碳化硅概念股龙头股&碳化硅板块成分股

公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。公司重点研发和生产第三代半导体材料碳化硅晶体，目前有8英寸电阻炉和电感炉10台。公司将继续加快碳化硅晶体的研制工作，力争尽快实现小规模量产，同时进行衬底加工生产线的建设及其研发、验证和小规模量产。公司在碳化硅制程相关设备成立了专门的研发团队，为未来市场化布局核心技术和竞争力。

2023年10月23日公司在互动易平台披露：针对车规级SIC预期将大规模应用，国联万众公司第三代半导体材料及应用联合创新基地一期项目正在按计划分阶段进行，目前已基本能月产2000片碳化硅功率产品，产能逐步达产中，预期明年国联万众自身碳化硅功率产品产能将进一步提升至5000-10000片/月；国联万众公司募投项目有部分采购周期长的设备已签订供货合同，提前布局产能建设。2023年11月22日公司在互动易平台披露：国联万众公司目前生产的碳化硅二极管和碳化硅MOSFET、氮化镓芯片产品具有完全知识产权，具有相关专利。

2023年7月，公司基于公司战略规划，结合市场发展前景和业务布局，拟使用自有资金对全资子公司海希智能科技（浙江）有限公司增资10,000万元人民币开展碳化硅模组模块、新能源相关产品等业务。公司通过引入辰隆数字建立长期稳定的战略合作伙伴关系，开展碳化硅模组模块、储能新业务带动产业多元化发展，推动公司高质量持续发展。碳化硅模组模块可应用于储能设备，公司拟进行碳化硅模组模块和储能装备项目的投资建设，建设期约24个月（包括厂房建设和设备采购），新建模组厂房、电芯车间、集成车间、原材料库房等建筑，项目建成后将成为提供模组模块、电芯、电池模组、储能系统集成等产品在内的一体化大型工业基地。

在第三代半导体器件方面，公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列，SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。SiC SBD是由金属和碳化硅材料接触形成的快速恢复肖特基二极管，与SiC MOSFET同属于功率器件。SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。

公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计一体化、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

公司承担了16项国家级及省部级科研或技改项目，其中包括1项国家科技重大专项，并参与了4项国家标准及1项电子行业标准的制定工作，连续六年获得“中国半导体功率器件十强企业”称号。截至2022年6月30日，公司已获得授权的专利共计280项。公司加强市场、技术战略研究，做好技术创新规划布局，围绕高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC和硅光芯片，发挥特色工艺优势，发力高端产品，丰富产品种类和工艺种类，加快12英寸线建设，提升制程水平，推动SiC、GaN第三代半导体的工艺技术研发及产业化，满足市场需求。

第三代半导体扩产热度不减，公司从碳化硅晶圆激光划片设备、退火设备拓展至切片设备。2022年公司正式推出碳化硅晶锭激光切片技术，完成其工艺研发和测试验证，2023年取得头部客户批量订单，现处于市场开拓阶段。碳化硅晶锭激光切片技术主要面向碳化硅晶锭的分片环节，材科损耗小，加工效率高，设备运行无需耗材，加工成本低，可最大支持8英寸晶锭分切、最大切割速度800mm/s。相比于传统金刚丝切割工艺，材料耗损少，晶片产出高，良率可控，切割效率也具有较大优势。碳化硅晶锭切片技术打破国外在第三代半导体核心装备领域的技术垄断，打破我国第三代半导体各环节国产化率低，依赖进口的局面。

公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。公司开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并开始小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。为应对未来更加复杂的市场变化，东微半导积极开拓海外市场。目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。除欧洲市场之外，公司开始开拓北美及东南亚市场，致力于发展全球客户。随着人工智能的发展和数据中心建设如火如荼的展开，公司发明的一系列Si2CMOSFET器件、SiCMOSFET器件及超低电阻超级结器件将可以在此类市场中实现销售额的高速增长。

