中微公司(688012)股票信息|查股网

◆最新指标 (2026年4月股权激励后)◆

每股收益(元) :3.3680	目前流通(万股) :62691.78
每股净资产(元) :36.2003	总股本(万股) :62691.78
每股公积金(元) :23.9941	营业收入(万元) :1238463.83
每股未分配利润(元) :11.0410	营收同比(%) :36.62
每股经营现金流(元) :3.6613i	净利润(万元) :211147.30
净利率(%) :16.67	净利润同比(%) :30.69
毛利率(%) :39.17	净资产收益率(%) :9.97

◆上期主要指标◆

◇2025三季◇

每股收益(元) :1.9400	扣非每股收益(元) :1.4163
每股净资产(元) :34.2926	扣非净利润(万元) :88680.43
每股公积金(元) :23.6375	营收同比(%) :46.40
每股未分配利润(元) :9.6230	净利润同比(%) :32.66
每股经营现金流(元) :2.0735	净资产收益率(%) :5.87
毛利率(%) :39.10	净利率(%) :14.65

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业专用设备入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、ALD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。	所属地域:	上海
主营业务：
题材概念:	沪自贸区入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、ALD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。、集成电路入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、ALD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。、半导体、芯片概念、 MLED 入选理由：公司用于蓝光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMO UniMax等产品持续服务客户。截止2025年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMO UniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。公司已付运新型氮化镓功率器件应用MOCVD设备至领先客户端开展生产验证。同时，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发。、大基金概念入选理由：截止2025年12月末，中微公司第二大股东巽鑫投资的持股比例为10.94%。巽鑫投资成立于2014年12月15日，注册资本1170000.00万元，主营业务为实业投资，投资管理，投资咨询和财务咨询。企查查数据显示：巽鑫投资股东为国家集成电路产业投资基金股份有限公司，持股比例100%。、半导体设备入选理由：公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证。中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD、ALD等设备开发，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。、先进封装入选理由：公司的ICP刻蚀设备包括Primo Twin-Star、Primo nanova、Primo Menova等产品在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。公司ICP刻蚀设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV200E、PrimoTSV 300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司Primo TSV 300E刻蚀设备拓展了新的市场。与此同时，公司针对更高金属污染和颗粒物控制要求等技术需求的第三代硅通孔刻蚀机Primo Twin-Star DSE的Alpha机搭建完成，并开始客户的工艺验证。。
风格概念:	基金重仓入选理由：中微公司2026-03-31十大股东中基金持股5892.1364万股，占总股本9.41% 、大盘入选理由：中微公司 2026-04-21收盘市值1936.42亿元,全市场排名79 、沪深300 入选理由：公司为沪深300指数成分股、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、百元股入选理由：中微公司2026-04-21收盘价308.88元,全市场排名第27 、融资融券入选理由：中微公司 2026年4月20日融资净买入-8502.91万元,当前融资余额:352894.40万元、中证100 入选理由：公司为中证100成分股，是从沪深300指数样本股中挑选规模最大的100只股票组成的样本股、 MSCI中国、陆股通活跃入选理由：中微公司2026-03-31数据显示香港中央结算公司持股6590.6243万股，占总股本10.53% 。

◆控盘情况◆

	2026-02-28	2025-12-31	2025-09-30	2025-06-30

股东人数 (户)	52180	53625	60782	46928
人均持流通股(股)	11999.7	11676.4	10301.5	13342.7
人均持流通股 (去十大流通股东)	-	6098.5	5187.7	6251.7

点评:

2025年年报披露，前十大股东持有29917.42万股，较上期减少94.73万股，占总股本比47.79%，主力控盘强度一般。
截止2025年年报合计1411家机构，持有41866.52万股，占流通股比66.86%；其中1400家公募基金，合计持有17837.11万股，占流通股比28.49%。
股东户数53625户，上期为60782户，变动幅度为-11.7749%

◆概念题材◆

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【拟购买杭州众硅64.69%股权】2026年3月，公司拟通过216.77元/股发行7,028,000股股份及支付现金的方式合计作价157,604.91万元购买杭州众芯硅、宁容海川、临安众芯硅、临安众硅、杭州芯匠、杭州众诚芯等41名交易对方合计持有的杭州众硅64.69%股权，并募集配套资金不超过150,000.00万元。标的公司主营业务为化学机械平坦化抛光（CMP）设备的研发、生产及销售，属于湿法工艺核心设备，并为客户提供CMP设备的整体解决方案，是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业。通过本次交易，上市公司将成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺能力的厂商，成功实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。
更新时间：2026-04-08 13:35:38

【大基金持股】截止2025年12月末，中微公司第二大股东巽鑫投资的持股比例为10.94%。巽鑫投资成立于2014年12月15日，注册资本1170000.00万元，主营业务为实业投资，投资管理，投资咨询和财务咨询。企查查数据显示：巽鑫投资股东为国家集成电路产业投资基金股份有限公司，持股比例100%。
更新时间：2026-04-08 13:35:34

