第三代半导体概念股龙头股&第三代半导体板块成分股

公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。公司重点研发和生产第三代半导体材料碳化硅晶体，目前有8英寸电阻炉和电感炉10台。公司将继续加快碳化硅晶体的研制工作，力争尽快实现小规模量产，同时进行衬底加工生产线的建设及其研发、验证和小规模量产。公司在碳化硅制程相关设备成立了专门的研发团队，为未来市场化布局核心技术和竞争力。

在第三代半导体器件方面，公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列，SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。SiC SBD是由金属和碳化硅材料接触形成的快速恢复肖特基二极管，与SiC MOSFET同属于功率器件。SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。

公司产品紧跟短小轻薄行业发展趋势，在功率半导体、芯片级贴片封装、第三代半导体等领域创新均有突破。公司目前拥有先进的半导体自动化生产线，持续向市场提供肖特基二极管、屏蔽栅型MOSFET、锂电保护IC、LED驱动IC等功率器件、功率IC等产品。目前已建立DFN封装系列平台，熟练掌握无框架封装技术；在宽禁带半导体领域，公司已掌握完整的宽禁带半导体封测技术体系，并拥有完整的车规级别的生产设备和IATF16949认证体系，开发大功率MOSFET车规级产品，能够实现新能源汽车等领域多项关键功能的驱动控制。公司已掌握完整的宽禁带半导体封测技术体系，开发出的GaN宽禁带半导体封装产品已送样客户，即将量产销售。

公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计一体化、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

2022年3月，公司拟与北京创镓半导体材料科技合伙企业（有限合伙）共同出资设立观想新芯材料科技有限公司，观想新芯注册资本为10,000万元人民币，其中公司拟占股51%，北京创镓拟占股49%。控股子公司将充分利用公司在装备全寿命周期健康管理、装备数字孪生及高性能传感器综合集成应用等新一代信息技术的优势，以及北京创镓在第三代半导体材料相关设备研制、工艺研发和检验检测等先进技术整合能力，共同实现第三代半导体材料的自主可控。

公司2023年1月20日在互动平台上披露：公司所属全资子公司西安西电电力系统有限公司，持有陕西半导体先导技术中心有限公司36%股权。2019年，为促进电力电子业务发展，经公司批准，同意由西电电力系统与陕西西安电子科大资产经营有限公司、西安高新产业投资有限公司和自然人共同出资设立陕西半导体先导技术中心有限公司。该公司注册资本5000万元，其中，西电电力系统出资2250万元，持股45%。

公司承担了16项国家级及省部级科研或技改项目，其中包括1项国家科技重大专项，并参与了4项国家标准及1项电子行业标准的制定工作，连续六年获得“中国半导体功率器件十强企业”称号。截至2022年6月30日，公司已获得授权的专利共计280项。公司加强市场、技术战略研究，做好技术创新规划布局，围绕高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC和硅光芯片，发挥特色工艺优势，发力高端产品，丰富产品种类和工艺种类，加快12英寸线建设，提升制程水平，推动SiC、GaN第三代半导体的工艺技术研发及产业化，满足市场需求。

2022年8月1日公司在互动平台披露，公司具备封测第三代半导体产品的能力，并已开展相关业务。2023年3月2日公司在互动平台披露，公司2022年已为国际知名汽车电子客户开发的第三代半导体碳化硅产品，具备无铅化、耐高压、高功率等优势，应用于客户新能源车载逆变器等领域，在国内首家通过客户考核并进入量产。

公司生产的半导体自动化测试系统包括功率半导体测试系统、小信号分立器件高速测试系统和集成电路测试系统。公司在功率半导体深耕20余年，具有深厚的技术储备和客户基础。经过多年发展，产品种类不断丰富，性能不断提升，目前已成为国内功率器件测试能力和功能模块覆盖面最广的供应商之一，测试产品覆盖功率二极管、MOSFET、IGBT、可控硅以及第三代半导体SiC、GaN等主流及功率模块，并凭借产品的性价比优势以及本土化销售及服务优势，陆续获得国内外知名半导体厂商的认可，与客户建立长期合作关系，品牌知名度和市场份额不断提高，现已占据领先的市场地位。公司模拟及数模混合集成电路测试系统在公司产品线中较新，且集成电路测试系统在客户端验证周期较长。公司自2015年规模销售以来逐步完善产品并拓展客户，目前仍处于产品开拓期。

2022年6月20日公司在互动平台表示，我司的YH2M8432C高精度立式双面研磨(抛光)机可用于阀板、阀片、磨擦片、刚性密封圈、气缸活塞环、油泵叶片等金属零件，以及硅、锗、石英晶体、玻璃、陶瓷、蓝宝石、铁氧体、铌酸锂等非金属硬脆性材料制作的薄片零件的双面研磨和抛光。同时，我司也有用于半导体材料减薄和抛光等工序的研磨抛光设备。

在第三代半导体领域，长飞先进半导体完成了总额约人民币36亿元的股权融资，并启动了年产可达36万片SiC MOSFET晶圆的第三代半导体功率器件研发生产基地项目建设。目前，该公司业务进展顺利，已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。其拥有完全自主知识产权的1200VGen3 SiC MOSFET设计及工艺平台，相关产品比导通电阻性能跻身世界先进水平，且该产品良率已达80%，亦处于行业前列。

公司谋求在集成电路和高科技产业领域的发展机遇。公司积极参与调研和筛选集成电路和高科技产业公司，拟在合适时机以参股或控股方式投资该类型企业，形成第二主业。2022年，公司出资9,210万元与上海临芯投资管理有限公司、海南清源鑫投资合伙企业（有限合伙）共同设立了“嘉兴临澜股权投资合伙企业（有限合伙）”，公司为该合伙企业的有限合伙人，占比98.8197%。目前，该合伙企业已完成以每元注册资本17.6546元的价格受让上海临珺电子科技有限公司持有的安徽长飞先进半导体有限公司4.2825%的股权。2022年8月10日公司在互动平台披露：安徽长飞主要从事以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体产品的工艺研发和制造，主要业务包括碳化硅和氮化镓的外延、第三代半导体功率及射频等相关芯片制造、功率模块和功率单管封装测试等全产业链的研发生产及销售。

2023年，公司自主研发的G11光掩膜版和G8.5光掩膜版获得由四川省经信厅、四川省财政厅颁发的“2022年度四川省重大技术装备国内首批产品”荣誉认定。目前公司已实现180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、先进指纹模组封装、高精度蓝宝石衬底（PSS）等产品应用。公司通过自主研发，储备了150nm节点半导体掩膜版制造核心技术，同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关产品，为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。

