国博电子(688375)股票信息|查股网

◆最新指标 (2025年三季报)◆

每股收益(元) :0.4100	目前流通(万股) :59601.49
每股净资产(元) :10.4005	总股本(万股) :59601.49
每股公积金(元) :6.9381	营业收入(万元) :156851.12
每股未分配利润(元) :2.0821	营收同比(%) :-13.51
每股经营现金流(元) :-0.0584i	净利润(万元) :24711.51
净利率(%) :15.75	净利润同比(%) :-19.35
毛利率(%) :38.12	净资产收益率(%) :3.97

◆上期主要指标◆

◇2025中期◇

每股收益(元) :0.3400	扣非每股收益(元) :0.3350
每股净资产(元) :10.3219	扣非净利润(万元) :19964.57
每股公积金(元) :6.9382	营收同比(%) :-17.82
每股未分配利润(元) :2.0054	净利润同比(%) :-17.66
每股经营现金流(元) :0.1173	净资产收益率(%) :3.20
毛利率(%) :39.11	净利率(%) :18.81

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司的GaN射频模块主要应用于4G、5G基站设备中，并积极布局6G移动通信应用，是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。公司推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。公司在先进封装领域不断优化工艺技术，新型高导热材料封装技术、低成本塑封空腔封装技术等陆续应用，持续提升成品率、降低生产成本，保证产品的竞争力。加快封装基板研究、无源传输设计、三维堆叠和工艺植球技术攻关，构建微波、数字异构集成产品谱系。	所属地域:	江苏
主营业务：
题材概念:	5G 入选理由：公司的GaN射频模块主要应用于4G、5G基站设备中，并积极布局6G移动通信应用，是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。公司推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。公司在先进封装领域不断优化工艺技术，新型高导热材料封装技术、低成本塑封空腔封装技术等陆续应用，持续提升成品率、降低生产成本，保证产品的竞争力。加快封装基板研究、无源传输设计、三维堆叠和工艺植球技术攻关，构建微波、数字异构集成产品谱系。、航天军工入选理由：自成立以来，公司承担了多项国家防务领域重大科研任务，以及发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向5G通信的射频前端关键器件及芯片”等国家重大专项，江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”、江苏省科学技术厅“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化项目”等省级项目，公司为国家科技水平的进步做出了卓有成效的贡献。、央企改革入选理由：公司控股股东为中电国基南方集团，实际控制人为中国电子科技集团。、商业航天（航天航空）入选理由：公司自主研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。公司积极推进射频组件设计数字化转型，开展设计平台数智化建设，通过自动化软件开发与实战化应用，实现T/R组件设计关键环节效率的大幅提升。重点围绕W波段有源相控微系统，开创性建立W波段产品谱系，通过自主创新的异构集成技术开发和无源传输技术攻关，实现产品异步开发，建立W波段管芯模型设计相应的多通道多功能芯片，填补公司在该领域多功能芯片空白；低剖面宽带毫米波数字阵列，突破了高密度集成封装、毫米波高效率大功率等关键技术等新领域，持续开展相关关键技术攻关，拓宽超宽带T/R组件产品谱系、形成超宽带被动接收机谱系，打造高集成度功分网络产品，为新一代产品开拓打下基础。公司积极开展T/R组件应用领域拓展，在低轨卫星、商业航天、通信等多个领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款产品已开始交付客户。、集成电路入选理由：公司主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。、半导体入选理由：公司主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。、芯片概念入选理由：2025年10月，公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片，在手机等终端中成功量产应用，累计交付数量超100万只。公司将持续进行技术方案的升级，加速在终端厂商的应用验证。随着终端应用对射频功放要求的持续提升，大功率、高带宽、高效率射频功放成为技术发展趋势，当前主流的砷化镓射频功放技术受限于材料特性，面临性能局限性的挑战。硅基氮化镓功放芯片具备新型三代半导体材料的性能优势，将随着硅基氮化镓功放芯片产业链的技术进步和规模扩张，进一步扩大产品优势并持续提升。预计公司新产品将持续对现有砷化镓终端功放产品形成替代，并有望在终端射频功放领域全频段、全场景推广应用，该产品系列有望为公司营收提供第二增长曲线。、砷化镓入选理由：公司结合技术发展趋势和市场需求痛点，进一步推进新材料、新器件的开发应用，进一步完善和拓展产品种类及谱系，积极推进建立集成开发设计研发体系，推进先进封装技术产品化应用，合理布局一代（Si）、二代（GaAs）、三代（GaN）半导体射频IC和模块的技术研究和产品开发，强化客制化产品定向设计开发优势，聚焦重点应用有计划地开展技术研究和产品开发，持续拓展系统级应用市场。、中国电科集团入选理由：公司控股股东为中电国基南方集团，实际控制人为中国电子科技集团。。
风格概念:	基金重仓入选理由：国博电子2025-10-30十大股东中基金持股1754.8698万股，占总股本2.95% 、中盘入选理由：国博电子 2025-12-05收盘市值405.77亿元,全市场排名436 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：国博电子 2025年12月5日融资净买入-738.43万元,当前融资余额:18658.57万元。

