氮化镓概念股龙头股&氮化镓板块成分股

充电类产品在公司2024年度营业收入占比领先，凭借其高效便捷的特性，能有效满足用户在多样化应用场景下对智能设备快速充电和持久续航的需求。该品类主要涵盖了移动电源、充电线、充电器、排插、车充等产品。2024年，公司推出了多款移动电源、新型排插、多种功率的氮化镓充电器、多合一无线充、大功率车充等创新产品，为公司的充电类产品线注入了新的增长动力。

2024年4月23日公司在互动平台披露：公司目前针对SiC器件结构和SiC材料等领域的研发已展现成效，陆续推出车规级的SiC器件和内置SiC电源芯片等产品，均适用于目前新能源汽车400v/800v电压等级应用。公司在功率器件方面技术积累较为深厚，已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC电源芯片；公司集成GaN产品已在充电应用上量产，智能GaN工业类应用已在推广中。

AC-DC芯片主要作用将市电等交流电压转换成低压供电子设备使用，并提供各类保护机制，防止电子设备因电路发生故障而损坏。公司具备诸多领先且具特色的技术。公司近年来于业内较早推出了高频SR系列同步整流产品。又如公司在业内较早推出了去纹波芯片，无供电电容、无补偿电容的集成开路保护LED驱动芯片等AC-DC产品，并在漏电保护、低待机功耗辅助供电等领域具有竞争优势。此外，公司还相继在国内率先推出了智能电表智能调压芯片、基于ACF（有源钳位）和AHB（不对称半桥）拓扑的高效率控制芯片的快充高频GaN控制和驱动器等，具备极强的竞争优势，获得了客户的高度认可。

公司致力于大功率充电器（65W）氮化镓控制器的研发，降低开关损耗，提高系统效率，达到大功率小体积充电器的最优性价比，与在研的氮化镓同步整流产品一起为客户提供大功率快充的氮化镓整体解决方案。

公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一，产品涵盖整个固态微波产品链，包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片，频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求，作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片，其性能则直接影响整机的各项关键指标，在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入，满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求，并布局行业性前瞻技术研究，保持公司产品先进性水平。

2024年3月11日，公司推出的驱动第三代半导体氮化镓器件的AC-DC芯片，为快充领域客户提供多样化产品品类及方案，产品性能和品质已获知名品牌客户认可。

根据下游应用领域和技术路径的不同，公司精密激光加工设备主要分为半导体领域激光加工设备、显示领域激光加工设备、新型电子领域激光加工设备及新能源领域激光加工设备。公司主要产品情况具体如下：①半导体领域激光加工设备：包括：（1）碳化硅、氮化镓等各类半导体晶圆的切割、划片；（2）LED/MiniLED晶圆切割、裂片；（3）MicroLED激光剥离、激光巨量转移；（4）集成电路传统封装及先进封装应用：如硅隐切、玻璃通孔（TGV）、激光开槽（low-k）、晶圆打标、模组钻孔（TMV）、激光解键合、辅助焊接等。

公司依托模型化设计平台以磁性元器件生产为基础，以电源产品同步开发为特色，形成了性能更可靠、质量更稳定、技术更先进的产品线，公司电源产品在氮化镓快充系列产品、无线充电器、模式二充电控制器、大功率电源等多个品类中形成了完整的产品族系列和迭代产品技术储备。公司电源类产品按照产品特性可分为电源适配器、充电器和定制电源，其中智能电源是定制电源产品系列中的技术含量高的产品。电源具体产品也包括：智能电源、氮化镓电源、电源适配器、裸板电源、LED电源、模块电源、医疗电源、工控电源、通信电源、光伏逆变电源、数字电源等多个系列。

公司已经正式发布具有自主专利技术的GaN HEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。公司650VGaN( 氮 化 镓 ) HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN HEMT产品有序开发中，其中40V产品已在客户端测试通过。650VCascode结构GaN HEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系列产品。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650VSBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700VSBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V电压档有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域正处于客户验证测试中。

公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2024年公司在碳化硅尤其是SiCMOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。2024年，公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》，负责氧化镓SBD器件制备，是公司在技术实力与行业影响力方面双重提升的重要里程碑。车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，建设了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥HPD模块16.8万只。

公司加强与以色列VisIC公司的协同整合，努力拓展车用高功率氮化镓技术，充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。积极推进公司的市场拓展、技术研发及全球化生产与投资布局，在新加坡成立国际化平台，一方面对公司海外子公司与项目的投资架构进行规划调整，另一方面布局拓展海外市场、研发与生产中心，从而积极打造公司海外业务中心、研发工程中心与投融资平台，以此为基础在周边东南亚国家布局生产与制造基地，以更好贴近海外客户需求，推进工艺创新与项目开发，保持行业持续领先地位。