公司主营业务为相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于GaN、GaAs和硅基工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案，是国内少数能够提供相控阵T/R芯片完整解决方案的企业之一。T/R芯片作为相控阵天线系统的核心元器件之一，其性能则直接影响整机的各项关键指标。公司产品涵盖整个固态微波产品链，包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波模拟相控阵芯片，频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载、车载相控阵雷达及卫星通信等领域。

通用电源管理芯片性能要求高、研发投入大，该领域由国外厂商PI、Iwatt、MPS和Onsemi等主导，国内厂商主要包括昂宝电子、芯朋微和必易微等。国产化程度较低，国内有竞争力的厂商数量较少，国产替代的市场空间大。公司在通用光源类照明产品领域通过多年努力和积累，已经拥有众多优质稳定客户和较高市场占有率；在国产化率较低的商业类中大功率照明领域，已取得技术突破并推出相应产品；在兴起时间较短智能照明领域，公司虽起步时间较晚，但产品性能已达到行业领先水平。通用电源领域由国外厂商为主导，公司产品布局较为完整，尤其在快充领域，已实现至65W输出功率全覆盖并在多家客户量产。公司已推出驱动第三代半导体氮化镓器件的电源管理芯片，是通用电源应用领域能够提供多样化电源管理芯片品类及方案的芯片设计企业。产品性能和品质已获得越来越多的知名品牌客户认可，公司在该领域已服务的终端客户主要包括安克创新、奥海、传音控股、帝闻、公牛、坤兴、努比亚、诺基亚、欧陆通、天宝和紫米等。

2023年上半年公司持续推动引进和发展高新技术产品，推进客户多样化和新产品导入，毫米波雷达和激光雷达产品光学封装技术开发及量产，实现了打线产品Grade 0全覆盖，与此同时布局第三代半导体功率模块，功率器件先进封装技术取得阶段性进展。在通信应用方面，针对5G毫米波的商用相关需求，公司已率先在客户导入5G毫米波L-PAMiD产品和测试的量产方案，5G毫米波天线AiP模组产品也已进入量产。通过加强各项质量管理体系审核，完善现有管理体系的运行，推动工厂质量改善，强化工厂质量管控的力度，特别是针对重大质量问题的分析改善，极大推动了公司层面质量管理的优化及整体质量的提升，实现技术和品质的齐头并进。

2022年6月13日公司在互动易平台披露：公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，其中有包括联想拯救者系列氮化镓充电器。

公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。公司开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并开始小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。为应对未来更加复杂的市场变化，东微半导积极开拓海外市场。目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。除欧洲市场之外，公司开始开拓北美及东南亚市场，致力于发展全球客户。随着人工智能的发展和数据中心建设如火如荼的展开，公司发明的一系列Si2CMOSFET器件、SiCMOSFET器件及超低电阻超级结器件将可以在此类市场中实现销售额的高速增长。

公司是国内最早同时布局导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底产品的企业之一，在碳化硅衬底技术研发和产业化生产方面具有领先优势。得益于公司在导电型碳化硅衬底产品方面持续的技术投入和产业化经验，公司济南工厂的产能调整进展顺利。2022年各季度随着导电型碳化硅衬底产量持续爬坡，按季度营业收入保持快速增长。截至2022年末，济南工厂导电型产品的产量已超过半绝缘型产品。根据YOLE报告，2022年，公司在半绝缘碳化硅衬底领域，市场占有率连续四年保持全球前三，公司是国际上少数几家同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。随着公司新建上海工厂产能的逐步释放，预计公司在功率SiC领域将获得更大的市场影响力。

公司控股子公司，上海埃延半导体有限公司。埃延半导体致力于大硅片及第三代半导体材料衬底外延设备的生产制造以及衬底材料的研发。公司2023年年报披露：由于受到2022年外部环境及供应链失常的影响，上海埃延出货计划延迟，研发团队首台Demo样机于2022年底装机完成。2023年内，研发团队完成多次内部调试、系统测试。2023年6月，上海埃延生产的首台半导体材料衬底外延设备在上海临港基地下线，标志着公高温气相沉积设备研制在境内技术路径升级和零部件供应链整合完成，进入客户对设备的验证阶段。

公司进一步加大对充电管理产品线的投入，大电流半压充电IC产品已进入流片验证阶段；能够满足消费工业类终端的快充需求，具有高精度、高效率与高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品，正在有序推进中；大电流降压DC-DC产品具有高效率高可靠性的特点，已扩展到工控领域的应用；为了应对客户日益增长的功耗管理需求，扩展现有产品系列，已进行负载开关等新产品类别的开发；在相关的新能源应用领域，公司坚持第三代半导体GaN氮化镓相关器件及驱动控制器的开发,高整合度驱动器芯片已在客户端完成验证，性能表现良好，目前在等待客户后续项目计划。

2023年1月，公司收到以色列VisIC Technologies Ltd.,（简称“VisIC公司”）发来的股份交割文件，公司及晶方贰号产业基金合计向VisIC公司增加5,000万美元投资的相关资金汇出与股份交割手续已履行完毕。晶方贰号产业基金已完成增资相关的工商变更登记手续，并在中国证券投资基金业协会完成了私募投资基金变更备案事宜。本次投资交割完成，公司持有VisIC公司18.06%股权，晶方贰号产业基金合计持有VisIC公司33.31%股权，公司及晶方贰号产业基金合计持有VisIC公司51.37%股权。VisIC公司为全球领先的第三代半导体GaN（氮化镓）器件设计公司，其专利技术的氮化镓功率器件可广泛应用于快充、电动汽车、5G基站和数据中心、高功率激光等应用领域。目前VisIC公司正积极与国际知名汽车厂商合作，共同开发800V及以上高功率主驱动逆变器模块，为新型电动汽车提供更高转换效率，更小模块体积和更高可靠性的功率器件产品。公司依据自身战略规划投资VisIC公司，进一步加强股权合作，积极布局前沿半导体技术，并充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，以期能有效把握基于三代半导体的高性能功率产品在包括新能源汽车等产业的发展机遇。

