扩大为公司提供了在算力基础设施建设方面提供产品和服务的机会。公司紧紧围绕战略规划目标，充分把握国家“数字经济”、“碳中和”等战略发展契机，未来，公司在UPS电源领域将不断追求产品的高性能、高效率、高可靠性、低功耗的客户需求，成为客户优选的器件供应商。。
风格概念:	中盘入选理由：宏微科技 2025-12-04收盘市值59.67亿元,全市场排名2860 、融资融券入选理由：宏微科技 2025年12月4日融资净买入5137.27万元,当前融资余额:42581.07万元。

宏微科技(688711)股票综合信息查询