2024年10月11日公司在互动平台披露，公司在集成电路设计领域主要专注于化合物半导体技术，采用砷化镓、氮化镓高性能工艺线，特点是高频率、高性能、高集成度；在软件设计方面，公司的波束控制软件完全自主设计，具备成熟的架构，能够实现快速响应，并在波束切换、收发切换等关键指标具备较优的性能。

公司5GMIMO基站微波射频功放塑封封装产品已于2020年大批量出货，2020年，公司基于5G基站的建立和高频化的技术要求，重点突破5G宏基站超大功率超高频异结构GaN功放塑封封装关键技术，目前已完成封装产线全线贯通和样品制造以及产品认证，处于小批量生产阶段，具备大批量生产能力。2023年，完成了客户新增6个型号的方案的验证，客户已在做相关可靠性和电性能验证，公司将持续跟进客户。

1）公司已开发完成1200V 23mohm~75mohm和750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。

2020年2月28日公司在互动平台披露，公司目前暂时没有生产或销售氮化镓充电器，但公司下属子公司有相关的研发和技术储备。

公司持有江苏民营投资控股有限公司5.21%的股权。另，2022年8月9日公司在互动平台披露，公司参股公司江苏民营投资控股有限公司通过旗下基金投资上海伟测半导体科技股份有限公司，上海伟测半导体科技股份有限公司IPO已于2022年5月26日获上交所科创板上市委审核通过。2021年12月2日公司在互动平台披露，江苏民营投资控股有限公司目前注册资本为100亿元，公司认缴金额为5亿元。苏民投及其相关控股企业投资的华绿生物、虹软科技、确成股份、上能电气等多家企业已成功上市。2020年9月公司在互动平台披露，公司参股子公司江苏民营投资控股有限公司参股了江苏能华微电子科技发展有限公司。

2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

2025年中报披露，安克史上最薄5000mAh Qi2磁吸充电宝Air2惊喜上市，这款产品做到了卡片级小巧便携，实现无感超薄的充电体验。2025年一季度，140W智能显示氮化镓（GaN）充电器在海外强势登陆，配备通用4口输出与实时功率智能显示系统，增强性能可视化与散热控制能力，已成为高端笔记本及多设备用户的重要辅助工具。

2023年9月5日公司在互动易平台披露：公司拥有各主流功率氮化镓充电器。

2022年8月31日公司互动易披露：公司主要是基于参股公司Saphlux研发的第三代半导体做LED的应用开发。2023年4月4日公司互动易披露：公司参股的Saphlux有半极性氮化镓材料。

2023年3月31日公司在互动平台披露，在第三代半导体领域，公司牵头筹建了广东省宽禁带半导体材料及器件创新中心并在2016年投资成立东莞南方半导体科技有限公司，现持有其4.67%股份，该参股公司主要承担国家第三代半导体产业南方基地、广东省第三代半导体材料及器件制造业创新中心建设任务。此外，公司也承担了2019年广东省科技厅第三代半导体重大专项中SiC功率器件应用技术研发及产业化课题，将第三代半导体氮化镓、碳化硅功率器件进行实际应用，逐步对公司现有产品的功率器件进行替代升级，实现更好效能。

2023年8月27日公司在互动平台披露，公司三代半产品主要分为氮化镓与碳化硅。目前氮化镓主要瞄准墙插快充、LED驱动市场，已在多家客户产品上得以应用，碳化硅主要瞄准充电桩、储能等领域，客户验证周期相对较长，目前出货量正稳步增长中。2022年9月1日公司在互动平台披露，第三代半导体是公司前瞻布局的重要方向之一，一方面，公司积极拓展第三代半导体新赛道，近期公司收购了专业从事半导体分立器件及集成电路研究、开发、生产、销售的风华芯电，以实现公司在半导体领域补链强链，提升自身实力巩固领先优势；另一方面，经过持续的技术创新和潜心研发，公司在第三代半导体领域已成功推出SiC功率分立器件、SiC功率模块和GaN器件三大类产品线路，可为市场提供高品质、高可靠性，多样化的半导体封测业务支持。目前，公司已建立三代半功率器件试产线，小批量产。

2025年1月13日公司在互动平台披露，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外，公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。

兆驰半导体是全行业唯一一家全年满产满销及扣非后较大幅度盈利的芯片厂。2023年内，垂直一体化协同策略持续深入，战略重心倾向高附加值产品，最终实现由“规模”向“规模＆价值”的高质量可持续发展。产能方面，氮化镓芯片扩产项目在2023年4月开始放量，于6月底已经实现产量100万片（4寸片），后续通过提升生产效率，截止12月底，氮化镓产量为105万片（4寸片），公司氮化镓芯片产能居行业第二，产销量居全行业第一；报告期内，砷化镓芯片产量为5万片（4寸片）。LED芯片的扩产为公司提升MiniRGB、MiniBLU、高端照明等高附加值市场份额提供源动力。2023年期间，公司量产MiniRGB芯片尺寸主要为04*08mil（100*200μm）、03*07mil（88*175μm）、03*06mil（70*160μm）、02*06mil（50*150μm），量产的芯片尺寸最终将到02*04mil（50*100μm）。截至目前，公司MiniRGB芯片单月出货量为10000KK组。2023年下半年，公司提升了应用在普通照明市场的LED芯片产品价格，并基于产能释放提升高附加值产品占比，如MiniRGB芯片、背光领域芯片、高毛利照明的产品结构占比。2023年期间，兆驰半导体成功进入三星供应链体系。