二十余年的深耕细作，公司既拥有了从半导体硅片到半导体功率器件的上下游产业链，还涉足了第二代、第三代化合物半导体射频芯片生产线。硅片产品类型实现了从6英寸到12英寸、从轻掺到重掺、从N型到P型等领域全覆盖，功率器件产品类型包括了从平面到沟槽、从SBD、MOSFET到FRD、IGBT等，微波射频产品包括了6英寸GaAs射频芯片、VCSEL芯片等，而且各类产品都达到了较大的产能，半导体硅片、功率器件的产销量名列国内前茅，光伏用控制芯片占据了全球较高的份额。公司产品种类丰富、层次较高且形成了较大的产销规模，规模效应十分明显。

公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2023年，公司IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2023年新能源乘用车功率模块装机量达100.55万套市占率12.5%，排名第三,集中式光伏IGBT模块市占率快速提升，组串式模块实现批量供货，超精细沟槽7.5代STMOS+产品效率提升明显，达到国际领先水平，5MWIGBT制氢电源助力国内首个万吨级绿电制氢项目成功产氢，第三代1200VSiCMOSFET芯片达到国内先进水平，半导体三期项目迅速推进，宜兴产线已完成主体工程封顶。另，公司IGBT器件在柔性直流输电工程有应用。

随着第三代功率半导体器件，如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场，功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大，芯片功率密度更高，损耗更低，集成度更高以及封装体积更紧凑，高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下，国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中，除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展，SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点，也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局，相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。

2022年2月25日公司在互动易平台披露：公司产品已应用于第三代半导体退火等加工工艺。

在半导体工艺装备领域，北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备，广泛应用于逻辑器件、存储器件、先进封装、第三代半导体、半导体照明、微机电系统、新型显示、新能源光伏、衬底材料等工艺制造过程。北方华创借助产品种类多样、技术代和工艺覆盖广泛等优势，以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。

2023年4月13日，公司在投资者关系活动记录表中披露，作为国内为数不多的提供全链条解决方案的能源互联网服务商，威胜信息围绕数字电网，在应用层、网络层、感知层都有相关的技术研发，在应用层布局人工智能与源网荷储一体化技术，在网络层布局边缘计算、第五代HPLC芯片技术，在感知层布局智慧感知、第三代半导体技术。另，2021年6月23日中国证券报讯，威胜信息6月23日与湖南三安、北京智芯签订了《碳化硅全产业链关键技术研究及产业化联合实验室共建意向书》，三方拟共建碳化硅联合实验室，拓展“芯”赛道。据介绍，联合实验室将围绕电力、轨道交通、汽车电子等关键领域，开展碳化硅MOSFET应用特性、碳化硅MOSFET芯片及工艺、驱动芯片研究；开展大功率直流电源模块、超级充电桩及源网荷储相关装置等技术研究及应用试点示范，并联合申报碳化硅功率模块科技项目，适时申报和创建国家创新中心。

目前公司已量产250nm工艺节点的6英寸和8英寸半导体芯片用掩膜版，主要应用在IGBT、MOSFET、碳化硅和MEMS等半导体芯片领域。公司将抓住半导体芯片掩膜版国产替代机遇，在重点客户拓展方面取得突破，250nm产品批量交付多家客户；建立了180nm工艺测试平台，180nm产品通过国内重点客户的认证。公司的半导体芯片掩膜版业务收入持续增长。深圳工厂引进的半导体芯片用掩膜版光刻机已量产，在2023年第一季度，配套的检测设备已经投产，而清洗设备亦已进场，目前正在安装调试，预计相关设备投产后将进一步提升半导体芯片用掩膜版等产品的产能，以更好地满足集成电路凸块（ICBumping）、集成电路代工（ICFoundry）、集成电路载板（ICSubstrate）、MinLED芯片、MicroLED芯片、微机电（MEMS）等市场的需求。

2023年11月8日公司在互动平台披露，第三代半导体材料主要是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的材料，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率场景下的工作特性，主要应用于5G基站、新能源汽车和快充等领域。公司开发的高性能非晶、纳米晶系列新产品主要面对高压、高频、大功率的应用场景，是随着第三代半导体发展的而受益的配套功能器件。

2020年9月8日公司在互动易平台披露：在第三代半导体GaN（氮化镓）快充领域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控芯片、PD协议芯片等产品。公司的相关芯片NF7307，具备更高集成度（集成启动电阻&X电容放电），更出色的性能（优良的Qr特性，更低待机功耗）及更高可靠性（全面的保护机制），已经上市。产品规格可对标安森美等海外厂商产品，具备较高的性价比优势。目前，公司相关产品目前已导入M客户和公牛等知名厂商的供应链，市场拓展稳步推进。

2019年12月30日公司在互动平台披露：公司作为有限合伙人认购福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）份额3000万元，占紫荆资本认缴出资额的2.73%，截止目前，公司实缴出资额1100万元。2020年年报披露，公司其他权益工具投资包括福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙），期末余额2705.87万元。启信宝数据显示：紫荆资本通过湖南华业天成创业投资合伙企业（有限合伙）参股英诺赛科（苏州）科技有限公司。英诺赛科公司官网数据显示：公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。公司也与海内外顶尖高校、研究机构与企业建立战略伙伴关系，共同推进8英寸硅基氮化镓的研发与产业化。

2022年1月向不特定对象发行可转换公司债券注册的批复。2021年10月，行可转换公司债券申请获得深交易所委员会审核通过。2021年2月，公司拟发行可转债募集资金总额不超过人民币35,026.00万元（含35,026.00万元），扣除发行费用后，募集资金拟投入年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目、高性能有色金属膏状钎焊材料产业化项目、温度传感器用复合材料及元件产业化项目、碳化硅单晶研发项目和补充流动资金，项目总投资39,803万元。

2022年8月29日公司在互动易平台披露：公司目前是第三代半导体产业技术创新联盟副理事长单位。

碳化硅能够为新能源汽车提供能源转换率更高、体积更小、重量更轻的电机控制器，从而降低整车重量并降低能耗。在电力电子朝着高效高功率密度发展的方向上前进时，器件的低杂散参数、高温封装以及多功能集成封装起着关键性作用。通过减小高频开关电流回路的面积实现低杂散电感是碳化硅封装的一种技术发展趋势。2023年，公司立项了“第三代功率半导体碳化硅芯片塑封封装研发项目”，开发出了基于工业标准TO-247封装的SiCMOSFET器件封装平台和封装技术。