【MOCVD 设备】公司用于蓝光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMO UniMax等产品持续服务客户。截止2025年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMO UniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。公司已付运新型氮化镓功率器件应用MOCVD设备至领先客户端开展生产验证。同时，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发。
更新时间：2026-04-08 13:21:01

【薄膜沉积设备】公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证。中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD、ALD等设备开发，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。
更新时间：2026-04-08 13:20:07

【ICP 刻蚀设备】公司的ICP刻蚀设备包括Primo Twin-Star、Primo nanova、Primo Menova等产品在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。公司ICP刻蚀设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV200E、PrimoTSV 300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司Primo TSV 300E刻蚀设备拓展了新的市场。与此同时，公司针对更高金属污染和颗粒物控制要求等技术需求的第三代硅通孔刻蚀机Primo Twin-Star DSE的Alpha机搭建完成，并开始客户的工艺验证。
更新时间：2026-04-08 13:19:10

【CCP刻蚀设备】公司CCP刻蚀设备中双反应台Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIEe，单反应台PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2025年继续保持高速增长态势，单年付运超过1000个反应台。用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品Primo HD-RIEe，和用于超高深宽比刻蚀工艺的Primo UD-RIE付运量继续增加。2025年CCP刻蚀设备累计装机量超过5000反应台，连续十年保持大于30%的年平均复合增长率。在存储器件制造工艺中，公司的产品可以覆盖绝大部分刻蚀应用，2025年针对存储器件刻蚀工艺的新增装机占比继续提升。公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的Primo UD-RIE的工艺能力得到进一步验证，在2024年实现超高深宽比深孔刻蚀工艺大规模量产的基础上，2025年实现了超高深宽比沟槽刻蚀的大规模量产。
更新时间：2026-04-08 13:18:10

【高端半导体设备及泛半导体设备制造商】公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、ALD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。
更新时间：2026-04-08 13:15:45

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2022-10-10 披露原因:跌幅达15%的证券

当日成交量(万手):18.46 当日成交额(万元):168523.94 成交回报净买入额（万元）:-29545.28

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	19875.88	30372.14
华泰证券股份有限公司总部	3862.62	0
机构专用	2364.28	0
机构专用	1714.90	0
机构专用	1710.99	0
买入总计: 29528.67 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	19875.88	30372.14
机构专用	0	9561.28
机构专用	0	8913.91
机构专用	0	5202.68
瑞银证券有限责任公司上海花园石桥路证券营业部	0	5023.94
卖出总计: 59073.95 万元

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证监会行业：行业：	制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业专用设备入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、ALD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。	所属地域:	上海
主营业务：
题材概念:	沪自贸区入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、ALD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。、集成电路入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、ALD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。、半导体、芯片概念、 MLED 入选理由：公司用于蓝光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMO UniMax等产品持续服务客户。截止2025年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMO UniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。公司已付运新型氮化镓功率器件应用MOCVD设备至领先客户端开展生产验证。同时，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发。、大基金概念入选理由：截止2025年12月末，中微公司第二大股东巽鑫投资的持股比例为10.94%。巽鑫投资成立于2014年12月15日，注册资本1170000.00万元，主营业务为实业投资，投资管理，投资咨询和财务咨询。企查查数据显示：巽鑫投资股东为国家集成电路产业投资基金股份有限公司，持股比例100%。、半导体设备入选理由：公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证。中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD、ALD等设备开发，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。、先进封装入选理由：公司的ICP刻蚀设备包括Primo Twin-Star、Primo nanova、Primo Menova等产品在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。公司ICP刻蚀设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV200E、PrimoTSV 300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司Primo TSV 300E刻蚀设备拓展了新的市场。与此同时，公司针对更高金属污染和颗粒物控制要求等技术需求的第三代硅通孔刻蚀机Primo Twin-Star DSE的Alpha机搭建完成，并开始客户的工艺验证。。
风格概念:	基金重仓入选理由：中微公司2026-03-31十大股东中基金持股5892.1364万股，占总股本9.41% 、大盘入选理由：中微公司 2026-04-21收盘市值1936.42亿元,全市场排名79 、沪深300 入选理由：公司为沪深300指数成分股、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、百元股入选理由：中微公司2026-04-21收盘价308.88元,全市场排名第27 、融资融券入选理由：中微公司 2026年4月20日融资净买入-8502.91万元,当前融资余额:352894.40万元、中证100 入选理由：公司为中证100成分股，是从沪深300指数样本股中挑选规模最大的100只股票组成的样本股、 MSCI中国、陆股通活跃入选理由：中微公司2026-03-31数据显示香港中央结算公司持股6590.6243万股，占总股本10.53% 。

中微公司(688012)股票综合信息查询