碳化硅（SiC），一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域。
注：显示所有成份股披露的最新一期业绩预告