公司专注于核心技术的积累与新产品的开发，扎实推进多个研发项目，取得了从芯片设计（6英寸平面芯片、RFID芯片、HVIC芯片、LVIC芯片、外延FRD、高压TVS等）到新封装开发（CLIPPDFN、DFN8080、DFN3333、倒装LED封装等）、从质量等级提升（消除封装分层、提升车规级可靠性能力）到集成器件开发（RFID、IPM）、从传统半导体器件到第三代功率器件（SiC、GaN）等成果的实现，不断提升公司的技术创新能力。公司在保持和提升在传统领域的优势的同时，紧跟市场方向，积极拓展汽车电子、清洁能源、安防、5G通讯、物联网、人工智能等新兴市场，抓住需求增长的机遇，全力推进替代进口战略，加快渗透，扩大对下游优质客户的覆盖，为公司未来的快速发展奠定坚实基础。

公司产品正硅酸乙酯作主要用于化学气相沉积法（简称LPCVD）构建半导体衬底表面的二氧化硅绝缘层，是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料之一。

2021年11月23日公司在互动平台表示，公司自主品牌充电器主要为氮化镓充电器。

公司成立至今，一直坚持在产品技术创新和研发方面保持高强度的投入，从刚开始的模拟，到数模混合，再到如今的以氮化镓和碳化硅为代表的第三代化合物领域，公司均掌握了相关测试的核心技术，并且已经应用在测设设备上实现批量销售。同时也建立了一套行之有效的研发体系，具备长期持续的研发投入能力。公司在第3代化合物半导体，尤其是氮化镓领域布局较早，在第三代宽禁带半导体功率模块方面取得了认证，量产，解决了多个GaN晶圆测试的业界难题。

随着新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域下游需求的爆发增长，未来SiC器件的市场规模成倍扩大，碳化硅材料市场供应将持续增加。公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年公司参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达半导体股份有限公司9.09%的股份，成为该公司第二大股东。未来，公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

公司围绕集成电路前段制造中的化学机械抛光（CMP）环节进行布局，致力为客户提供整套的一站式CMP材料及服务。目前，在CMP抛光垫产品方面，公司是国内唯一一家全面掌握CMP抛光垫全流程核心研发技术和生产工艺的CMP抛光垫供应商，确立CMP抛光垫国产供应龙头地位，相关子公司--鼎汇微电子是国家级专精特新小巨人企业，产品深度渗透国内主流晶圆厂，成为部分客户的第一供应商，被多家晶圆厂核心客户评为优秀供应商；在CMP抛光液产品方面，公司全面开展全制程CMP抛光液产品布局，搭配自主研磨粒子在客户端持续推广、导入，逐步形成规模销售；在清洗液产品方面，公司铜制程CMP后清洗液持续稳定获得订单，其他制程抛光后清洗液产品结合整体业务战略安排进行开发验证，持续完善业务布局。

2023年11月13日日公司在互动平台披露，公司有第三代半导体产品的封测加工业务。2022年10月20日公司在互动平台披露，公司第三代半导体已实现小批量生产了。2021年2月7日公司在互动平台披露：公司第三代半导体产品主要为SIC产品。

2021年7月7日公司在互动平台披露：从公司战略发展来看，公司通过增资入股深圳镓华，后续将借助深圳镓华在氮化镓（GaN）功率器件领域的技术优势，并发挥公司在车联网领域积累的技术和资源，双方共同开拓氮化镓在车联网领域的应用。后续公司会根据公司战略方向、市场情况等多方面考察再评估是否需要继续加大对深圳镓华的投资比例。

公司参股的江苏能华是一家专业设计、研发，生产、制造和销售以氮化镓（GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。2022年8月8日公司在互动平台披露，截至目前，公司持有江苏能华6.05%股份。

2022年9月8日公司在互动平台表示，公司已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证，公司将持续加强技术创新和工艺积累，实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控，进一步提升公司在第三代半导体材料端的竞争力。

公司控股子公司英唐微技术专注于光电转换和图像处理的模拟IC和数字IC产品的研发生产，MEMS振镜是其重点发展产品，其受益于下游激光雷达、AR、微投影仪的需求增长也将获得持续的增长动能。2022年7月，英唐微技术公布第二代MEMS振镜已开启送样，预计会在自动驾驶车辆中投入实际使用，完成相关产品验证后有望实现批量销售。这也预示着公司自提出向上游半导体芯片领域延伸的战略以来，已经迈出了至关重要的一步。

公司于2022年8月31日在互动平台披露，公司研发的是金刚石半导体材料，具有超宽带隙特性的第三代半导体材料性能更为优良。其中金刚石集高硬度、超宽带隙、出色的载流子迁移率和优异的导热性能于一身，被科学家们誉为“终极”半导体材料。

2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

2023年7月11日，公司查询中国证券监督管理委员会网站（http://www.csrc.gov.cn/）获悉，中国证监会对锴威特出具了《关于同意苏州锴威特半导体股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》，同意锴威特首次公开发行股票的注册申请，批复自同意注册之日起12个月内有效。截止本公告披露日，公司持有锴威特1,055.52万股，占其首次公开发行前总股本的19.10%。该公司从事第三代半导体产品的研发与生产

1）公司已开发完成1200V 23mohm~75mohm和750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。

2021年12月20日，江苏万邦微电子有限公司新增股东南京微佰仕创业投资合伙企业(有限合伙)，公司持有的江苏万邦微电子有限公司股权变为17.49%。2019年4月2日公司在互动平台披露：公司子公司江苏万邦微电子有限公司的产品主要有：有源相控阵雷达电源管理芯片、有源相控阵雷达波束控制芯片、有源相控阵雷达阵面TR组件控制芯片、5G基站射频前端、卫星通讯设备射频前端、星载抗辐照波束控制芯片、星载抗辐照电源管理芯片。2020年9月16日公司在互动平台披露：WB1409属于氮化镓功放配套的栅极稳压芯片，和氮化镓功放1:1配套使用。

2021年11月15日公司在互动易平台披露：公司产品金刚石线可用于碳化硅、氮化镓等半导体材料的切割，目前正在积极开展金刚石线在高价值硬脆材料切割领域的推广。

公司2022年8月22日在互动平台披露：公司湿法设备可覆盖晶圆制造各个工艺，可应用于第三代化合物半导体SIC碳化硅。截至目前国内几大头部碳化硅产品制造的客户已向公司订购SIC碳化硅相关湿法设备近40台。

2022年8月8日公司互动易披露：第三代半导体产业技术创新战略联盟成立于2015年，公司为发起单位之一，现为理事单位。公司中央研究院对第三代半导体部分基础材料应用进行研发，最终体现在公司的照明显示产品应用上。