公司是国内最早同时布局导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底产品的企业之一，在碳化硅衬底技术研发和产业化生产方面具有领先优势。得益于公司在导电型碳化硅衬底产品方面持续的技术投入和产业化经验，公司济南工厂的产能调整进展顺利。2022年各季度随着导电型碳化硅衬底产量持续爬坡，按季度营业收入保持快速增长。截至2022年末，济南工厂导电型产品的产量已超过半绝缘型产品。根据YOLE报告，2022年，公司在半绝缘碳化硅衬底领域，市场占有率连续四年保持全球前三，公司是国际上少数几家同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。随着公司新建上海工厂产能的逐步释放，预计公司在功率SiC领域将获得更大的市场影响力。

2022年1月，公司完成以45.48元/股向特定对象发行行股数确定为10,993,843股，募集资金总额为499,999,979.64元。在扣除发行费用后将用于碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目和补充流动资金项目，项目总投资69,556.00万元。其中碳化硅功率器件的研发和产业化项目达产后可实现年均营业收入6.05亿元，年均净利润0.53亿元。

公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2023年，公司IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2023年新能源乘用车功率模块装机量达100.55万套市占率12.5%，排名第三,集中式光伏IGBT模块市占率快速提升，组串式模块实现批量供货，超精细沟槽7.5代STMOS+产品效率提升明显，达到国际领先水平，5MWIGBT制氢电源助力国内首个万吨级绿电制氢项目成功产氢，第三代1200VSiCMOSFET芯片达到国内先进水平，半导体三期项目迅速推进，宜兴产线已完成主体工程封顶。另，公司IGBT器件在柔性直流输电工程有应用。

公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目，进入小批量试验阶段。拟达到目标：1.氮化镓材料的芯片测试技术研究，形成测试工艺规范；2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术，满足车规级产品可靠性需求；3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能；4.全线成品率>98%；5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另，2022年9月7日，公司在投资者互动平台表示，公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管，其中，功率二极管部分包括碳化硅二极管，功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

随着第三代功率半导体器件，如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场，功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大，芯片功率密度更高，损耗更低，集成度更高以及封装体积更紧凑，高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下，国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中，除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展，SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点，也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局，相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。

公司宽禁带半导体以中高端应用推广为主线，在宽禁带功率器件产品新兴赛道取得了技术和产业化的显著进步。碳化硅以及氮化镓功率产品不断迭代升级与丰富，产业化进程与品牌竞争力大幅提升。碳化硅二极管二代平台已完成650V、1200V全系列化产品开发，覆盖目前主流应用需求，产品在汽车电子OBC、充电桩、储能、光伏、大功率电源方面批量供应；碳化硅二极管三代平台开发进展顺利，Rsp等各项参数达到国际领先产品水平，预计2023年将实现产品系列化。SiCMOS电压覆盖650V/1200V/1700V，在新能源汽车OBC、光伏储能、工业电源等领域通过多个客户测试并批量出货。车规级SiCMOS和SiC模块研发工作进展顺利，已完成多款SiCMOS模块产品出样。碳化硅器件整体销售规模同比增长约2.3倍，投片量逐月稳步增加。氮化镓产品方面，650V和900V级联型氮化镓器件产品推向市场，营收实现快速增长，产品应用以PC电源、电机驱动、照明电源、手机快充为主。公司加快8吋氮化镓工艺优化与产品开发，并同步推进储能电源、光伏逆变器、工业电源、通讯电源的产品开发和规划。

随着新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域下游需求的爆发增长，未来SiC器件的市场规模成倍扩大，碳化硅材料市场供应将持续增加。公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年公司参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达半导体股份有限公司9.09%的股份，成为该公司第二大股东。未来，公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

