第三代半导体概念股龙头股&第三代半导体板块成分股

2025年11月24日公司在互动平台披露，公司子公司华宇华源主要从事第三代半导体氮化镓（GaN）芯片封装业务，采用PLP封装工艺，主要应用于电源领域。目前华宇华源正积极与北美知名GaN功率半导体公司合作，研发电源模块GaN功率半导体芯片封装。若研发成功，有望应用于AI服务器电源。

2024年12月26日公司在互动平台披露：公司在半导体分立器件领域聚焦第三代半导体碳化硅设备，通过产品技术支持产业的发展。目前形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于SiC基半导体器件生产工艺；公司LPCVD设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。

公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。面向8英寸碳化硅衬底的长晶技术做了方向调整并优化研发的工艺路线，完成新设备（电阻式双温区长晶炉）的调试并投入使用。碳化硅粉料已获得权威第三方检测证明已完全符合相关标准和工艺需求，目前已批次投入使用。

公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等800余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；超结MOSFET已完成600~850V产品系列化；SGTMOS已建立40V~100V产品平台；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。

公司目前拥有完整的半导体封装测试技术，在金属基板封装、功率器件封装、半导体/IC测试、超薄芯片封装、高可靠焊接、高密度框架封装、应用于半导体封装的机器人自动化生产系统、全集成锂电保护IC、SIP系统级封装等多方面拥有核心技术。公司致力于车规级功率器件、芯片级封装及宽禁带半导体器件等对先进封装工艺攻关研究，为公司的功率型器件如SiC、GaN等第三代半导体及汽车电子的发展储备先进的工艺技术基础。

公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

2022年3月，公司拟与北京创镓半导体材料科技合伙企业（有限合伙）共同出资设立观想新芯材料科技有限公司，观想新芯注册资本为10,000万元人民币，其中公司拟占股51%，北京创镓拟占股49%。控股子公司将充分利用公司在装备全寿命周期健康管理、装备数字孪生及高性能传感器综合集成应用等新一代信息技术的优势，以及北京创镓在第三代半导体材料相关设备研制、工艺研发和检验检测等先进技术整合能力，共同实现第三代半导体材料的自主可控。

公司2023年1月20日在互动平台上披露：公司所属全资子公司西安西电电力系统有限公司，持有陕西半导体先导技术中心有限公司36%股权。2019年，为促进电力电子业务发展，经公司批准，同意由西电电力系统与陕西西安电子科大资产经营有限公司、西安高新产业投资有限公司和自然人共同出资设立陕西半导体先导技术中心有限公司。该公司注册资本5000万元，其中，西电电力系统出资2250万元，持股45%。

公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

2022年8月1日公司在互动平台披露，公司具备封测第三代半导体产品的能力，并已开展相关业务。2023年3月2日公司在互动平台披露，公司2022年已为国际知名汽车电子客户开发的第三代半导体碳化硅产品，具备无铅化、耐高压、高功率等优势，应用于客户新能源车载逆变器等领域，在国内首家通过客户考核并进入量产。

公司的QT-8400系列测试平台，主要用于IGBT及第三代半导体碳化硅和氮化镓功率器件和晶圆测试、车规类碳化硅KGD测试及功率模块的全性能测试，能够满足电动汽车、新能源等工业领域日益增长的测试需求和新的应用场景。目前，该测试平台市场推广效果良好，已在下游客户通过认证并实现批量销售。

公司数控磨床主要分为数控端面磨床（含双面磨床和单面磨床）、数控凸轮轴磨床、数控气门磨床、外圆磨床、复合磨床系列产品及其他磨床。数控端面磨床中数控双端面磨床可对各种外形的金属、非金属薄型精密零件（如手机中框、玻璃、陶瓷、蓝宝石、碳化硅、轴承 、活塞环、垫片、阀片等）上、下两平行端面同时磨削；数控单面磨床适用于金属零件及玻璃、蓝宝石、陶瓷、碳化硅等硬脆材料零件的单面高精度磨削减薄。数控凸轮轴磨床主要用于对汽车发动机、内燃机凸轮轴的凸轮轮廓进行精密磨削。数控气门磨床主要用于对气门盘外圆、锥面和盘平面倒角等外形面的磨削。外圆磨床可对蓝宝石、碳化硅等晶锭外圆磨削。复合磨床可对大型轴承、液压阀套、液压缸体、精密齿轮、阀门等具有高精度及表面质量要求的产品进行加工，可用于国内装备制造业、机械加工业、航空航天等多个领域。2024年内，公司主要销售的磨床为YHDM580B高精度立式双端面磨床、YHM450D数控立式单面磨床、YHDM750A高精度数控立式双端面磨床、YHJMK28160高精度数控立式复合磨床等。

在第三代半导体领域，长飞先进半导体位于武汉的生产基地主体建筑结构已在二零二四年六月封顶，目前已进入设备安装调试阶段，预计于二零二五年四月底实现量产通线，达产后每年可生产36万片6英寸碳化硅晶圆，可满足约144万辆新能源汽车的制造需求，产能国内领先。而在产品开发进度方面，该公司碳化硅MOSFET产品于二零二五年二月通过AEC-Q101车规认证，比导通电阻（Ronsp）及栅极电荷（Qg）均达到国内领先水平，具备极低的开关损耗和导通损耗，可显著提升逆变器及其他应用终端的性能，为后续车规级产品的市场拓展奠定了坚实的基础。