2023年上半年，精密零部件实现销售收入2.03亿元，较上年同期增长15.01%。超大规模集成电路芯片PVD、CVD、刻蚀机等半导体设备由各种精密零部件结合构成，这些部件主要包括传输腔体、反应腔体、膛体、圆环类组件、腔体遮蔽件、保护盘体、冷却盘体、加热盘体、气体分配盘、气体缓冲盘等；材料包括金属类（不锈钢、铝合金、钛合金）、非金属类（陶瓷、石英、硅、高分子材料）等；制造工艺包括超精密加工、扩散焊、氩弧焊、真空钎焊、表面处理、阳极氧化、等离子喷涂、热喷涂、特殊涂层、超级净化清洗等。在芯片先进制程生产工艺中，各种精密零部件以及CMP用保持环、抛光垫等作为耗材被广泛使用，零部件产品对金属材料精密制造技术、表面处理特种工艺等技术要求极高。目前，公司生产的零部件产品包括设备制造零部件和工艺消耗零部件，主要用于超大规模集成电路芯片领域。同时，公司积极开拓新领域，丰富零部件产品组合。近年来，随着国内外新能源、轨道交通、特高压、5G通讯等新兴领域的高速发展，公司适时切入覆铜陶瓷基板领域，布局第三代半导体封测材料。

公司推出的首款碳化硅金刚线切片机GC-SCDW6500，可实现6寸碳化硅晶片切割，2022年已实现批量销售，助力碳化硅行业开启金刚线切割技术对砂浆切割技术的替代进程。2022年底，公司升级推出GC-SCDW8300碳化硅金刚线切片机可兼容6寸及8寸碳化硅晶片切割，2023年已形成批量订单并获得头部客户高度认可；8英寸半导体切片机已在客户端量产；12英寸半导体切片机样机GC-SEDW812处于客户来料验证阶段，占据行业领先地位；磁材厚片瓦片多线切割机GC-MADW1280R及磁材厚片-直片多线切割机GC-MADW1880，领先行业适配高线速及细线化，大幅提高切割精度和材料利用率，竞争优势显著，获得批量订单；GC-SADW6670蓝宝石切片机持续保持技术领先地位，报告期内维持高市场份额。

2020年9月22日公司在互动平台披露：公司与相关专业机构共同设立的辽宁中德产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）对半导体产业有所布局。被投企业中，山东天岳先进材料科技有限公司主要经营产品系碳化硅半导体衬底材料。

金刚石砂轮除了传统的用于磁性材料、蓝宝石、光学玻璃等加工的产品外，还包括专用于精密刀具加工的精密金刚石砂轮，和专用于包括第三代半导体碳化硅在内的半导体芯片加工过程中的减薄砂轮、倒角砂轮和CMP-Disk，以及封装过程中使用到的树脂软刀、金属软刀、电镀软刀、硬刀（划片刀）等。

公司持有江苏民营投资控股有限公司5.21%的股权。另，2022年8月9日公司在互动平台披露，公司参股公司江苏民营投资控股有限公司通过旗下基金投资上海伟测半导体科技股份有限公司，上海伟测半导体科技股份有限公司IPO已于2022年5月26日获上交所科创板上市委审核通过。2021年12月2日公司在互动平台披露，江苏民营投资控股有限公司目前注册资本为100亿元，公司认缴金额为5亿元。苏民投及其相关控股企业投资的华绿生物、虹软科技、确成股份、上能电气等多家企业已成功上市。2020年9月公司在互动平台披露，公司参股子公司江苏民营投资控股有限公司参股了江苏能华微电子科技发展有限公司。

公司半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。2023年度，公司半导体设备的研发和销售工作也在积极推进中，公司高端设备产品金刚石炉取得少量销售订单。2023年12月25日公司在互动平台披露：公司高端装备业务包括光伏设备和半导体设备，光伏设备包括软轴单晶硅炉、金刚线切片机等；半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备等。公司生产的区熔单晶硅炉是“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项中硅单晶区熔设备研制的科研成果。

公司目前在进行碳化硅高功率吸波材料的研发，已完成工程样件研制，已结题。碳化硅高功率吸波材料研制成功，可以极大拓展吸波材料耐受功率范围，巩固公司在吸波材料领域的领先地位。

公司坚持创新引领，在功率半导体器件领域深耕细作，持续创新技术、迭代产品，推动公司向功率半导体器件中高端领域快速拓展；目前公司已掌握众多高端功率半导体器件的核心设计技术、工艺控制技术等，如VLD终端、1700V以上高压产品技术、深槽刻蚀技术、薄片加工技术、少子寿命控制技术、BJT产品集成多晶电阻技术、高功率密度模块封装技术、SiC MOS和GaN HEMT的设计技术等，具备推动产业向智能化转型升级的技术研发能力与产品国产化替代能力。在深度挖潜半导体功率器件开发的同时，公司产品结构调整进展迅速，在上半年推出了新一代中低压SGT MOSFET、超结MOSFET、载流子存储型IGBT、Trench肖特基二极管、高压整流二极管，拓展了IGBT模块及IPM模块产品系列以及650V GaN器件和SiC肖特基二极管。加速向汽车电子、工业控制、新能源、高端装备制造、网络通信、智慧家居、电力碳中和、储能逆变等战略性新兴领域迈进。

公司晶体材料专用设备包括晶体生长炉和成套加工设备，应用领域从光伏、蓝宝石、压电晶体逐步扩展到半导体行业，产品类型涵盖了从晶体生长到晶体加工一系列应用设备，包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机等。蓝宝石和压电晶体设备确保公司在蓝宝石材料、压电材料方面的优势，不对外销售，仅限于自用。公司的晶体设备主要是单晶硅、蓝宝石等晶体的生长设备与切磨抛加工设备，近年来的主力是光伏设备。公司从2010年开始从事光伏单晶炉及相关成套设备的生产制造，由于公司单晶炉最初的设计理念是适用于电子级N型单晶的生长，技术起点高、结构设计先进，配置高端，自动化、集控化程度高，经过这几年来不断的技术迭代和自主创新。今年上半年推出了性价比合适的N型低氧型炉台，在保证大产能的前提下还能保证低的氧含量，未来在TOPCON电池技术不断加持的前提下，单晶炉市场未来可期。同时公司在硅棒加工领域推出了高效的开方机，该产品产出效率及精度高，一推出市场就受到市场的青睐，已接到头部企业的批量订单。