公司晶体材料专用设备包括晶体生长炉和成套加工设备，应用领域从光伏、蓝宝石、压电晶体逐步扩展到半导体行业，产品类型涵盖了从晶体生长到晶体加工一系列应用设备，包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机等。蓝宝石和压电晶体设备确保公司在蓝宝石材料、压电材料方面的优势，不对外销售，仅限于自用。公司的晶体设备主要是单晶硅、蓝宝石等晶体的生长设备与切磨抛加工设备，近年来的主力是光伏设备。公司从2010年开始从事光伏单晶炉及相关成套设备的生产制造，由于公司单晶炉最初的设计理念是适用于电子级N型单晶的生长，技术起点高、结构设计先进，配置高端，自动化、集控化程度高，经过这几年来不断的技术迭代和自主创新。今年上半年推出了性价比合适的N型低氧型炉台，在保证大产能的前提下还能保证低的氧含量，未来在TOPCON电池技术不断加持的前提下，单晶炉市场未来可期。同时公司在硅棒加工领域推出了高效的开方机，该产品产出效率及精度高，一推出市场就受到市场的青睐，已接到头部企业的批量订单。

2023年9月13日公司在互动平台披露，公司在半导体领域孵化了力合微、芯邦科技、瑞波光电等多个代表性企业，涵盖了通信芯片、存储芯片、激光芯片等细分赛道。力合微专注于电力线通信（PLC）技术和芯片的研发和生产；芯邦科技聚焦于存储控制芯片以及智能家居控制芯片的开发与应用；瑞波光电从事高端大功率半导体激光芯片的研发和生产。2022年11月17日公司在互动平台披露，公司在半导体领域孵化了芯海科技、基本半导体、博雅科技、芯邦科技等科技企业。其中，芯海科技是集感知、计算、控制、连接于一体的全信号链集成电路设计企业；基本半导体致力于碳化硅功率器件的研发与产业化；博雅科技致力于存储类芯片的设计研发；芯邦科技是移动储存和智能家居领域控制芯片的领军企业。

2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

公司控股子公司英唐微技术专注于光电转换和图像处理的模拟IC和数字IC产品的研发生产，主要产品包括车载IC产品和光学传感器产品。其采用IDM模式，通过自有团队及生产线完成芯片设计、晶圆制造、测试等业务环节，形成了一支经验丰富且稳定的研发和工艺团队。截至2022年底，英唐微技术的研发人员和生产人员总人数超过140人，占英唐微技术总人数的60%以上，且平均从业经验在12年以上，具有丰富的技术沉淀。英唐微技术可为公司后续产能布局提供传感器领域产品所需的研发制造技术、6英寸晶圆产线运营所需的工艺、团队和管理运营机制支持。2022年坚定产线落地，深化产能布局公司控股子公司英唐微技术专注于光电转换和图像处理的模拟IC和数字IC产品的研发生产，主要产品包括车载IC产品和光学传感器产品。其采用IDM模式，通过自有团队及生产线完成芯片设计、晶圆制造、测试等业务环节，形成了一支经验丰富且稳定的研发和工艺团队。截至2022年底，英唐微技术的研发人员和生产人员总人数超过140人，占英唐微技术总人数的60%以上，且平均从业经验在12年以上，具有丰富的技术沉淀。英唐微技术可为公司后续产能布局提供传感器领域产品所需的研发制造技术、6英寸晶圆产线运营所需的工艺、团队和管理运营机制支持。

在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

2023年10月20日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。目前公司碳化钽产业化项目已建成投产，高纯碳粉已实现小批量生产。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售，目前公司已经安装280台长晶炉，碳化硅项目正常推进中。2022年3月22日公司互动易披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

公司参股瞻芯电子4.73%股权，瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，已完成国内第一个基于6英寸碳化硅晶圆的SiCMOSFET和SBD工艺平台开发。

2023年11月1日公司互动易披露：公司的碳化硅类产品主要包括应用于航空航天领域的陶瓷基复合材料产品，新能源/半导体用碳化硅涂层类产品等。目前，公司的碳化硅技术储备较为深厚，具备不同领域/复杂环境条件下产品的研制开发能力，处于国内先进水平。

公司具备完整的具有自主知识产权的半导体产品设计和制造技术，以及完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术。公司拥有54项专利技术（其中9项发明专利）和多项专有技术，主持和参与起草多项行业标准。公司建有3个省级科研平台，积极开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

