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斯达半导(603290)股票综合信息查询

 
沪深个股板块DDE历史数据查询:    
 
◆最新指标 (2025年三季报)◆
每股收益(元)        :1.5900
目前流通(万股)     :23947.35
每股净资产(元)      :28.8765
总 股 本(万股)     :23947.35
每股公积金(元)      :16.5544
营业收入(万元)     :298961.70
每股未分配利润(元)  :10.8902
营收同比(%)        :23.82
每股经营现金流(元)  :1.5994i
净利润(万元)       :38184.01
净利率(%)           :12.93
净利润同比(%)      :-9.80
毛利率(%)           :27.91
净资产收益率(%)    :5.61
◆上期主要指标◆◇2025中期◇
每股收益(元)        :1.1500
扣非每股收益(元)  :1.0885
每股净资产(元)      :28.4327
扣非净利润(万元)  :26065.53
每股公积金(元)      :16.5544
营收同比(%)       :26.25
每股未分配利润(元)  :10.4459
净利润同比(%)     :0.26
每股经营现金流(元)  :1.5215
净资产收益率(%)   :4.05
毛利率(%)           :29.74
净利率(%)         :14.42
◆ 公司概要 ◆

证监会行业:

行业:

制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业

电子设备

入选理由:公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案,产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等,广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

所属
地域:

主营业务:
题材概念: 集成电路
入选理由:2025年上半年,应用于主控制电路的工业级MCU芯片已经流片成功,主要功能测试通过,预计下半年开始给客户测试送样,2026年开始批量销售;公司在工业控制和电源行业持续开展新产品和新技术的推进,公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在国内外多家工控客户测试通过并开始批量使用。
新能源车
入选理由:2025年上半年,基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的Plus版本芯片开始批量装车,已经在多个主流800V双电控平台实现批量交付,公司车规级IGBT模块在欧洲一线品牌Tier1持续大批量交付,公司产品通过国内外Tier1配套欧洲、印度、北美等国家和地区的本地OEM厂商,公司自建6英寸SiC芯片产线随着量产车型迅速爬坡,芯片和模块良率均达到国际领先水平。2025年上半年,公司自主研发的车规级第二代SiCMOSFET芯片开始批量出货,平台电压覆盖750V、1200V、1400V、1500V等多个电压等级,将对应配套400V、800V、1000V等电压平台主电驱项目。
半导体
入选理由:2025年上半年,公司完成了美垦半导体股权交割,交割完成后公司控制美垦半导体80%股权,美的集团保留20%股权。通过此次战略控股,将有助于公司加速对变频白色家电市场的拓展,为公司后续业绩快速增长提供有力保障。公司芯片生产采取“Fabless+IDM双轮驱动“的混合业务模式,通过与华虹半导体等全球头部代工厂深度合作,通过自建6英寸SiCMOSFET芯片和3300V以上高压IGBT芯片生产线,掌握关键工艺节点自主权,缩短产品开发周期,为新能源汽车、智能电网等场景提供定制化解决方案。
芯片概念
入选理由:公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、重庆、欧洲设有子公司,并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiC MOSFET等功率模块的设计、制造和测试,公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。2023年,公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量,合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器。公司在车用空调,充电桩,电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。
IGBT概念
入选理由:公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案,产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等,广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。
第三代半导体
入选理由:公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案,产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等,广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。
汽车芯片
入选理由:2024年,公司正式成立MCU事业部,专注于高端工规与车规级主控MCU的研发。2025年上半年,应用于主控制电路的工业级MCU芯片已经流片成功,主要功能测试通过,预计下半年开始给客户测试送样,2026年开始批量销售。公司募投项目SiC芯片研发及产业化项目以及高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目,目前已经完成项目建设,形成了年产6万片6英寸车规级SiCMOSFET芯片以及30万片6英寸3300V以上高压特色功率芯片的生产能力。
风格概念: 中盘
入选理由:斯达半导 2025-12-25收盘市值232.60亿元,全市场排名843
融资融券
入选理由:斯达半导 2025年12月24日融资净买入-1928.63万元,当前融资余额:81525.27万元
MSCI中国
◆控盘情况◆
 