国内半导体行业正处于飞速发展时期，公司产品可以覆盖半导体产业除设计之外的全制程，经过多年持续努力，公司产品通过了美国排名前二的半导体应用设备厂商的认证并成为其一级供应商，填补了国内超高纯应用材料的空白，依托国家政策，在稳定超高纯应用材料产品品质的同时，对更多产品进行研发，覆盖于半导体制程设备和厂务端所需的真空系统和气体管路系统。在迎接半导体行业第三次浪潮向我国转移的关键时刻，面临以中兴通讯禁售令为先导的中美贸易战热潮起端的时刻，公司积极配合泛半导体下游产商，如半导体芯片厂、LCD/LED面板厂、光伏太阳能厂等，从上游开始，关注半导体高洁净度、高精密化、高集成性的行业趋势，服务于本土化进程，最终实现国内半导体生产最终产品的自主化、国产化，提高我国半导体产业在全球的话语权和竞争力。

公司LED芯片产品广泛应用于电视、电脑、手机等消费电子，室内外显示，车用LED及各类照明，紫外、红外等市场。随着Mini/MicroLED技术提升，5G+8K超高清显示市场快速发展以及高端照明市场需求不断拓展，公司产品应用领域不断拓宽，包括MiniLED超高清显示，MicroLED可穿戴设备以及大屏幕显示，会议及影院多功能显示，政务交通指挥中心，中大尺寸消费电子高端背光，智能照明，车用LED及植物照明，紫外消、红外感应等。LED外延片技术含量高，对最终的LED芯片产品的良率、光电性能、品质等影响最大。公司的外延片产品在保证自用的同时，也在积极拓展市场，主要作为国内外对高品质LED外延片有需求的芯片企业的原材料，以及作为科学院所等机构前沿技术开发的基础材料等。

2022年1月，公司完成以45.48元/股向特定对象发行行股数确定为10,993,843股，募集资金总额为499,999,979.64元。在扣除发行费用后将用于碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目和补充流动资金项目，项目总投资69,556.00万元。其中碳化硅功率器件的研发和产业化项目达产后可实现年均营业收入6.05亿元，年均净利润0.53亿元。

相控阵是公司新技术创新突破及未来发展的方向之一。公司技术团队结合第三代半导体材料的发展成果，自主研发了一种不同于传统T/R组件的新型相控阵产品，具有尺寸小、重量轻、免维护和低功耗的优点。基于以上优点，公司新型相控阵产品除了可运用于商用卫星领域，还可以应用于精确制导雷达、星载雷达及机载雷达等军事武器装备中，这将进一步扩展公司产品在军事领域中的应用，提高公司的行业地位。

2023年10月20日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。目前公司碳化钽产业化项目已建成投产，高纯碳粉已实现小批量生产。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

2022年，公司应用于乘用车主控制器的车规级SiC MOSFET模块开始大批量装车应用，同时公司新增多个使用车规级SiC MOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点，将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiC MOSFET模块销售增长提供持续推动力。

公司半导体行业产品为碳化硅半导体材料。以碳化硅为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一，与硅材料相比，以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。根据Yole数据，2027年全球导电型碳化硅功率器件市场规模将由2021年的10.90亿美元增至62.97亿美元，2021-2027年每年以34%年均复合增长率快速增长。公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长，根据Yole数据，2021年全球导电型碳化硅衬底市场规模为3.80亿美元，预计2027年将增长至21.6亿美元。

公司参股瞻芯电子4.73%股权，瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，已完成国内第一个基于6英寸碳化硅晶圆的SiCMOSFET和SBD工艺平台开发。

碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售，目前公司已经安装280台长晶炉，碳化硅项目正常推进中。2022年3月22日公司互动易披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

公司及子公司茂硕电子均为国家级高新技术企业，公司秉承“创新技术，产品为王”的理念，自成立以来十分重视研发投入和研发团队建设，奠定了公司在行业内的技术领先地位。公司拥有CNAS资质的检测中心，设有高标准设施的“电功能、安规、电磁兼容、机械、材料耐热/燃、环境、老化、环保检测”八大功能实验室，为产品开发提供了有力的技术保障产品优势开关电源方面，公司坚持“创新技术，产品为王”，贯彻执行“择高而立”“一米宽、万米深”的设计理念，以大客户战略为指引，专注于深耕行业内VIP客户的产品升级及拓展需求，在产品研发方向，目前已经形成了电源适配器产品线、PD充电器产品线及工控电源产品线三大产品领域，主要覆盖网通、机顶盒、安防、显示器/激光投影、音响设备、商务打印机、电机驱动、通讯、工业设备及共享换电定制电源,POE电源共计13个系列的细分领域。研发已经完成开关电源7.5W~750W等一系列标准型及客户定制类产品。产品特点主要体现在设计理念创新、成本优势、客户高度定制化、采用“整合数字电源”(FusionDigitalPower)技术，实现了开关电源中模拟组件与数字组件的优化组合，多专利的数字化控制技术及第三代半导体应用等方面，进一步扩展了公司消费类电源的覆盖领域。

2021年8月2日公司在互动平台披露，SiC、GaN等第三代半导体器件的应用有助于电源产品转换效率和功率密度的提升，因此公司在多款产品中应用了相关器件，推进产品转化效率的提升、减少能耗。2020年3月公司在互动平台披露：氮化镓功率器件相比传统硅基半导体能够带来低损耗和高开关频率，公司现阶段主要开展了氮化镓功率器件在超高效电源模块上的应用研究，目前已完成样机开发工作并实现小额销售。公司会根据市场发展情况，积极推进相关产品市场化工作。

主要从事半导体光电产品的研发、生产和销售业务，为国内领先的LED芯片、砷化镓太阳能电池外延片供应商。主要产品包括全色系的从紫外到红外的芯片，砷化镓太阳能电池外延片、MiniLED、MicroLED、VCSEL等，凭借均匀性、一致性、可靠性等综合性能方面的领先优势，多项产品性能指标达到国际先进水平。公司产品广泛应用于紫外杀菌、背光、显示屏、通用照明、数码显示、红外安防、电子设备指示灯、交通指示灯，夜景工程、车载照明等众多领域。

2021年7月1日公司在互动平台披露，公司有基于氮化镓材料的封测业务。2021年2月有投资者提问：请问贵公司在碳基芯片半导体，也就是第三代有研发投入吗；2021年2月23日公司在互动平台回复：有。