2022年1月向不特定对象发行可转换公司债券注册的批复。2021年10月，行可转换公司债券申请获得深交易所委员会审核通过。2021年2月，公司拟发行可转债募集资金总额不超过人民币35,026.00万元（含35,026.00万元），扣除发行费用后，募集资金拟投入年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目、高性能有色金属膏状钎焊材料产业化项目、温度传感器用复合材料及元件产业化项目、碳化硅单晶研发项目和补充流动资金，项目总投资39,803万元。

公司基于多年的晶体材料生长及加工技术和工艺积累，延伸产业链布局，使用自主研发的晶体生长及加工设备，通过技术和工艺创新，打造高品质材料核心竞争力，发展了蓝宝石材料、碳化硅材料、石英坩埚以及金刚线等具有广阔应用场景的材料业务。

2022年7月31日公司在互动易平台披露：公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出；公司GaN业务正常发展中，正在不断拓展产品品类、完善产业链环节；除不断迭代手机快充产品（如近期公司子公司聚能创芯克服高频应用下的串扰、EMI等问题，充分利用氮化镓的高频特性优势，基于全套自研氮化镓器件，推出了两款300KHz高频氮化镓快充的参考设计，实现更小尺寸、更优性能、更具竞争力）外，正积极为智能家电、5G基站、数据中心、新能源汽车、光伏逆变器等领域储备相关技术及产品。

2021年8月3日公司在互动平台披露：公司有生产碳化硅，基本都使用在公司密封产品中。

2022年3月10日公司在互动易平台披露：公司参与的碳化硅半导体IGBT模块在电控的应用技术目前还在推进。

公司碳化硅各环节业务顺利推进，衬底已通过几家国际大客户验证，其中一家实现批量出货，且2023年、2024年供应已基本锁定；碳化硅芯片应用于光伏、储能、新能源汽车等可靠性要求高的领域。2022年，公司碳化硅二极管累计出货量领跑行业，累计出货量超一亿颗，产品持续迭代，已推出第四代高性能产品，且有7款通过车规认证并开始逐步出货。湖南三安与理想合资成立苏州斯科半导体，规划年产240万只碳化硅半桥功率模块，目前该项目基础建设已完成，设备正陆续入厂，已进入安装调试阶段，待产线通线后进入试生产。碳化硅MOSFET代工业务已与龙头新能源汽车及配套企业展开合作，与某知名车企签署芯片战略采购意向协议总金额达38亿元，另一重要客户订单金额19亿元（不含税），截至目前，已签署的碳化硅MOSFET长期采购协议总金额超70亿元，另有几家新能源汽车客户的合作意向在跟进。硅基氮化镓产品主要应用于快充适配器、服务器电源等，客户送样及系统验证进程加速，公司目前拥有650V氮化镓代工平台。

公司半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。2023年度，公司半导体设备的研发和销售工作也在积极推进中，公司高端设备产品金刚石炉取得少量销售订单。2023年12月25日公司在互动平台披露：公司高端装备业务包括光伏设备和半导体设备，光伏设备包括软轴单晶硅炉、金刚线切片机等；半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备等。公司生产的区熔单晶硅炉是“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项中硅单晶区熔设备研制的科研成果。

公司半导体行业产品为碳化硅半导体材料。以碳化硅为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一，与硅材料相比，以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。根据Yole数据，2027年全球导电型碳化硅功率器件市场规模将由2021年的10.90亿美元增至62.97亿美元，2021-2027年每年以34%年均复合增长率快速增长。公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长，根据Yole数据，2021年全球导电型碳化硅衬底市场规模为3.80亿美元，预计2027年将增长至21.6亿美元。

截至2023年12月31日，本公司对常州臻晶半导体有限公司（简称“常州臻晶”）持股比例9.2038%，根据投资协议，公司对常州臻晶已提名并派驻董事，能够对常州臻晶产生重大影响。常州臻晶主营第三代半导体碳化硅（SiC）液相法晶体研发、生产和销售。