赛微电子申请硅转接板制备方法专利，能实现大尺度MEMS器件的三维互联集成

　　据国家知识产权局公告，北京赛微电子股份有限公司申请一项名为“一种硅转接板的制备方法、及硅转接板“，公开号CN117756050A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本申请的实施例提供了一种硅转接板的制备方法、及硅转接板，所述方法包括：对硅晶圆进行刻蚀，以在所述硅晶圆中形成硅通孔，所述硅晶圆的厚度大于600um；对所述硅通孔进行预处理，以去除所述硅通孔内的杂质；在所述硅通孔预处理后，执行循环过程直至在所述硅晶圆的上表面和所述硅通孔的侧壁沉积第一预设厚度的种子层，所述循环过程包括以下步骤：采用磁控溅射方法在所述硅晶圆的上表面和所述硅通孔的侧壁沉积种子层；采用反溅射刻蚀方法对所述硅晶圆中沉积的种子层进行反向刻蚀。基于本申请的实施例提供的技术方案能制备得到极深的硅通孔硅转接板，进而能实现大尺度MEMS器件的三维互联集成。