2020年2月26日公司在互动平台披露，子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

2022年内，公司间接持股的粤芯半导体完成B轮战略融资，用于粤芯三期项目建设，目前粤芯已完成股份制改造。另，2019年5月公司在互动平台上表示，粤芯半导体采购的是荷兰ASML的光刻机，已于2019年3月中旬搬进粤芯半导体主厂房，目前在做量产前的最后调试准备。光刻机等主设备的顺利进驻，为粤芯半导体量产计划提供了有力保障。2019年9月10日公司在互动平台披露：经了解，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目，情况属实。此建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。粤芯半导体项目是国内第一座以虚拟IDM (irtuallDM)为营运策略的12英寸芯片厂，是广州第一条12英寸芯片生产线，已列为广东省、广州市重点建设项目。产品包括模拟芯片、图像传感器、电源管理芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、工业控制、5G等应用的模拟芯片需求。

2022年6月，浙江铖昌科技股份有限公司(股票简称：铖昌科技)正式登陆深交所主板。另，2022年9月5日公司在互动平台披露，公司子公司铖昌科技的产品已应用于探测、遥感、通信、导航等领域，同时应用于星载、机载、舰载、车载和地面相控阵雷达中，亦可应用至卫星互联网、5G毫米波通信等场景。并拥有相关技术研发能力且自主可控。2020年2月19日公司在互动平台披露，公司于2018年收购铖昌科技80%股权，铖昌科技在航天、武器装备等军工领域有较好的客户基础，拥有航天、军工领域供货商完整的相关资质，公司智能控制器可进一步利用铖昌科技客户资源、技术资质和产业化资质，向航天、武器装备等军工市场延伸。2019年10月18日公司在互动平台披露，铖昌科技产品优势在于：其主要产品是相控阵核心芯片，具体来说是相阵里面的PA、LA、移相控制多功能芯片等。从产品工艺方面来讲，现有主要涵盖的是氮化镓、砷化镓，硅基等，对铖昌来讲都是很成熟的，也是大量在出货的。铖昌科技具备核心技术优势，拥有较强的军工资质，已经进入快速发展期，铖昌科技与主要客户合作关系稳定，在手订单不断增加。

兆驰半导体是全行业唯一一家全年满产满销及扣非后较大幅度盈利的芯片厂。2023年内，垂直一体化协同策略持续深入，战略重心倾向高附加值产品，最终实现由“规模”向“规模＆价值”的高质量可持续发展。产能方面，氮化镓芯片扩产项目在2023年4月开始放量，于6月底已经实现产量100万片（4寸片），后续通过提升生产效率，截止12月底，氮化镓产量为105万片（4寸片），公司氮化镓芯片产能居行业第二，产销量居全行业第一；报告期内，砷化镓芯片产量为5万片（4寸片）。LED芯片的扩产为公司提升MiniRGB、MiniBLU、高端照明等高附加值市场份额提供源动力。2023年期间，公司量产MiniRGB芯片尺寸主要为04*08mil（100*200μm）、03*07mil（88*175μm）、03*06mil（70*160μm）、02*06mil（50*150μm），量产的芯片尺寸最终将到02*04mil（50*100μm）。截至目前，公司MiniRGB芯片单月出货量为10000KK组。2023年下半年，公司提升了应用在普通照明市场的LED芯片产品价格，并基于产能释放提升高附加值产品占比，如MiniRGB芯片、背光领域芯片、高毛利照明的产品结构占比。2023年期间，兆驰半导体成功进入三星供应链体系。

2023年8月27日公司在互动平台披露，公司三代半产品主要分为氮化镓与碳化硅。目前氮化镓主要瞄准墙插快充、LED驱动市场，已在多家客户产品上得以应用，碳化硅主要瞄准充电桩、储能等领域，客户验证周期相对较长，目前出货量正稳步增长中。2022年9月1日公司在互动平台披露，第三代半导体是公司前瞻布局的重要方向之一，一方面，公司积极拓展第三代半导体新赛道，近期公司收购了专业从事半导体分立器件及集成电路研究、开发、生产、销售的风华芯电，以实现公司在半导体领域补链强链，提升自身实力巩固领先优势；另一方面，经过持续的技术创新和潜心研发，公司在第三代半导体领域已成功推出SiC功率分立器件、SiC功率模块和GaN器件三大类产品线路，可为市场提供高品质、高可靠性，多样化的半导体封测业务支持。目前，公司已建立三代半功率器件试产线，小批量产。

目前，投资业务以产业投资为主，财务投资为辅。公司秉持深耕产业、投资未来的投资理念，与被投企业深度合作，资源共享，在投资标的快速发展的过程中为其输血、赋能，提供全方位的支持。新能源产业链是公司投资业务的主线之一，“光储一体”是实现能源领域碳中和的重要技术路径，因此公司重点布局储能（锂离子电池、钠离子电池、固态电池）、光伏、新能源汽车（乘用车、商用车）等领域。同时，新型电力系统对传统电力电子技术提出了新要求，公司关注并投资了快充/超充、电网智能化、IGBT等技术领域的创新型公司。医疗大健康领域是公司产业投资的另一条主线。截至目前，公司已陆续投资一系列创新型生物医药企业，涉及胰岛移植治疗糖尿病技术、小核酸药物等领域。此外，公司还投资了手术机器人等一系列医疗器械公司。2022年，继理想汽车、新风光之后，公司投资的浙江大农正式在北交所上市。

公司在二极管/晶体管、ESD和中低压MOSFET等传统产品线保持一向稳健的市场表现，为公司贡献了稳定的现金流，有力支撑了公司在中高压MOSFET、IGBT、GaN、SiC和更多的模拟IC产品的研发。在三代半领域，公司实现了GaN产品D-M系列产品工业和消费领域的销售，同时E-M产品通过所有测试认证，于2024年开始销售，奠定了安世在GaN领域的行业地位；公司实现了SiC整流管的工业消费级的量产和MOSFET的工业消费级的测试验证，为2024年SiC工业和消费的量产打下了坚实的基础，SiC MOSFET产品线的建立，让公司进入三代半1200V高压市场，拓展新的增长空间。公司实现了IGBT模组平台和产品的测试认证，PMIC系列产品的测试认证并实现量产，这标志公司半导体业务的BCD平台和产品线正式进入市场，开拓了新的蓝海。此外，2023年荷兰政府批准公司半导体业务收购NOWI公司，将在IoT应用方面为公司带来新的增长空间。在投入研发的同时，公司通过与行业合作伙伴合作提升产品创新能力，发挥协同作用，推动技术能力升级，确保产品的长期稳定供应，为公司在三代半领域的持续发展拓展更大空间。