2024年上半年，公司通过嘉兴临澜股权投资合伙企业（有限合伙）间接持有安徽长飞先进半导体有限公司509.7821万股，2023年末持股比例占长飞先进总股本的1.7239%。长飞先进年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地正式迎来主体结构封顶，项目的顺利封顶标志着长飞先进三大基地——芜湖基地、上海技术中心、武汉基地布局初步形成。

公司把第三代半导体和先进封装作为主要的发展方向，围绕先进封装、功率器件、射频器件、MEMS传感器、光模块等下游产品应用，优化激光直写光刻、湿法制程、光学检测等成熟工艺，突破干法制程、电子显微检测、等离子束修补等较为先进的制造工艺，进一步扩大180nm/150nm节点及以下产品的产能占比，不断壮大在先进封装、信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车、近眼显示等可穿戴显示器件等领域的客户群体。通过投资建设路芯半导体130-28nm半导体掩膜版项目，公司半导体掩膜版制程节点布局居于国内厂商前列；该项目投产后，产品将覆盖MCU（微控制芯片），SiPh(硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器），BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管），DDIC（显示驱动芯片），MS/RF（混合射频信号），Embd.NVM（嵌入式非易失存储器），NOR/NANDFlash（非易失闪存）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。

公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一，产品涵盖整个固态微波产品链，包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片，频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求，作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片，其性能则直接影响整机的各项关键指标，在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入，满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求，并布局行业性前瞻技术研究，保持公司产品先进性水平。

2024年3月11日，公司推出的驱动第三代半导体氮化镓器件的AC-DC芯片，为快充领域客户提供多样化产品品类及方案，产品性能和品质已获知名品牌客户认可。

在功率及能源应用领域，公司与头部用户紧密合作，持续投入资源和技术创新。公司扩大第三代半导体功率器件及模块产能，不断拓展TOLL、TO263-7、TO247-4开尔文封装形式，开发底部、顶部和双面散热等新型散热结构，应用银烧结和DBC等先进工艺。公司聚焦垂直供电模块VCORE，其通过垂直集成技术极大提升功率密度和热管理效率，减少电能损耗，在AIGC服务器电源中炙手可热。公司已在VCORE模块的封装材料、结构、热管理、制造工艺以及技术服务等方面积累了丰富经验。

2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。

公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

公司控股子公司，上海埃延半导体有限公司。埃延半导体致力于大硅片及第三代半导体材料衬底外延设备的生产制造以及衬底材料的研发。公司2023年年报披露：由于受到2022年外部环境及供应链失常的影响，上海埃延出货计划延迟，研发团队首台Demo样机于2022年底装机完成。2023年内，研发团队完成多次内部调试、系统测试。2023年6月，上海埃延生产的首台半导体材料衬底外延设备在上海临港基地下线，标志着公高温气相沉积设备研制在境内技术路径升级和零部件供应链整合完成，进入客户对设备的验证阶段。

公司已经正式发布具有自主专利技术的GaN HEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。公司650VGaN( 氮 化 镓 ) HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN HEMT产品有序开发中，其中40V产品已在客户端测试通过。650VCascode结构GaN HEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系列产品。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650VSBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700VSBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V电压档有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域正处于客户验证测试中。

公司加强与以色列VisIC公司的协同整合，努力拓展车用高功率氮化镓技术，充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。积极推进公司的市场拓展、技术研发及全球化生产与投资布局，在新加坡成立国际化平台，一方面对公司海外子公司与项目的投资架构进行规划调整，另一方面布局拓展海外市场、研发与生产中心，从而积极打造公司海外业务中心、研发工程中心与投融资平台，以此为基础在周边东南亚国家布局生产与制造基地，以更好贴近海外客户需求，推进工艺创新与项目开发，保持行业持续领先地位。

产品技术在多个创新领域有重大突破，技术水平进入全球第一梯队行列。整合并优化了化合物晶圆通用的铜柱工艺、开发了超突变结变容二极管工艺、超低噪声0.13μmpHEMT工艺、低轨卫星用射频芯片等新工艺和新器件。射频芯片产品开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。开发了二维可寻址VCSEL工艺技术，配合客户打通瞬时功率超万瓦的VCSEL阵列芯片，能充分适应车载雷达的技术指标需求，将是国内首个进入量产的大功率VCSEL技术，成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达VCSEL芯片的制造厂商。碳化硅基氮化镓芯片的开发按计划节点顺利推进。在射频和激光领域，积极推进了近20项新技术的开发，并及时支撑客户超过400套研发版的流片验证和磨合，有效支撑客户量产流片。

在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2024年，IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，电网市场中标7条线，首次斩获海外柔直项目大批量订单，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2024年新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二，新能源发电市场IGBT模块出货量增长迅速，7.5代超精细沟槽栅产品效率和出流能力达到国际领先水平，半导体三期项目宜兴产线成功投产。传感器业务轨交领域市占率持续领先，首次斩获电网订单。

SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

2024年，公司的半导体业务持续显著增长，业务布局逐渐成熟。公司已连续多年向SHI公司批量供应碳化硅退火制程的紫外激光器，应用于硅基半导体检测制程的深紫外激光器和应用于FC-BGA先进封装的ABF载板超精密钻孔设备已完成送样或接受客户打样，新立项的“高功率薄片超快激光器关键技术与产业化”项目正在有序开展。

晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备，通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺，在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体，广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度，确保晶体结构完整和低缺陷密度，从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级，晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代，支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。公司主要批量销售的晶体生长设备包括：电阻式SiC长晶炉、感应式SiC长晶炉、液相法碳化硅长晶炉、单晶硅生长炉。

2023年4月13日，公司在投资者关系活动记录表中披露，作为国内为数不多的提供全链条解决方案的能源互联网服务商，威胜信息围绕数字电网，在应用层、网络层、感知层都有相关的技术研发，在应用层布局人工智能与源网荷储一体化技术，在网络层布局边缘计算、第五代HPLC芯片技术，在感知层布局智慧感知、第三代半导体技术。另，2021年6月23日中国证券报讯，威胜信息6月23日与湖南三安、北京智芯签订了《碳化硅全产业链关键技术研究及产业化联合实验室共建意向书》，三方拟共建碳化硅联合实验室，拓展“芯”赛道。据介绍，联合实验室将围绕电力、轨道交通、汽车电子等关键领域，开展碳化硅MOSFET应用特性、碳化硅MOSFET芯片及工艺、驱动芯片研究；开展大功率直流电源模块、超级充电桩及源网荷储相关装置等技术研究及应用试点示范，并联合申报碳化硅功率模块科技项目，适时申报和创建国家创新中心。

目前公司已量产250nm工艺节点的6英寸和8英寸半导体芯片用掩膜版，主要应用在IGBT、MOSFET、碳化硅和MEMS等半导体芯片领域。公司将抓住半导体芯片掩膜版国产替代机遇，在重点客户拓展方面取得突破，250nm产品批量交付多家客户；建立了180nm工艺测试平台，180nm产品通过国内重点客户的认证。公司的半导体芯片掩膜版业务收入持续增长。深圳工厂引进的半导体芯片用掩膜版光刻机已量产，在2023年第一季度，配套的检测设备已经投产，而清洗设备亦已进场，目前正在安装调试，预计相关设备投产后将进一步提升半导体芯片用掩膜版等产品的产能，以更好地满足集成电路凸块（ICBumping）、集成电路代工（ICFoundry）、集成电路载板（ICSubstrate）、MinLED芯片、MicroLED芯片、微机电（MEMS）等市场的需求。

公司高端粉末冶金材料及制品产业主要包括难熔钨钼精深加工制品、特种雾化制粉、超硬材料及工具、金属注射成型等业务，主要服务于航空航天、核电、高端医疗器械、第三代半导体及泛半导体、新能源汽车及消费电子等应用领域；先进功能材料及器件产业主要包括稀土永磁材料及其制品、非晶纳米晶材料及器件、精密合金及带材，广泛应用于AI、智能制造、电子信息、新能源汽车、光伏、家电及轨道交通行业等领域；高速工具钢产业主要为切削刀具、量具、模具和耐磨工具等制造提供高品质高速钢材料，包括高性能传统高速钢、粉末高速钢以及喷射高速钢。节能环保及装备材料产业是以先进金属过滤材料为核心形成的成套过滤净化材料、装置装备及解决方案，主要服务于航空航天、石化、煤化、生物化工等行业及氢能、光伏、核电等清洁能源领域。

2021年12月7日公司在互动平台披露，公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入，目前已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功推向市场。可以驱动GaN功率管应用到大功率高效率的电源变换器上的LLC变换器主控芯片正在研发中。公司快充芯片已经占据较大市场份额。

2021年6月17日公司在互动平台披露，公司是福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）的有限合伙人，认购有限合伙份额2500万元人民币，占紫荆资本认缴出资额的2.27%，截至目前实缴份额2500万元人民币。福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）主要投资领域包括节能环保、先进制造、医疗健康等领域，并通过湖南华业天成创业投资合伙企业（有限合伙）间接持有英诺赛科（苏州）半导体有限公司的股权。

2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

公司专注于研发、制造、销售半导体后道工序的封装测试设备。公司抓紧在手项目的落地，加快半导体设备领域的产品突破和产业化进程，已完成高精度显示芯片倒装键合机、高速共晶固晶机、软焊料固晶机、AOI检测、MiniLED芯片分选机、MiniLED贴膜机、引线框架贴膜和检测设备的研发，并形成销售订单。在半导体材料的细分领域，引线框架生产检测设备上也有布局，已批量交付引线框架贴膜机、引线框架AOI检测机等。公司也在积极调研和拓展倒装封装、系统级封装、面板级封装、晶圆级封装、2.5D/3D封装等先进封装制程和第三代半导体相关高端装备。