2025-09-30
2025-06-30
2025-03-31
2024-12-31
股东人数    (户)
65621
53935
56833
58944
人均持流通股(股)
3649.3
4440.0
4213.6
4062.7
人均持流通股
(去十大流通股东)
1476.1
1696.1
1629.3
1551.3
点评:
2025年三季报披露,前十大股东持有14262.70万股,较上期减少538.25万股,占总股本比59.56%,主力控盘强度较高。
截止2025年三季报合计13家机构,持有14147.28万股,占流通股比59.08%;其中7家公募基金,合计持有268.99万股,占流通股比1.12%。
股东户数65621户,上期为53935户,变动幅度为21.6668%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同,在基金、上市公司报表披露期间,数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓,因此中报/年报统计更为准确。
◆概念题材◆

点击下列板块名称,查看个股与板块相关性


【功率半导体芯片和模块】公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案,产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等,广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。
更新时间:2025-12-25 14:40:53

【光伏逆变器、储能】2025年上半年,公司应用于光伏逆变器、储能等下游行业的多个封装系列的新一代750V、1200V SiC MOSFET分立器件(单管)产品开始批量交付。公司基于第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术的面向地面电站组串式光伏320KW逆变器模块在多家头部客户持续稳定大批量交付;公司基于第七代微沟槽 Trench FieldStop 技术的面向工商业光伏150KW逆变器模块在多家头部光伏逆变器客户稳定大批量交付。
更新时间:2025-12-25 14:40:49

【商业航空领域】公司持续在AI服务器电源、数据中心、机器人、低空/高空飞行器等新兴行业进行产品开发。2025年上半年,公司车规级IGBT和SiCMOSFET模块获得多个低空飞行器项目定点,并且多个项目开始批量装机;公司车规级SiCMOSFET模块获得载人电动商用飞行器定点,公司产品首次进入商业航空领域,预计2026开始批量销售。目前,公司产品已通过电源客户大批量应用于服务器电源及数据中心设备,同时开展对下一代AI服务器电源、数据中心所需IGBT、SiCMOSFET、GaN等产品系列的开发,预计2026年开始推向市场。
更新时间:2025-12-25 14:40:44

【工业控制和电源行业】2025年上半年,应用于主控制电路的工业级MCU芯片已经流片成功,主要功能测试通过,预计下半年开始给客户测试送样,2026年开始批量销售;公司在工业控制和电源行业持续开展新产品和新技术的推进,公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在国内外多家工控客户测试通过并开始批量使用。
更新时间:2025-12-25 14:37:19

【新能源汽车】2025年上半年,基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的Plus版本芯片开始批量装车,已经在多个主流800V双电控平台实现批量交付,公司车规级IGBT模块在欧洲一线品牌Tier1持续大批量交付,公司产品通过国内外Tier1配套欧洲、印度、北美等国家和地区的本地OEM厂商,公司自建6英寸SiC芯片产线随着量产车型迅速爬坡,芯片和模块良率均达到国际领先水平。2025年上半年,公司自主研发的车规级第二代SiCMOSFET芯片开始批量出货,平台电压覆盖750V、1200V、1400V、1500V等多个电压等级,将对应配套400V、800V、1000V等电压平台主电驱项目。
更新时间:2025-12-25 14:34:52

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2024-10-09 披露原因:连续三个交易日内,涨幅偏离值累计达20%的证券

当日成交量(万手):23.87 当日成交额(万元):257037.06 成交回报净买入额(万元):1521.13

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
沪股通专用12357.380
中信证券股份有限公司上海分公司7907.420
高盛(中国)证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部7751.860
摩根大通证券(中国)有限公司上海银城中路证券营业部3399.520
中信建投证券股份有限公司成都市马家花园证券营业部2807.120
买入总计: 34223.30 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
沪股通专用016182.20
财通证券股份有限公司杭州文二西路证券营业部05731.10
广发证券股份有限公司广州花城大道证券营业部03670.22
中信证券股份有限公司深圳分公司03561.46
机构专用03557.19
卖出总计: 32702.17 万元

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