公司2021年11月设立全资子公司金博研究院，开展半导体高纯热场材料及相关产品业务。金博研究院基于碳基材料通用底层技术、制备机理与基础装备开发技术开展硅基半导体高纯热场材料、碳化硅半导体高纯热场材料及高纯碳粉等基础科学研究和应用技术开发，全面提升公司碳基材料产品在半导体应用领域的研发创新能力。同时公司以金博研究院为基础，围绕先进碳材料研发及应用，通过吸纳国内外碳基材料领域人才，打造碳基材料专业人才梯队，保持公司技术和研发水平的领先性，不断提升公司的整体核心竞争力，将公司打造成新材料产业化平台型公司。2022年4月，公司与天科合达达成战略合作意向并签署了《战略合作协议》，双方开展技术交流与联合研制，共同研发满足第三代半导体领域应用的热场材料、保温材料与粉体材料，以满足天科合达对相关材料国产化的需求。

公司宽禁带半导体以中高端应用推广为主线，在宽禁带功率器件产品新兴赛道取得了技术和产业化的显著进步。碳化硅以及氮化镓功率产品不断迭代升级与丰富，产业化进程与品牌竞争力大幅提升。碳化硅二极管二代平台已完成650V、1200V全系列化产品开发，覆盖目前主流应用需求，产品在汽车电子OBC、充电桩、储能、光伏、大功率电源方面批量供应；碳化硅二极管三代平台开发进展顺利，Rsp等各项参数达到国际领先产品水平，预计2023年将实现产品系列化。SiCMOS电压覆盖650V/1200V/1700V，在新能源汽车OBC、光伏储能、工业电源等领域通过多个客户测试并批量出货。车规级SiCMOS和SiC模块研发工作进展顺利，已完成多款SiCMOS模块产品出样。碳化硅器件整体销售规模同比增长约2.3倍，投片量逐月稳步增加。氮化镓产品方面，650V和900V级联型氮化镓器件产品推向市场，营收实现快速增长，产品应用以PC电源、电机驱动、照明电源、手机快充为主。公司加快8吋氮化镓工艺优化与产品开发，并同步推进储能电源、光伏逆变器、工业电源、通讯电源的产品开发和规划。

碳化硅肖特基二极管是碳化硅器件之一，具有超快的开关速度，超低的开关损耗，正向压降(Vf)为温度特性，易于并联，可承受更高耐压和更大的浪涌电流，用于电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等领域，主要产品为塑封碳化硅肖特基二极管器件。

公司GaN外延材料业务是指基于自主掌握的工艺诀窍，根据既定技术参数或客户指定参数，通过MOCVD设备生长并对外销售6-8英寸GaN外延材料。公司GaN芯片设计业务是指基于技术积累设计开发GaN功率及微波芯片，向下游客户销售并提供相关应用方案。GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

2022年3月10日公司在互动易平台披露：公司参与的碳化硅半导体IGBT模块在电控的应用技术目前还在推进。

2022年8月31日公司互动易披露：公司主要是基于参股公司Saphlux研发的第三代半导体做LED的应用开发。2023年4月4日公司互动易披露：公司参股的Saphlux有半极性氮化镓材料。

公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。公司主营产品主要分为三大板块，具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5寸、6寸、8寸等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列等）。产品广泛应用于汽车电子、清洁能源、5G通讯、安防、工业、消费类电子等诸多领域，为客户提供一揽子产品、技术、服务解决方案。公司办公地址：江苏省扬州市邗江区新甘泉路68号。

2021年12月3日公司在互动平台表示，公司作为半导体功率器件供应商，其产品可广泛应用于光伏领域，涉及光伏业务收入占总收入的比重约15%-20%。公司当前在积极拓展储能领域，目前进展顺利。2021年8月30日公司在互动平台表示，公司当前无碳基半导体，公司依托在半导体领域十几年的技术积累，目前在第三代半导体已有相关技术及产品成果，公司在氮化镓项目研发上与北大有深入合作。

公司是从事先进电子材料生产、研发和销售的高新技术企业，产品广泛应用于集成电路、平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。凭借领先的生产技术、强大的研发创新实力及扎实的产业化能力，公司已经在多个领域内打破国外长期技术垄断的局面，各类产品的技术、品质、产能和服务逐步跻身世界前列。

公司主要从事化合物光电半导体材料的研发、生产和销售业务，主要产品为GaN基高亮度LED外延片、芯片。公司产品位于LED产业链上游，技术门槛和附加值均较高，所生产的产品应用领域为照明、背光、显示，主要为通用照明、植物照明、车载照明、手机背光、车载背光、屏幕显示、可穿戴设备、医疗美容等中高端应用领域。

2023年6月，公司全资子公司湖南三安与意法半导体（中国）投资有限公司将共同设立一家专门从事碳化硅外延、芯片生产的合资代工公司-三安意法半导体（重庆）有限公司。合资公司预计投入总金额为32亿美元，将根据合资公司进度需要陆续投入。合资公司注册资本为6.12亿美元，湖南三安持股比例为51%，意法半导体持股比例为49%。项目在取得各项手续批复后开始建设，2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产，规划达产后生产8吋碳化硅晶圆10,000片/周。同时，全资子公司湖南三安为加快布局车规级碳化硅芯片，决定在重庆设立全资子公司重庆三安半导体有限责任公司，主要从事生产碳化硅衬底，达产后，规划生产8吋碳化硅衬底48万片/年。该项目预计投资总额70亿元人民币，将根据项目建设进度陆续投入。

二十多年来，公司坚持走“设计制造一体化”（IDM）发展道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，在功率半导体、MEMS传感器、光电器件和第三代化合物半导体等领域构筑了核心竞争力，已成为目前国内领先的IDM公司。根据集微咨询分析师团队发布的《中国半导体企业100强（2023）》排行榜，士兰微电子荣列“中国半导体企业100强（2023）”第九位。公司注册地址为浙江省杭州市黄姑山路4号。公司预计2024年实现营业总收入120亿元左右（比2023年增长28%左右），营业总成本将控制在113亿元左右（比2023年增长26%左右）。

在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

大力扩大芯片研发团队规模，形成设计、封装、测试全流程研发生产能力，集中突破砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术，在芯片制造领域与国内流片厂深度合作，打造完整的新型半导体射频芯片产业链，在满足自用的基础上，逐渐扩大对外芯片设计、流片、测试和封装的整体芯片设计外包业务；并以5G/6G射频前端芯片和光通讯芯片为突破口，加快民品芯片设计服务拓展。

公司具备完整的具有自主知识产权的半导体产品设计和制造技术，以及完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术。公司拥有54项专利技术（其中9项发明专利）和多项专有技术，主持和参与起草多项行业标准。公司建有3个省级科研平台，积极开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。