碳化硅能够为新能源汽车提供能源转换率更高、体积更小、重量更轻的电机控制器，从而降低整车重量并降低能耗。在电力电子朝着高效高功率密度发展的方向上前进时，器件的低杂散参数、高温封装以及多功能集成封装起着关键性作用。通过减小高频开关电流回路的面积实现低杂散电感是碳化硅封装的一种技术发展趋势。2023年，公司立项了“第三代功率半导体碳化硅芯片塑封封装研发项目”，开发出了基于工业标准TO-247封装的SiCMOSFET器件封装平台和封装技术。

公司专注于核心技术的积累与新产品的开发，扎实推进多个研发项目，取得了从芯片设计（6英寸平面芯片、RFID芯片、HVIC芯片、LVIC芯片、外延FRD、高压TVS等）到新封装开发（CLIPPDFN、DFN8080、DFN3333、倒装LED封装等）、从质量等级提升（消除封装分层、提升车规级可靠性能力）到集成器件开发（RFID、IPM）、从传统半导体器件到第三代功率器件（SiC、GaN）等成果的实现，不断提升公司的技术创新能力。公司在保持和提升在传统领域的优势的同时，紧跟市场方向，积极拓展汽车电子、清洁能源、安防、5G通讯、物联网、人工智能等新兴市场，抓住需求增长的机遇，全力推进替代进口战略，加快渗透，扩大对下游优质客户的覆盖，为公司未来的快速发展奠定坚实基础。

公司产品正硅酸乙酯作主要用于化学气相沉积法（简称LPCVD）构建半导体衬底表面的二氧化硅绝缘层，是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料之一。

2023年9月5日公司在互动易平台披露：公司拥有各主流功率氮化镓充电器。

公司成立至今，一直坚持在产品技术创新和研发方面保持高强度的投入，从刚开始的模拟，到数模混合，再到如今的以氮化镓和碳化硅为代表的第三代化合物领域，公司均掌握了相关测试的核心技术，并且已经应用在测设设备上实现批量销售。同时也建立了一套行之有效的研发体系，具备长期持续的研发投入能力。

公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

公司致力于为下游晶圆厂客户提供整套的一站式CMP核心材料及服务，持续提升系统化的CMP环节产品支持能力、技术服务能力、整体方案解决能力，努力成为国内首家也是唯一一家集成电路CMP环节全产品综合性方案提供商。CMP抛光材料是集成电路制造中至关重要的半导体材料，根据SEMI数据，CMP抛光材料在集成电路制造材料成本中占比7%。目前，在CMP抛光垫产品方面，公司是国内唯一一家全面掌握CMP抛光垫全流程核心研发技术和生产工艺的CMP抛光垫供应商，确立CMP抛光垫国产供应龙头地位，相关子公司--鼎汇微电子是国家级专精特新小巨人企业，产品深度渗透国内主流晶圆厂客户，成为部分客户的第一供应商，被多家晶圆厂核心客户评为优秀供应商；在CMP抛光液产品方面，公司全面开展全制程CMP抛光液产品布局，搭配自主研磨粒子在客户端持续推广、导入，逐步形成规模销售；在清洗液产品方面，公司铜制程CMP后清洗液持续稳定获得订单，其他制程抛光后清洗液产品结合整体业务战略安排进行开发验证，持续完善业务布局。

2023年11月13日日公司在互动平台披露，公司有第三代半导体产品的封测加工业务。2022年10月20日公司在互动平台披露，公司第三代半导体已实现小批量生产了。2021年2月7日公司在互动平台披露：公司第三代半导体产品主要为SIC产品。

2021年7月7日公司在互动平台披露：从公司战略发展来看，公司通过增资入股深圳镓华，后续将借助深圳镓华在氮化镓（GaN）功率器件领域的技术优势，并发挥公司在车联网领域积累的技术和资源，双方共同开拓氮化镓在车联网领域的应用。后续公司会根据公司战略方向、市场情况等多方面考察再评估是否需要继续加大对深圳镓华的投资比例。

2023年11月27日公司在互动平台披露，公司参股企业江苏能华微电子科技发展有限公司主营业务为设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件。

碳化硅产业链装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业。在蓝宝石产业链装备领域，公司开发了长晶、切片、研磨、抛光等系列设备，实现设备、工艺的高度融合，促进联合创新，提升公司蓝宝石材料领域的综合竞争力。

2025年11月4日公司在互动平台披露，公司目前代理的碳化硅产品覆盖MOSFET、MOS以及二极管等多个品类，同时，公司间接持股的芯片设计公司上海芯石，已获取碳化硅领域的IP，并成功开发出相关产品。

2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

公司持股14.32%的参股公司锴威特于2023年8月18日在科创板成功上市。该公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。在第三代半导体方面，该公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。

1）公司已开发完成1200V 23mohm~75mohm和750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。

公司持有江苏万邦微电子有限公司17.49%股权。万邦微电子官网披露，其是一家从事集成电路和模组的设计研发、测试和技术服务的国家级高新技术企业。自成立以来，公司一直致力于有源相控阵雷达用ASIC芯片的研制生产，为有源相控阵雷达天线阵面的T/R组件、雷达电源、波控板等部件配套国产自主可控的集成电路，在行业内具有领先地位。近年来公司不断推进集成电路产品的国产化进程，已成功研制和生产LDO、DC/DC、运放比较器等多款通用集成电路。2021年4月9日公司在互动平台披露，公司参股子公司江苏万邦微电子有限公司产品类型中部分硅芯片属于第三代半导体产业中的配套芯片。

