微导纳米(688147)股票信息|查股网

◆最新指标 (2026年5月股权激励后)◆

每股收益(元) :0.0453	目前流通(万股) :46446.31
每股净资产(元) :6.3189	总股本(万股) :46446.31
每股公积金(元) :3.7051	营业收入(万元) :48201.48
每股未分配利润(元) :1.6465	营收同比(%) :-5.54
每股经营现金流(元) :0.1491i	净利润(万元) :2101.78
净利率(%) :4.36	净利润同比(%) :-75.01
毛利率(%) :32.76	净资产收益率(%) :0.70

◆上期主要指标◆

◇2025末期◇

每股收益(元) :0.4800	扣非每股收益(元) :0.3471
每股净资产(元) :6.2618	扣非净利润(万元) :16008.14
每股公积金(元) :3.6748	营收同比(%) :-2.47
每股未分配利润(元) :1.6127	净利润同比(%) :-3.23
每股经营现金流(元) :0.8470	净资产收益率(%) :7.92
毛利率(%) :32.69	净利率(%) :8.33

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业专用设备入选理由：公司还持续在新兴领域进行前沿化开发，为公司未来发展创造更多收入增长极。目前，公司已在固态电池、柔性电子、车规级芯片等几个极具市场潜力的高端薄膜沉积技术应用领域进行深耕布局。目前新兴领域的订单量较小，但受益于固态电池、柔性电子等市场需求增加和技术迭代升级，新兴领域高端薄膜沉积技术的应用前景十分广阔。	所属地域:	江苏
主营业务：
题材概念:	太阳能（光伏）入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、集成电路入选理由：公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。、 OLED 入选理由：公司设备主要应用于硅基OLED、micro LED的阻水阻氧保护层制备，该类硅基OLED、micro LED具有尺寸小、便携性等特点，主要用于近眼显示系统和投影显示，市场前景广阔且发展迅速。薄膜沉积环节是影响其量产的关键技术之一。在该领域内，产品已陆续获得了如京东方等多个新型显示硅基面板知名厂商的验收和重复订单。、半导体入选理由：公司作为国内ALD与高端CVD设备的主要供应商，相关设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，相关工艺技术对推动DRAM、3D NAND等存储芯片技术的迭代与产业化具有关键支撑作用。未来，伴随3D结构层数持续增长以及客户扩产及国产化率的提升，公司有望深度受益。、 HJT电池入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、钙钛矿电池入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、 TOPCon电池入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、半导体设备入选理由：公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。、 BC电池入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、先进封装入选理由：公司相关设备已在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流。产品采用独特低温控制技术，在保证薄膜高质量沉积的同时，满足先进封装技术低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜沉积等低温高质量薄膜需求，适配HBM、Chiplet、2.5D/3D封装等先进封装技术对薄膜沉积设备提出的全新技术要求。先进封装技术是提升芯片整体性能的重要路径，市场发展潜力巨大。公司作为国内少数具备该领域设备研发与生产能力的企业之一，相关业务预计将获得良好的发展机遇。。
风格概念:	中盘入选理由：微导纳米 2026-06-05收盘市值392.47亿元,全市场排名525 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：微导纳米 2026年6月5日融资净买入-64.57万元,当前融资余额:54451.41万元。

◆控盘情况◆

	2026-03-31	2025-12-31	2025-09-30	2025-06-30

股东人数 (户)	16780	15275	18586	10877
人均持流通股(股)	27482.6	30190.3	5442.7	9300.1
人均持流通股 (去十大流通股东)	5916.2	6082.2	4774.9	7188.3

点评:

2026年一季报披露，前十大股东持有36194.35万股，较上期减少636.95万股，占总股本比78.48%，主力控盘强度非常高。
截止2026年一季报合计33家机构，持有29108.21万股，占流通股比63.12%；其中29家公募基金，合计持有1338.25万股，占流通股比2.90%。
股东户数16780户，上期为15275户，变动幅度为9.8527%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

点击下列板块名称，查看个股与板块相关性

【高端微纳装备制造商】公司是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
更新时间：2026-05-22 15:59:35

【新型显示领域】公司设备主要应用于硅基OLED、micro LED的阻水阻氧保护层制备，该类硅基OLED、micro LED具有尺寸小、便携性等特点，主要用于近眼显示系统和投影显示，市场前景广阔且发展迅速。薄膜沉积环节是影响其量产的关键技术之一。在该领域内，产品已陆续获得了如京东方等多个新型显示硅基面板知名厂商的验收和重复订单。
更新时间：2026-05-22 15:59:29

【拓展新兴领域】公司还持续在新兴领域进行前沿化开发，为公司未来发展创造更多收入增长极。目前，公司已在固态电池、柔性电子、车规级芯片等几个极具市场潜力的高端薄膜沉积技术应用领域进行深耕布局。目前新兴领域的订单量较小，但受益于固态电池、柔性电子等市场需求增加和技术迭代升级，新兴领域高端薄膜沉积技术的应用前景十分广阔。
更新时间：2026-05-22 15:58:31