◆控盘情况◆

	2025-09-30	2025-06-30	2025-03-31	2024-12-31

股东人数 (户)	7039	7485	6970	8134
人均持流通股(股)	84673.2	35467.2	38087.9	32637.4
人均持流通股 (去十大流通股东)	11774.7	7721.9	8207.9	6460.6

点评:

2025年三季报披露，前十大股东持有51325.03万股，较上期减少668.35万股，占总股本比86.12%，主力控盘强度非常高。
截止2025年三季报合计23家机构，持有51437.78万股，占流通股比86.30%；其中16家公募基金，合计持有1867.63万股，占流通股比3.13%。
股东户数7039户，上期为7485户，变动幅度为-5.9586%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

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【有源相控阵T/R组件和射频集成电路】公司主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。
更新时间：2025-10-30 09:59:28

【硅基氮化镓功率放大器芯片】2025年10月，公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片，在手机等终端中成功量产应用，累计交付数量超100万只。公司将持续进行技术方案的升级，加速在终端厂商的应用验证。随着终端应用对射频功放要求的持续提升，大功率、高带宽、高效率射频功放成为技术发展趋势，当前主流的砷化镓射频功放技术受限于材料特性，面临性能局限性的挑战。硅基氮化镓功放芯片具备新型三代半导体材料的性能优势，将随着硅基氮化镓功放芯片产业链的技术进步和规模扩张，进一步扩大产品优势并持续提升。预计公司新产品将持续对现有砷化镓终端功放产品形成替代，并有望在终端射频功放领域全频段、全场景推广应用，该产品系列有望为公司营收提供第二增长曲线。
更新时间：2025-10-30 09:59:26

【射频模块领域】公司的GaN射频模块主要应用于4G、5G基站设备中，并积极布局6G移动通信应用，是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。公司推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。公司在先进封装领域不断优化工艺技术，新型高导热材料封装技术、低成本塑封空腔封装技术等陆续应用，持续提升成品率、降低生产成本，保证产品的竞争力。加快封装基板研究、无源传输设计、三维堆叠和工艺植球技术攻关，构建微波、数字异构集成产品谱系。
更新时间：2025-10-23 14:30:53

【T/R 组件领域】公司自主研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。公司积极推进射频组件设计数字化转型，开展设计平台数智化建设，通过自动化软件开发与实战化应用，实现T/R组件设计关键环节效率的大幅提升。重点围绕W波段有源相控微系统，开创性建立W波段产品谱系，通过自主创新的异构集成技术开发和无源传输技术攻关，实现产品异步开发，建立W波段管芯模型设计相应的多通道多功能芯片，填补公司在该领域多功能芯片空白；低剖面宽带毫米波数字阵列，突破了高密度集成封装、毫米波高效率大功率等关键技术等新领域，持续开展相关关键技术攻关，拓宽超宽带T/R组件产品谱系、形成超宽带被动接收机谱系，打造高集成度功分网络产品，为新一代产品开拓打下基础。公司积极开展T/R组件应用领域拓展，在低轨卫星、商业航天、通信等多个领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款产品已开始交付客户。
更新时间：2025-10-23 14:30:47

【新产品研发】公司结合技术发展趋势和市场需求痛点，进一步推进新材料、新器件的开发应用，进一步完善和拓展产品种类及谱系，积极推进建立集成开发设计研发体系，推进先进封装技术产品化应用，合理布局一代（Si）、二代（GaAs）、三代（GaN）半导体射频IC和模块的技术研究和产品开发，强化客制化产品定向设计开发优势，聚焦重点应用有计划地开展技术研究和产品开发，持续拓展系统级应用市场。
更新时间：2025-06-06 14:17:12