2020年9月4日公司在互动平台披露，金刚线在晶体硅切割领域技术成熟，也得到了普遍的运用，对于同样属于超硬材料的碳化硅，氮化镓的切片来讲金刚线在技术上具有很高的可行性，公司也正在积极探索金刚石线在高价值硬脆材料切割领域的应用。

公司2022年8月22日在互动平台披露：公司湿法设备可覆盖晶圆制造各个工艺，可应用于第三代化合物半导体SIC碳化硅。截至目前国内几大头部碳化硅产品制造的客户已向公司订购SIC碳化硅相关湿法设备近40台。

2022年8月8日公司互动易披露：第三代半导体产业技术创新战略联盟成立于2015年，公司为发起单位之一，现为理事单位。公司中央研究院对第三代半导体部分基础材料应用进行研发，最终体现在公司的照明显示产品应用上。

公司生产的其他产品包括第三代半导体基板材料、碳化硅外延片、LCD用碳纤维复合材料部件等其他产品和对外提供的清洗、加工等服务。2023年报披露，公司控股子公司宁波江丰同芯的主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可，可广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。控股子公司晶丰芯驰生产的碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可，为我国碳化硅产业链的蓬勃发展注入新动能。

公司推出的半导体切片机及截断机已形成批量订单并占据行业领先地位，其中寸半导体切片机已经实现海外销售，并已推出12寸半导体切片机样机；碳化硅行业，公司推出的6寸及8寸碳化硅金刚线切片机已形成批量订单并实现大批量交付，助力碳化硅行业加速实现金刚线切割技术对砂浆切割的替代进程；蓝宝石行业，公司推出的蓝宝石切片机竞争优势明显，占据行业绝大部分市场份额，报告期内公司推出新品蓝宝石倒角机并已形成订单；磁材行业，公司推出的磁材设备竞争力持续提升，报告期内公司磁材设备实现海外销售，产品影响力持续提升。

2024年11月6日公司在互动易平台披露：截止2024年第三季度末，公司直接持有瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司1,258,302股股份，占其总股本比例0.3241%。瀚天天成是一家集研发、生产、销售碳化硅半导体外延晶片的国家级高新技术企业。公司可提供商业化3英寸、4英寸、6英寸和8英寸碳化硅外延晶片。

金刚石砂轮除了传统的用于磁性材料、蓝宝石、光学玻璃等加工的产品外，还包括专用于精密刀具加工的精密金刚石砂轮，和专用于包括第三代半导体碳化硅在内的半导体芯片加工过程中的减薄砂轮、倒角砂轮和CMP-Disk，以及封装过程中使用到的树脂软刀、金属软刀、电镀软刀、硬刀（划片刀）等。

公司持有江苏民营投资控股有限公司5.21%的股权。另，2022年8月9日公司在互动平台披露，公司参股公司江苏民营投资控股有限公司通过旗下基金投资上海伟测半导体科技股份有限公司，上海伟测半导体科技股份有限公司IPO已于2022年5月26日获上交所科创板上市委审核通过。2021年12月2日公司在互动平台披露，江苏民营投资控股有限公司目前注册资本为100亿元，公司认缴金额为5亿元。苏民投及其相关控股企业投资的华绿生物、虹软科技、确成股份、上能电气等多家企业已成功上市。2020年9月公司在互动平台披露，公司参股子公司江苏民营投资控股有限公司参股了江苏能华微电子科技发展有限公司。

该业务为高端装备的研发、生产和销售，主要产品包括光伏设备和半导体设备。光伏设备包括单晶硅生长炉、金刚线开方机、金刚线切片机等，主要用于生产光伏硅棒和硅片。半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。截至2024年12月末，乐山二期的单晶炉等核心生产设备已安装、调试完毕并达到预定可使用状态，公司高端装备生产的金刚石炉、半导体切片机等均已完成交付，钛单晶区熔炉等设备已完成基础研发工作，大尺寸碳化硅生长工艺也在持续提升中。

公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

在泛半导体领域，国内半导体行业正处于飞速发展时期，公司产品可以覆盖半导体产业除设计之外的全制程，经过多年持续努力，公司产品通过了美国排名前二的半导体应用设备厂商的认证并成为其一级供应商，填补了国内超高纯应用材料的空白，依托国家政策，在稳定超高纯应用材料产品品质的同时，对更多产品进行研发，覆盖于半导体制程设备和厂务端所需的真空系统和气体管路系统。在迎接半导体行业第三次浪潮向我国转移的关键时刻，公司积极配合泛半导体下游产商，如半导体芯片厂、LCD/LED面板厂、光伏太阳能厂等，从上游开始，关注半导体高洁净度、高精密化、高集成性的行业趋势，服务于本土化进程，最终实现国内半导体生产最终产品的自主化、国产化，提高我国半导体产业在全球的话语权和竞争力。