【光伏领域】公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。
更新时间：2026-05-22 15:57:46

【先进封装领域】公司相关设备已在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流。产品采用独特低温控制技术，在保证薄膜高质量沉积的同时，满足先进封装技术低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜沉积等低温高质量薄膜需求，适配HBM、Chiplet、2.5D/3D封装等先进封装技术对薄膜沉积设备提出的全新技术要求。先进封装技术是提升芯片整体性能的重要路径，市场发展潜力巨大。公司作为国内少数具备该领域设备研发与生产能力的企业之一，相关业务预计将获得良好的发展机遇。
更新时间：2026-05-22 15:56:55

【存储领域】公司作为国内ALD与高端CVD设备的主要供应商，相关设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，相关工艺技术对推动DRAM、3D NAND等存储芯片技术的迭代与产业化具有关键支撑作用。未来，伴随3D结构层数持续增长以及客户扩产及国产化率的提升，公司有望深度受益。
更新时间：2026-05-22 15:56:40

【半导体领域】公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。
更新时间：2026-05-22 15:54:41

【募资投向】公司募集资金扣除发行费用后，将投资于以下项目：基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目，项目总投资额26421.02万元，本项目拟基于公司现有ALD设备产线进行升级扩产，开发适用于光伏、柔性电子的ALD设备，新增年产120台ALD设备的生产能力；基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目，项目总投资额63310.80万元，本项目拟基于公司现有ALD设备产线进行升级扩产，开发适用于半导体的ALD设备，新增年产40套ALD设备；集成电路高端装备产业化应用中心项目，项目总投资额11811.74万元；补充流动资金，项目总投资额15000.00万元。
更新时间：2025-10-17 15:26:44

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2025-09-24 披露原因:涨幅达15%的证券

当日成交量(万手):29.31 当日成交额(万元):165455.33 成交回报净买入额（万元）:4421.60

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	5345.82	0
高盛（中国）证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部	3983.32	0
光大证券股份有限公司上海淮海中路证券营业部	3446.31	0
开源证券股份有限公司西安西大街证券营业部	2211.17	0
长城证券股份有限公司西北分公司	2130.34	0
买入总计: 17116.96 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
爱建证券有限责任公司上海锦康路证券营业部	0	4314.39
华福证券有限责任公司石狮金林路证券营业部	0	2920.49
沪股通专用	0	2502.33
国联民生证券股份有限公司无锡硕放镇通祥路证券营业部	0	1688.09
中国银河证券股份有限公司上海高科东路证券营业部	0	1270.06
卖出总计: 12695.36 万元

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证监会行业：行业：	制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业专用设备入选理由：公司还持续在新兴领域进行前沿化开发，为公司未来发展创造更多收入增长极。目前，公司已在固态电池、柔性电子、车规级芯片等几个极具市场潜力的高端薄膜沉积技术应用领域进行深耕布局。目前新兴领域的订单量较小，但受益于固态电池、柔性电子等市场需求增加和技术迭代升级，新兴领域高端薄膜沉积技术的应用前景十分广阔。	所属地域:	江苏
主营业务：
题材概念:	太阳能（光伏）入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、集成电路入选理由：公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。、 OLED 入选理由：公司设备主要应用于硅基OLED、micro LED的阻水阻氧保护层制备，该类硅基OLED、micro LED具有尺寸小、便携性等特点，主要用于近眼显示系统和投影显示，市场前景广阔且发展迅速。薄膜沉积环节是影响其量产的关键技术之一。在该领域内，产品已陆续获得了如京东方等多个新型显示硅基面板知名厂商的验收和重复订单。、半导体入选理由：公司作为国内ALD与高端CVD设备的主要供应商，相关设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，相关工艺技术对推动DRAM、3D NAND等存储芯片技术的迭代与产业化具有关键支撑作用。未来，伴随3D结构层数持续增长以及客户扩产及国产化率的提升，公司有望深度受益。、 HJT电池入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、钙钛矿电池入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、 TOPCon电池入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、半导体设备入选理由：公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。、 BC电池入选理由：公司作为率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。2025年，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录。、先进封装入选理由：公司相关设备已在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流。产品采用独特低温控制技术，在保证薄膜高质量沉积的同时，满足先进封装技术低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜沉积等低温高质量薄膜需求，适配HBM、Chiplet、2.5D/3D封装等先进封装技术对薄膜沉积设备提出的全新技术要求。先进封装技术是提升芯片整体性能的重要路径，市场发展潜力巨大。公司作为国内少数具备该领域设备研发与生产能力的企业之一，相关业务预计将获得良好的发展机遇。。
风格概念:	中盘入选理由：微导纳米 2026-06-05收盘市值392.47亿元,全市场排名525 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：微导纳米 2026年6月5日融资净买入-64.57万元,当前融资余额:54451.41万元。

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