2022年3月29日公司在互动平台披露，公司的下属全资子公司久立投资通过湖州诚镓间接参股了晶湛半导体，参股比例较小，对本公司整体影响有限。苏州晶湛半导体官网披露，晶湛半导体致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上可供应300mm硅基氮化镓外延产品的先锋厂商，技术实力处于国际领军地位。

在信号适配器产品领域，公司拥有各类信号（包含HDMI、DP、USB-C）转换、分配、切换、矩阵、延长产品的技术开发能力，能够提供完整的信号类产品解决方案。公司拥有自主开发算法的能力，能够使用MCU开发USB-C的系列化产品。公司研究开发了系列化音视频矩阵产品，产品功能模块化，具备电源供电模块、信号接入模块、信号输出模块等，且产品可以通过应用程序实现远程控制。在电源产品领域，公司具备业界领先的电源类产品研发制造技术，已经形成PC电源/墙充/无线充/车载充电器/排插/移动电源/车载逆变器系列化产品，并率先推出了氮化镓（GaN）PD300W电源产品系列/PC钛金1300W系列产品。

公司从事化合物光电半导体材料的研发、生产和销售业务，主要产品为GaN基蓝绿光LED外延片、芯片，2025年公司主要产品将增加GaAs基红黄光LED外延片、芯片。公司产品位于LED产业链上游，技术门槛和附加值均较高，所生产的产品应用领域为照明、背光、显示，主要为通用照明、植物照明、车载照明、手机背光、车载背光、屏幕显示、可穿戴设备、医疗美容等中高端应用领域。公司在深耕GaN基蓝绿光芯片基础上，进军GaAs基红黄光芯片领域，完成从单色系到全色系的圆满蜕变。2025年，公司将继续秉承 “聚焦资源、做强主业”的发展战略，坚持“调结构、提性能、创效益、铸品牌”的经营策略，稳健经营，坚定信心，踔厉奋发，勇毅前行，深耕LED外延片、芯片主业。

2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

2023年报披露，公司主要研发项目包括低硅低氧TMA项目，项目目的：实现低硅低氧三甲基铝的研发和产业化，为第三代半导体AlGaN、AlN等外延片的生长提供核心原材料，服务于新能源汽车车载快充、5G射频功率放大器、紫外杀毒、手机快充和特高压输电等领域。项目进展：量产供应。

公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

2025年9月19日公司在互动平台披露，砷化镓信道类MMIC已基本铺齐，实现自主可控，可持续批量供货。同时可以根据用户需求开展定制化多功能芯片开发，目前已有成功开发案例，并已进入批产阶段。氮化镓芯片方面，已开发用于机载平台、弹载平台的功放芯片、驱放芯片、开关芯片等，目前正在进行可靠性验证。

控股子公司铖昌科技作为T/R芯片研发和量产单位的民营企业代表之一，在技术及成本上具有双优势。2025年10月30日公司在互动平台披露，卫星互联网低轨卫星行业发展提速，随着卫星的批量发射和组网应用，该领域将成为铖昌科技营收新的增长点。铖昌科技保持在卫星地面终端领域的领先优势，与产业下游用户合作关系紧密，针对下一代低轨通信卫星以及地面配套设备新研发出多款产品。2025年7月15日公司在互动平台披露，铖昌科技主要向市场提供基于硅基、砷化镓、第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。2025年5月15日公司在互动平台披露，铖昌科技作为国内少数能够提供相控阵T/R芯片完整解决方案的企业，目前产品已批量应用于探测、遥感、通信、导航等多个领域。2024年4月8日公司在互动平台披露，铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

2023年11月27日公司在互动平台披露，公司参股企业江苏能华微电子科技发展有限公司主营业务为设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件。

公司从集成电路芯片设计企业完成了向综合性的半导体产品供应商的转变，在特色工艺平台和在半导体大框架下，形成了多个技术门类的半导体产品，比如多个技术门类的模拟电路、多个技术门类的功率半导体芯片、智能功率模块（IPM）、汽车级和工业级大功率模块(PIM)、化合物半导体器件（LED芯片、SiC、GaN功率器件）、MEMS传感器等。这些产品已经可以协同、成套进入整机应用系统，市场前景广阔。

湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。