公司依托LED芯片在GaN材料与器件领域十几年的技术积累，拥有高水平的GaN器件开发团队、GaN器件工艺技术及研发阶段的设备基础。公司于2020年开始进入GaN电力电子器件领域，产品主要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备、云计算大数据服务器中心、通信及汽车应用等领域。2024年公司Fabless产品通过第三方广电计量JEDEC 1000hrs可靠性认证，满足消费类产品可靠性需求，且系统效率达业内一流水准。IDM技术路线实现突破，为2025年市场开拓奠定基础。

晶圆代工厂广芯微电子作为对公司构建长期护城河有重要影响力的核心战略资产，公司在2024年初启动对广芯微电子的控股收购，并于2025年1月初完成股权交易的主要交割事项，广芯微电子已成为上市公司控股子公司，纳入公司合并财务报表范围，公司也成为国内少数控股晶圆代工厂，并在产业链核心环节均实现自主可控的功率半导体企业。广芯微电子项目2023年底开始量产，2024年，产线处于量产爬坡阶段。目前，广芯微电子的产销量在快速提升中，生产的产品主要包括：MOS场效应二极管45-200V全系列共百余款产品已完成开发并批量生产；200-2,000V高压/超高压/特高压DMOS产品线多款产品已完成开发并批量生产；高压BCD产品正在进行验证。体系认证方面，广芯微电子已通过IATF16949汽车行业质量管理体系认证，标志着广芯微电子在质量管理方面符合国际标准，达到了汽车行业供应链的要求，广芯微电子已具备车规极产品生产能力，并开始小批量生产。

相控阵是公司新技术创新突破及未来发展的方向之一。公司技术团队结合第三代半导体材料的发展成果，自主研发了一种不同于传统T/R组件的新型相控阵产品，具有尺寸小、重量轻、免维护和低功耗的优点。基于以上优点，公司新型相控阵产品除了可运用于商用卫星领域，还可以应用于精确制导雷达、星载雷达及机载雷达等军事武器装备中，这将进一步扩展公司产品在军事领域中的应用，提高公司的行业地位。其他固态发射机产品公司技术除应用于雷达精确制导外，还广泛应用于卫星通信、电子对抗等领域。

2024年10月18日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。其生产的特种热工装备广泛应用于半导体材料生产领域，并围绕第三代半导体材料的关键技术难点进行攻关，具备为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材配套的能力。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiC MOSFET等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。2023年，公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器。公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。

公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长。2024年，公司半导体业务主要进行高规格6英寸和8英寸衬底的研发验证工作，小规模生产供货，导致营收下降，而在新工艺参数调试过程中，虽加严成本管控，亏损收窄，但毛利情况仍不理想。审慎起见，2024年度东尼半导体对其存货计提存货跌价损失约1.71亿元。

公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家，对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）总金额为14,615万元；2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前，公司对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）的公司达到42家，累计对外股权投资金额为5.37亿元，累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元，持续高效投资在获得业务协同的同时，投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业，其中部分企业已经取得非常好的进展，市场价值提升迅速。

碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售。公司已完成具有完全自主知识产权碳化硅晶体生长炉开发和定型工作，结合多年生长技术积淀，开发出晶体生长自动化控制软件，生长重复性高。公司根据晶体生长热力学、动力学及流体力学的基本原理，结合计算机辅助计算，设计并优化了晶体生长温场结构，晶体生长稳定性大幅提升。公司已研发出籽晶固定技术，晶体缺陷密度大幅降低，晶体质量稳步提高。2022年3月22日公司在互动易平台披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

公司主要从事开关电源的研发、生产、销售和技术服务，致力于为客户提供高品质、高性价比的LED驱动电源与消费类电子电源。公司作为国内较早上市的电源企业，已成为行业知名品牌，在LED驱动电源与消费电子类电源行业具备良好的口碑，与众多国内外知名品牌企业建立了长期稳定的合作关系。公司积极推动第三代半导体材料应用于电源产品，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）器件应用占比不断提升，推动产品性能与可靠性全面提升。目前公司光伏发电及储能业务仍处于初步发展阶段，市场整体影响力较小，但凭借国资背景及优秀核心经营团队的加持，顺应“双碳”潮流，把握光储充一体化趋势，强化储能业务的业务能力，力争实现市场影响力进一步扩大。

2022年8月31日公司互动易披露：公司主要是基于参股公司Saphlux研发的第三代半导体做LED的应用开发。2023年4月4日公司互动易披露：公司参股的Saphlux有半极性氮化镓材料。

2023年8月21日公司在互动平台披露，公司南昌基地的主营产品与聚灿光电类似，主要为氮化镓GaN照明芯片，厦门基地和扬州基地主营产品是氮化镓GaN、砷化镓GaAs显示屏芯片，如小间距、mini显示等。

2021年7月1日公司在互动平台披露，公司有基于氮化镓材料的封测业务。2021年2月有投资者提问：请问贵公司在碳基芯片半导体，也就是第三代有研发投入吗；2021年2月23日公司在互动平台回复：有。

2020年2月26日公司在互动平台披露，子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

2021年8月2日公司在互动平台披露，SiC、GaN等第三代半导体器件的应用有助于电源产品转换效率和功率密度的提升，因此公司在多款产品中应用了相关器件，推进产品转化效率的提升、减少能耗。2020年3月公司在互动平台披露：氮化镓功率器件相比传统硅基半导体能够带来低损耗和高开关频率，公司现阶段主要开展了氮化镓功率器件在超高效电源模块上的应用研究，目前已完成样机开发工作并实现小额销售。公司会根据市场发展情况，积极推进相关产品市场化工作。