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证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司的GaN射频模块主要应用于4G、5G基站设备中，并积极布局6G移动通信应用，是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。公司推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。公司在先进封装领域不断优化工艺技术，新型高导热材料封装技术、低成本塑封空腔封装技术等陆续应用，持续提升成品率、降低生产成本，保证产品的竞争力。加快封装基板研究、无源传输设计、三维堆叠和工艺植球技术攻关，构建微波、数字异构集成产品谱系。	所属地域:	江苏
主营业务：
题材概念:	5G 入选理由：公司的GaN射频模块主要应用于4G、5G基站设备中，并积极布局6G移动通信应用，是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。公司推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。公司在先进封装领域不断优化工艺技术，新型高导热材料封装技术、低成本塑封空腔封装技术等陆续应用，持续提升成品率、降低生产成本，保证产品的竞争力。加快封装基板研究、无源传输设计、三维堆叠和工艺植球技术攻关，构建微波、数字异构集成产品谱系。、航天军工入选理由：自成立以来，公司承担了多项国家防务领域重大科研任务，以及发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向5G通信的射频前端关键器件及芯片”等国家重大专项，江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”、江苏省科学技术厅“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化项目”等省级项目，公司为国家科技水平的进步做出了卓有成效的贡献。、央企改革入选理由：公司控股股东为中电国基南方集团，实际控制人为中国电子科技集团。、商业航天（航天航空）入选理由：公司自主研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。公司积极推进射频组件设计数字化转型，开展设计平台数智化建设，通过自动化软件开发与实战化应用，实现T/R组件设计关键环节效率的大幅提升。重点围绕W波段有源相控微系统，开创性建立W波段产品谱系，通过自主创新的异构集成技术开发和无源传输技术攻关，实现产品异步开发，建立W波段管芯模型设计相应的多通道多功能芯片，填补公司在该领域多功能芯片空白；低剖面宽带毫米波数字阵列，突破了高密度集成封装、毫米波高效率大功率等关键技术等新领域，持续开展相关关键技术攻关，拓宽超宽带T/R组件产品谱系、形成超宽带被动接收机谱系，打造高集成度功分网络产品，为新一代产品开拓打下基础。公司积极开展T/R组件应用领域拓展，在低轨卫星、商业航天、通信等多个领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款产品已开始交付客户。、集成电路入选理由：公司主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。、半导体入选理由：公司主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。、芯片概念入选理由：2025年10月，公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片，在手机等终端中成功量产应用，累计交付数量超100万只。公司将持续进行技术方案的升级，加速在终端厂商的应用验证。随着终端应用对射频功放要求的持续提升，大功率、高带宽、高效率射频功放成为技术发展趋势，当前主流的砷化镓射频功放技术受限于材料特性，面临性能局限性的挑战。硅基氮化镓功放芯片具备新型三代半导体材料的性能优势，将随着硅基氮化镓功放芯片产业链的技术进步和规模扩张，进一步扩大产品优势并持续提升。预计公司新产品将持续对现有砷化镓终端功放产品形成替代，并有望在终端射频功放领域全频段、全场景推广应用，该产品系列有望为公司营收提供第二增长曲线。、砷化镓入选理由：公司结合技术发展趋势和市场需求痛点，进一步推进新材料、新器件的开发应用，进一步完善和拓展产品种类及谱系，积极推进建立集成开发设计研发体系，推进先进封装技术产品化应用，合理布局一代（Si）、二代（GaAs）、三代（GaN）半导体射频IC和模块的技术研究和产品开发，强化客制化产品定向设计开发优势，聚焦重点应用有计划地开展技术研究和产品开发，持续拓展系统级应用市场。、中国电科集团入选理由：公司控股股东为中电国基南方集团，实际控制人为中国电子科技集团。。
风格概念:	基金重仓入选理由：国博电子2025-10-30十大股东中基金持股1754.8698万股，占总股本2.95% 、中盘入选理由：国博电子 2025-12-05收盘市值405.77亿元,全市场排名436 、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：国博电子 2025年12月5日融资净买入-738.43万元,当前融资余额:18658.57万元。

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