控股子公司铖昌科技作为T/R芯片研发和量产单位的民营企业代表之一，在技术及成本上具有双优势。2025年10月30日公司在互动平台披露，卫星互联网低轨卫星行业发展提速，随着卫星的批量发射和组网应用，该领域将成为铖昌科技营收新的增长点。铖昌科技保持在卫星地面终端领域的领先优势，与产业下游用户合作关系紧密，针对下一代低轨通信卫星以及地面配套设备新研发出多款产品。2025年7月15日公司在互动平台披露，铖昌科技主要向市场提供基于硅基、砷化镓、第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。2025年5月15日公司在互动平台披露，铖昌科技作为国内少数能够提供相控阵T/R芯片完整解决方案的企业，目前产品已批量应用于探测、遥感、通信、导航等多个领域。2024年4月8日公司在互动平台披露，铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

兆驰半导体是全行业唯一一家全年满产满销及扣非后较大幅度盈利的芯片厂。2023年内，垂直一体化协同策略持续深入，战略重心倾向高附加值产品，最终实现由“规模”向“规模＆价值”的高质量可持续发展。产能方面，氮化镓芯片扩产项目在2023年4月开始放量，于6月底已经实现产量100万片（4寸片），后续通过提升生产效率，截止12月底，氮化镓产量为105万片（4寸片），公司氮化镓芯片产能居行业第二，产销量居全行业第一；报告期内，砷化镓芯片产量为5万片（4寸片）。LED芯片的扩产为公司提升MiniRGB、MiniBLU、高端照明等高附加值市场份额提供源动力。2023年期间，公司量产MiniRGB芯片尺寸主要为04*08mil（100*200μm）、03*07mil（88*175μm）、03*06mil（70*160μm）、02*06mil（50*150μm），量产的芯片尺寸最终将到02*04mil（50*100μm）。截至目前，公司MiniRGB芯片单月出货量为10000KK组。2023年下半年，公司提升了应用在普通照明市场的LED芯片产品价格，并基于产能释放提升高附加值产品占比，如MiniRGB芯片、背光领域芯片、高毛利照明的产品结构占比。2023年期间，兆驰半导体成功进入三星供应链体系。

2023年8月27日公司在互动平台披露，公司三代半产品主要分为氮化镓与碳化硅。目前氮化镓主要瞄准墙插快充、LED驱动市场，已在多家客户产品上得以应用，碳化硅主要瞄准充电桩、储能等领域，客户验证周期相对较长，目前出货量正稳步增长中。2022年9月1日公司在互动平台披露，第三代半导体是公司前瞻布局的重要方向之一，一方面，公司积极拓展第三代半导体新赛道，近期公司收购了专业从事半导体分立器件及集成电路研究、开发、生产、销售的风华芯电，以实现公司在半导体领域补链强链，提升自身实力巩固领先优势；另一方面，经过持续的技术创新和潜心研发，公司在第三代半导体领域已成功推出SiC功率分立器件、SiC功率模块和GaN器件三大类产品线路，可为市场提供高品质、高可靠性，多样化的半导体封测业务支持。目前，公司已建立三代半功率器件试产线，小批量产。

2022年10月，公司全资子公司平潭瑞旭与金研为政、季思谊、葛梦露、浙江钱塘江金研资产管理有限公司、陈勰签署了“合伙协议”。杭州金研器道股权投资合伙企业（有限合伙）全体合伙人的目标总认缴出资额为4,555万元人民币。平潭瑞旭作为有限合伙人以自有资金认购出资额2,000万元，占认缴出资比例的43.91%。杭州金研器道股权投资合伙企业（有限合伙）作为专项基金，投资国内具备先进核心技术和自主知识产权的高科技半导体及智能制造相关标的公司。

2022年内，公司间接持股的粤芯半导体完成B轮战略融资，用于粤芯三期项目建设，目前粤芯已完成股份制改造。另，2019年5月公司在互动平台上表示，粤芯半导体采购的是荷兰ASML的光刻机，已于2019年3月中旬搬进粤芯半导体主厂房，目前在做量产前的最后调试准备。光刻机等主设备的顺利进驻，为粤芯半导体量产计划提供了有力保障。2019年9月10日公司在互动平台披露：经了解，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目，情况属实。此建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。粤芯半导体项目是国内第一座以虚拟IDM (irtuallDM)为营运策略的12英寸芯片厂，是广州第一条12英寸芯片生产线，已列为广东省、广州市重点建设项目。产品包括模拟芯片、图像传感器、电源管理芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、工业控制、5G等应用的模拟芯片需求。

公司在二极管/晶体管、ESD和中低压MOSFET等传统产品线保持一向稳健的市场表现，为公司贡献了稳定的现金流，有力支撑了公司在中高压MOSFET、IGBT、GaN、SiC和更多的模拟IC产品的研发。在三代半领域，公司实现了GaN产品D-M系列产品工业和消费领域的销售，同时E-M产品通过所有测试认证，于2024年开始销售，奠定了安世在GaN领域的行业地位；公司实现了SiC整流管的工业消费级的量产和MOSFET的工业消费级的测试验证，为2024年SiC工业和消费的量产打下了坚实的基础，SiC MOSFET产品线的建立，让公司进入三代半1200V高压市场，拓展新的增长空间。公司去年开始建设的8寸SiC及GaN产线目前已完成设备进场；在模拟芯片产品中，公司围绕AI电源及车规应用两大核心应用场景，近期密集发布系列新产品，并加快客户认证导入；预计2025年底公司将实现超过200颗模拟芯片量产料号。

金博研究院持续开展技术攻关与产品开发，开发的超高纯软毡、高纯固化毡等新产品，已应用于硅基半导体和碳化硅半导体生长等高温热场系统；开发的高性能碳化钽涂层及其制备技术，可满足碳/碳复合材料、石墨等不同碳基材料基底的抗腐蚀涂层制备需求，可广泛应用于单晶硅、碳化硅等高纯晶体制造热场系统。金博研究院已完成第三代半导体碳化硅合成用超高纯碳粉、多款灰分5ppm以下超高纯碳/碳热场、超高纯软毡、硬毡等系列产品的研发与产业化，可广泛应用于半导体晶体生长的高温热场系统，相关产品已在多家碳化硅衬底制造厂商进行验证并应用。

2024年上半年，碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比保持快速增长。在碳化硅方面，SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成产品系列化，全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台产品。其中SiC MOS G2 Rsp水平达到国际领先品牌主流产品水平，SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先，得到客户的高度认可。车规级SiC MOS和SiC模块研发工作进展顺利，多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样，并配合主流车厂进行测试认证，实现批量供货。同时Trench结构的SiC产品研发工作正在快速推进，碳化硅产品品牌影响力进一步提升。公司持续开展氮化镓D-mode产品G2圆片及封装平台优化、产品系列化工作，产品覆盖手机快充应用以及1200W以下功率电源应用。G3平台多款产品已导入量产。氮化镓E-mode产品研发取得突破性进展，产品平台涵盖40V、100V、150V、650V，代表产品已进入可靠性评价及优化阶段。

2025年1月13日公司在互动平台披露，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外，公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。

公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2024年公司在碳化硅尤其是SiCMOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。2024年，公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》，负责氧化镓SBD器件制备，是公司在技术实力与行业影响力方面双重提升的重要里程碑。车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，建设了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥HPD模块16.8万只。

2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

2023年3月31日公司在互动平台披露，在第三代半导体领域，公司牵头筹建了广东省宽禁带半导体材料及器件创新中心并在2016年投资成立东莞南方半导体科技有限公司，现持有其4.67%股份，该参股公司主要承担国家第三代半导体产业南方基地、广东省第三代半导体材料及器件制造业创新中心建设任务。此外，公司也承担了2019年广东省科技厅第三代半导体重大专项中SiC功率器件应用技术研发及产业化课题，将第三代半导体氮化镓、碳化硅功率器件进行实际应用，逐步对公司现有产品的功率器件进行替代升级，实现更好效能。

公司紧跟国家发展战略，专注先进前驱体（包含MO源）、电子特气和光刻胶等三大核心电子材料的研发、生产和销售，产品广泛应用于集成电路、平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。凭借强大的研发创新实力、领先的生产技术、扎实的品质管理体系以及专业的市场服务能力，各类产品的技术、品质、产能和服务逐步跻身行业前列。

公司从事化合物光电半导体材料的研发、生产和销售业务，主要产品为GaN基蓝绿光LED外延片、芯片，2025年公司主要产品将增加GaAs基红黄光LED外延片、芯片。公司产品位于LED产业链上游，技术门槛和附加值均较高，所生产的产品应用领域为照明、背光、显示，主要为通用照明、植物照明、车载照明、手机背光、车载背光、屏幕显示、可穿戴设备、医疗美容等中高端应用领域。公司在深耕GaN基蓝绿光芯片基础上，进军GaAs基红黄光芯片领域，完成从单色系到全色系的圆满蜕变。2025年，公司将继续秉承 “聚焦资源、做强主业”的发展战略，坚持“调结构、提性能、创效益、铸品牌”的经营策略，稳健经营，坚定信心，踔厉奋发，勇毅前行，深耕LED外延片、芯片主业。

湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

二十多年来，公司坚持走“设计制造一体化”（IDM）发展道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，在功率半导体、MEMS传感器、光电器件和第三代化合物半导体等领域构筑了核心竞争力，已成为目前国内领先的IDM公司。根据集微咨询分析师团队发布的《中国半导体企业100强（2023）》排行榜，士兰微电子荣列“中国半导体企业100强（2023）”第九位。公司注册地址为浙江省杭州市黄姑山路4号。

在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

2025年9月19日公司在互动平台披露，砷化镓信道类MMIC已基本铺齐，实现自主可控，可持续批量供货。同时可以根据用户需求开展定制化多功能芯片开发，目前已有成功开发案例，并已进入批产阶段。氮化镓芯片方面，已开发用于机载平台、弹载平台的功放芯片、驱放芯片、开关芯片等，目前正在进行可靠性验证。

公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。